电子元件和电子电路的制作方法

专利名称：电子元件和电子电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元件(electric element)和电子电路(electronic circuit)，特别是涉及具有在宽频带中高频特性优越的噪声滤波器功能的电子元件和电子电路。
背景技术：
最近，LSI(Large Scale Integrated Circuit(大规模集成电路))等的数字电路技术，不仅在计算机和通信关联设备中而且也在家庭电子制品和车载用设备中使用。
而且，在LSI等中发生的高频电流，不限于LSI近旁，而扩大到印刷电路基板等的安装电路基板内的广大范围中，在信号配线和接地配线中发生感应耦合，作为电磁波从信号电缆等泄漏出来。
在将已有的模拟电路的一部分置换成数字电路的电路和混载具有模拟输入输出的数字电路等的模拟电路和数字电路的电路中，从数字电路到模拟电路的电磁干涉正在成为一个严重的问题。
作为它的对策，使作为高频电流的发生源的LSI与供给电源系统高频分离，即，电源去耦方法是有效的。而且，作为用该电源去耦方法的噪声滤波器，传输线路型噪声滤波器是众所周知的(日本特开2004-80773号专利公报)。
该传输线路型噪声滤波器备有第1和第2导电体、电介质层、第1和第2阳极。而且，各个第1和第2导电体形成板状形状，将电介质层配置在第1和第2导电体之间。
第1阳极与在第1导电体的长度方向中的一端连接，第2阳极与在第1导电体的长度方向中的另一端连接。第2导电体作为用于与基准电位连接的阴极起作用。另外，第1导电体、电介质层和第2导电体构成电容器。进一步，以实质上抑制由在第1导电体中流动的电流的直流成分产生温度上升的方式，设定第1导电体的厚度。
而且，将传输线路型噪声滤波器连接在直流电源和LSI之间，使来自直流电源的直流电流经过由第1阳极、第1导电体和第2阳极构成的路径流到LSI，并且使在LSI中发生的交流电流衰减。
这样，传输线路型噪声滤波器是具有电容器的结构，将构成电容器的两个电极的第1和第2导电体用作传输线路的噪声滤波器。
但是，传输线路型噪声滤波器，具有由(电感/电容)1/2表示的阻抗，不采用减少电感的机构。另外，阻抗随着频率升高，从电容支配区域移动到电感支配区域。结果，在已有的传输线路型噪声滤波器中，存在着传输线路型噪声滤波器不能够实现比由原来具有的电感决定的阻抗低的阻抗那样的问题。
此外，当通过使已有的传输线路型噪声滤波器连接在电源和CPU(Central Processing Unit(中央处理器))等的在给定频率上工作的电负载电路之间，将传输线路型噪声滤波器用作去耦电路时，存在着将电负载电路产生的无用高频电流充分限制(confine，閉じ込める)在电负载电路近旁是困难的问题。即，存在着无用高频电流泄漏到其它电路的问题。
进一步，存在着与电负载电路的急速起动相应地，将电源电流急速地供给电负载电路是困难的那样的问题。

发明内容
因此，本发明就是为了解决这种问题，本发明的目的是提供通过减少电感可以减少阻抗的电子元件。
此外，本发明的另一个目的是提供可以抑制无用高频电流泄漏到电源侧的电子电路。
进一步，本发明的另一个目的是提供可以抑制无用高频电流泄漏到电源侧，并且可以实现电负载电路急速起动的电子电路。
如果根据本发明，电子元件配置在电源和通过来自上述电源的电流进行工作的电负载电路之间，备有第1导体层和第2导体层。第1导体层是用于第1电流从电源侧流到电负载电路侧的导体。第2导体层是用于作为第1电流的返回电流的第2电流从电负载电路侧流到电源侧的导体。而且，当第1和第2电流分别流过第1和第2导体时，第1导体具有比自感小的电感。
最好，第1导体由每一个具有平板形状的n(n为正整数)个第1导体层构成，第2导体由每一个具有平板形状，并且与第1导体层对置地配置的m(m为正整数)个第2导体层构成。将n个第1导体层和m个第2导体层交互地层叠在一起。
最好，电子元件还备有电介质。电介质层配置在第1导体层和第2导体层之间。n个第1导体层中的每一个，流过构成电源电流的第1电流，由与接地电位连接的两个第2导体层夹着。
最好，第1电流沿与第2电流相反的方向流动。
最好，在第1导体层和第2导体层的重叠部分中，当令在与第1和第2电流流动的方向垂直的方向中的第1和第2导体层的长度为W，在第1和第2电流流动的方向中的第1和第2导体层的长度为L时，W≥L成立。
最好，电子元件还备有第1到第4电极。第1电极，在第1电流流过第1导体层的第1方向中，与n个第1导体层的一端电连接。第2电极，在第1方向中，与n个第1导体层的另一端电连接。第3电极，在第2电流流过第2导体层的第2方向中，与m个第2导体层的一端电连接。第4电极，在第2方向中，与m个第2导体层的另一端电连接。
此外，如果根据本发明，则电子元件是具有大致长方体状的外形的电子元件，备有多个第1导体层、多个第2导体层、多个电介质、和第1到第4电极。多个第1导体层沿与长方体状的底面大致平行的面配置。多个第2导体层沿与长方体状的底面大致平行的面配置。多个电介质，各个配置在第1导体层和第2导体层之间。第1电极与多个第1导体层的一端连接。第2电极与多个第1导体层的另一端连接。第3电极与多个第2导体层的一端侧连接。第4电极与多个第2导体层的另一端侧连接。
最好，第1导体层，在从与长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有比第2导体层的尺寸大的尺寸，第2导体层，在从与长方体的底面、第1侧面和第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有比第1导体层的尺寸大的尺寸。
最好，第1导体层，在从与长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有比第2导体层的尺寸大的尺寸，在从与长方体的上述底面、第1侧面以及第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有与第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，第2导体层具有与第3和第4电极连接的突出部分。
最好，第1电极在第1侧面上与多个第1导体层连接，第2电极在第2侧面上与多个第1导体层连接，第3电极，在第3和第4侧面上，相比第1侧面和第2侧面的中点靠近第1侧面侧与多个第2导体层连接，第4电极，在第3和第4侧面上，相比中点靠近第2侧面侧与多个第2导体层连接。
最好，第1导体层，在从与长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有与第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，在从与长方体的底面、第1侧面和第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有与第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，具有分别向第1和第2侧面侧突出的第1和第2突出部分，第2导体层具有分别向第1和第2侧面侧突出的第3和第4突出部分。
最好，第1电极，在第1侧面上与多个第1导体层的第1突出部分连接，第2电极，在第2侧面上与多个第1导体层的第2突出部分连接，第3电极，在第1侧面上与多个第2导体层的第3突出部分连接，第4电极，在第2侧面上与多个第2导体层的第4突出部分连接。
最好，第1突出部分，在第2方向中相比第3侧面和第4侧面的中点靠近第3侧面侧配置，第2突出部分，在第2方向中相比中点靠近第4侧面侧配置，第3突出部分，在第2方向中相比中点靠近第4侧面侧配置，第4突出部分，在第2方向中相比中点靠近第3侧面侧配置。
最好，第1导体层，在从与长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有与第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，在从与长方体的底面、第1侧面和第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有与第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，具有分别向第3侧面侧突出的第1和第2突出部分，第2导体层具有向第4侧面侧突出的第3和第4突出部分。
最好，第1电极在第3侧面上与多个第1导体层的第1突出部分连接，第2电极在第3侧面上与多个第1导体层的第2突出部分连接，第3电极在第4侧面上与多个第2导体层的第3突出部分连接，第4电极在第4侧面上与多个第2导体层的第4突出部分连接。
最好，在第1导体层和第2导体层的重叠部分中，当令在第1方向中的第1和第2导体层的长度为W，在第2方向中的第1和第2导体层的长度为L时，W≥L成立。
最好，在第1导体层和第2导体层的重叠部分中，当令在第1方向中的第1和第2导体层的长度为W，在第2方向中的第1和第2导体层的长度为L时，L＞W成立。
最好，第1和第2导体层由将镍作为主成分的金属材料构成，电介质由将BaTiO3作为主成分的陶瓷材料构成。
进一步，如果根据本发明，则电子电路在电源和电负载之间备有根据发明1到发明19中任一项所述的电子元件，多个第1导体层构成从电源侧流到负载侧的第1电流通路，多个第2导体层构成作为第1电流的返回电流的第2电流的通路。
进一步，如果根据本发明，则电子电路备有与电源连接的电子元件、和连接在电子元件和电负载之间的电容器。而且，电子元件由根据发明6到发明18中任一项所述的电子元件构成。
最好，电子元件的第1电极与电源的正极连接。电子元件的第2电极与电容器的阳极连接。电子元件的第3电极与电容器的阴极连接。电子元件的第4电极与电源的负极连接。电容器的阳极与电负载的正极连接。电容器的阴极与电子元件的负极连接。
进一步，如果根据本发明，则电子电路备有具有大致长方形的平面形状，与电源连接的第1电子元件、和具有大致长方形的平面形状，与第1电子元件和电负载连接的第2电子元件，在长方形的横方向中的第1电子元件的第1尺寸比在长方形的纵方向中的第1电子元件的第2尺寸大，在长方形的横方向中的第2电子元件的第3尺寸比在长方形的纵方向中的第2电子元件的第4尺寸小。
在本发明中，当第1和第2电流分别流过第1和第2导体时，第1导体，由于第1导体和第2导体之间的互感，具有比自感小的电感。这样一来，电子元件，通过减少第1导体之间的电感，降低阻抗。
所以，如果根据本发明，则能够通过减少电感，降低阻抗。
此外，如果根据本发明，则电子元件备有多个第1导体层、多个第2导体层、多个电介质和第1到第4电极。而且，将多个电介质中的各个配置在第1导体层和第2导体层之间。此外，第1和第2电极与多个第1导体层的两端连接，第3和第4电极与多个第2导体层的两端连接。结果，电流以第1电极、多个第1导体层和第2电极的顺序流动，该电流的返回电流以第4电极、多个第2导体层和第3电极的顺序流动。即，在第1导体层和第2导体层中，流动着方向相互相反的电流。结果，由于与第2导体层之间的互感，第1导体层的电感比自感小。
所以，如果根据本发明，通过减少电感，能够降低阻抗。
进一步，如果根据本发明，则电子电路备有配置在电源和电负载之间的电子元件。而且，电子元件将在电负载中发生的无用高频电流限制在由电负载和电子元件构成的电路中。
所以，如果根据本发明，则能够抑制无用高频电流泄漏到电源侧。
进一步，如果根据本发明，则电子电路备有与电源连接的电子元件和连接在电子元件和电负载之间的电容器。而且，电子电路，积蓄从电源供给的电源电流，将该积蓄的电源电流供给电负载，并且将在电负载中发生的无用高频电流限制在由电负载和电子元件构成的电路中。
所以，如果根据本发明，则能够抑制无用高频电流泄漏到电源侧，并且能够将电源电流急速地供给电负载电路。


图1是表示根据本发明的实施方式1的电子元件的结构的概略2是用于说明图1所示的电介质层和导体板的尺寸的3是邻接的两个导体板的平面4A和图4B是图1所示的电子元件的剖面5A～5C是用于说明图1所示的电子元件的制造方法的第1步骤图。
图6A和图6B是用于说明图1所示的电子元件的制造方法的第2工程图。
图7是用于说明图1所示的电子元件的功能的立体图。
图8是用于说明由流过导线的电流生成的磁通量密度的图。
图9是用于说明当在两条导线间发生磁干涉时的有效电感的图。
图10是表示根据实施方式1的其它电子元件的结构的概略图。
图11是表示图1所示的电子元件的使用状态的概念图。
图12是表示图1所示的电子元件的衰减量特性的频率依赖性的图。
图13是表示图1所示的电子元件的阻抗的频率依赖性的图。
图14是表示图1所示的电子元件的阻抗的频率依赖性的另一个图。
图15是表示图1所示的电子元件的阻抗的频率依赖性的又一个图。
图16是表示图1所示的电子元件的阻抗的频率依赖性的又一个图。
图17是表示根据实施方式2的电子元件的构成的概略图。
图18A～18E是图17所示的电介质层和导体板的平面图和电子元件的仰视图。
图19是表示根据实施方式3的电子元件的结构的概略图。
图20A～20E是图19所示的电介质层和导体板的平面图和电子元件的仰视图。
图21是表示根据实施方式4的电子元件的结构的概略图。
图22A～22E是图21所示的电介质层和导体板的平面图和电子元件的仰视图。
图23是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第1变形例的概略图。
图24是图23所示的电子元件的平面图。
图25是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第2变形例的概略图。
图26A和图26B是图25所示的电子元件的侧面图。
图27是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第3变形例的概略图。
图28A和图28B是图27所示的电子元件的平面图和侧面图。
图29是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第4变形例的概略图。
图30是从图29所示的C方向看的电子元件的平面图。
图31是表示根据实施方式5的电子电路的结构的概略图。
图32是表示根据实施方式6的电子电路的结构的概略图。
图33是表示图32所示的电子元件的使用状态的概念图。
图34是表示图32所示的电容器的结构的立体图。
图35是表示根据实施方式6的电子电路的结构的其它概略图。
图36是图35所示的电子元件和电容器的剖面图。
图37是表示根据实施方式6的电子电路的具体情况的立体图。
图38是从图37所示的A方向看的电子电路的平面图。
图39是从图37所示的B方向看的电子电路的平面图。
图40是从图37所示的C方向看的电子电路的平面图。
图41是图37所示的直线XXXXI-XXXXI中的电子电路的剖面图。
图42是表示根据实施方式7的电子电路的构成的概略图。
图43是图42所示的电子元件的仰视图。
图44是配置了图42所示的电子电路的基板的平面图。
图45是表示根据实施方式7的其它电子电路的结构的概略图。
图46是图45所示的两个电子元件的平面图。
图47是从图45所示的A方向看的电子电路的侧面图。
图48是图45所示的电子电路的仰视图。
具体实施例方式
参照附图并对本发明的实施方式进行说明。此外，在图中相同或相当的部分上附加相同的标号，不重复它们的说明。
图1是表示根据本发明的实施方式1的电子元件的构成的概略图。参照图1，根据本发明的实施方式1的电子元件100，具有大致长方体状的外形，备有电介质层1～5、导体板11、12、21～23、侧面(side)阳极电极10A、10B、阳极电极10C、10D、侧面阴极电极20A、20B、20C、20D和阴极电极20E、20F。
电介质层1～5依次被层叠。各个导体板11、12、21～23形成平面形状。而且，将导体板21配置在电介质层1、2之间，将导体板11配置在电介质层2、3之间。将导体板22配置在电介质层3、4之间，将导体板12配置在电介质层4、5之间，将导体板23配置在电介质层5的一个主面5A上。结果，电介质层1～5，分别支撑导体板21、11、22、12、23。此外，多个导体板11、12、21～23沿与长方体的底面(＝底面100C)大致平行的面配置。
侧面阳极电极10A，与导体板11、12的一端连接，形成在电子元件100的侧面100A(由电介质层1～4的侧面构成的侧面)上。侧面阳极电极10B，与导体板11、12的另一端连接，形成在与电子元件100的侧面100A对置的侧面100B(由电介质层1～4的侧面构成的侧面)上。结果，侧面阳极电极10B与侧面阳极电极10A对置地配置。
阳极电极10C，配置在电子元件100的底面100C上，与侧面阳极电极10A连接。阳极电极10D，配置在电子元件100的底面100C上，与侧面阳极电极10B连接。
侧面阴极电极20A，在导体板21～23的一端侧与导体板21～23连接，配置在电子元件100的正面100D上。侧面阴极电极20B，在导体板21～23的一端侧与导体板21～23连接，配置在与电子元件100的正面100D对置的里面100E上。因此，侧面阴极电极20B与侧面阴极电极20A对置地配置。
侧面阴极电极20C，在导体板21～23的另一端侧与导体板21～23连接，配置在电子元件100的正面100D上。侧面阴极电极20D，在导体板21～23的另一端侧与导体板21～23连接，配置在与电子元件100的正面100D对置的里面100E上。因此，侧面阴极电极20D与侧面阴极电极20C对置地配置。
阴极电极20E与侧面阴极电极20A、20B连接，配置在电子元件100的底面100C上。阴极电极20F与侧面阴极电极20C、20D连接，配置在电子元件100的底面100C上。
这样，电子元件100形成导体板11、12、21～23夹着电介质层1～5交互地配置的构造，具有两个阳极电极10C、10D和两个阴极电极20E、20F。
各个电介质层1～5，例如，由钛酸钡(BaTiO3)构成，各个侧面阳极电极10A、10B、阳极电极10C、10D、导体板11、12、21～23、侧面阴极电极20A、20B、20C、20D和阴极电极20E、20F，例如，由镍(Ni)构成。
图2是用于说明图1所示的电介质层1、2和导体板11、21的尺寸的图。参照图2，各个电介质层1、2在电流流过导体板11、21的方向DR1上具有长度L1，在与方向DR1正交的方向DR2上具有宽度W1，另外具有厚度D1。例如，将长度L1设定为15mm，例如，将宽度W1设定为13mm，例如，将厚度D1设定为25μm。
导体板11具有长度L1和宽度W2。而且，例如，将宽度W2设定为11mm。此外，导体板21具有长度L2和宽度W1。而且，例如，将长度L2设定为13mm。进一步，例如，各个导体板11、21具有10μm～20μm范围的膜厚。
各个电介质层3～5具有与图2所示的电介质层1、2相同的长度L1、相同的宽度W1和相同的厚度D1。此外，导体板12具有与图2所示的导体板11相同的长度L1、相同的宽度W2和相同的厚度，各个导体板22、23具有与图2所示的导体板21相同的长度L2、相同的宽度W1和相同的厚度。
这样，电介质层1～5和导体板11、12、21～23具有形成大致长方形的平面形状。而且，导体板11、12具有与导体板21～23不同的长度和不同的宽度。这是为了防止与导体板11、12连接的侧面阳极电极10A、10B和与导体板21～23连接的侧面阴极电极20A、20B、20C、20D短路。
图3是邻接的两个导体板的平面图。参照图3，将导体板11和导体板21投影到1个平面上，导体板11和21具有重复部分20。而且，导体板11和导体板21的重复部分20具有长度L2和宽度W2。导体板11和导体板22的重复部分、导体板12和导体板22的重复部分和导体板12和导体板23的重复部分也具有与重复部分20相同的长度L2和相同的宽度W2。而且，在本发明中，当电子元件100主要作为噪声滤波器起作用时，以L2＞W2的方式，设定长度L2和宽度W2，当电子元件100主要作为电容器起作用时，以W2≥L2的方式，设定长度L2和宽度W2。
图4A和图4B是图1所示的电子元件100的剖面图。图4A表示在图1所示的直线IVA-IVA之间的电子元件100的剖面图，图4B表示在图1所示的直线IVB-IVB之间的电子元件100的剖面图，参照图4A，导体板21与电介质层1、2双方相接，导体板11与电介质层2、3双方相接。此外，导体板22与电介质层3、4双方相接，导体板12与电介质层4、5双方相接。进一步，导体板23与电介质层5相接。
侧面阴极电极20C、20D，不与导体板11、12连接，而与导体板21～23连接。此外，将阴极电极20F配置在电介质层1的里面1A上，与侧面阴极电极20C、20D连接。
参照图4B，侧面阳极电极10A、10B，不与导体板21～23连接，而与导体板11、12连接。此外，将阳极电极10C、10D配置在电介质层1的里面1A上，分别与侧面阳极电极10A、10B连接。
结果，导体板21/电介质层2/导体板11、导体板11/电介质层3/导体板22、导体板22/电介质层4/导体板12和导体板12/电介质层5/导体板23构成并联连接在阳极电极10C、10D和阴极电极20E、20F之间的4个电容器。
这时，各电容器的电极面积与邻接的两个导体板的重复部分20(请参照图3)的面积相等。
这样，电子元件100备有沿大致长方体的底面100C配置的多个导体板11、12、沿大致长方体的底面100C配置的多个导体板21～23、各个配置在与导体板11或12和导体板21～23中的某一个之间的多个电介质层1～5、与多个导体板11、12的一端连接的侧面阳极电极10A和阳极电极10C、与导体板11、12的另一端连接的侧面阳极电极10B和阳极电极10D、与多个导体板21～23的一端连接的侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E、与多个导体板21～23的另一端连接的侧面阴极电极20C、20D和阴极电极20F。而且，侧面阳极电极10A在侧面100A上与多个导体板11、12连接，侧面阳极电极10B在与侧面100A对置的侧面100B上与多个导体板11、12连接。此外，侧面阴极电极20A在与侧面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D上与多个导体板21～23连接，侧面阴极电极20C在与侧面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D对置的里面100E上与多个导体板21～23连接，侧面阴极电极20C在与侧面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D上与多个导体板21～23连接，侧面阴极电极20D在与侧面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D对置的里面100E上与多个导体板21～23连接。
此外，在电子元件100中，侧面阳极电极10A和阳极电极10C构成“第1电极”，侧面阳极电极10B和阳极电极10D构成“第2电极”，侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E构成“第3电极”，侧面阴极电极20C、20D和阴极电极20F构成“第4电极”。
图5A～5C和图6A、6B分别是用于说明图1所示的电子元件100的制造方法的第1和第2步骤图。参照图5A～5C，在形成具有长度L1、宽度W1和厚度D1的电介质层1(BaTiO3)的印刷电路基板(green sheet)的表面1B上，通过网印在具有长度L2和宽度W1的区域中涂敷Ni涂浆，在电介质层1的表面1B上形成由Ni构成的导体板21。
同样，制作由BaTiO3构成的电介质层3、5，在该制作成的电介质层3、5上分别形成由Ni构成的导体板22、23(参照图5A)。
接着，在形成具有长度L1、宽度W1和厚度D1的电介质层2(BaTiO3)的印刷电路基板的表面2A上，通过网印在具有长度L1和宽度W2的区域中涂敷Ni涂浆，在电介质层2的表面2A上，形成由Ni构成的导体板11。
同样，制作由BaTiO3构成的电介质层4，在该制作成的电介质层4上形成由Ni构成的导体板12(请参照图5B)。
此后，依次地层叠分别形成了导体板21、11、22、12、23的电介质层1～5的印刷电路基板(请参照图5C)。因此，交互地层叠与阳极电极10C、10D连接的导体板11、12和与阴极电极20E、20F连接的导体板21～23。
进一步，通过网印将Ni涂浆涂敷在侧面阳极电极10A、10B、阳极电极10C、10D、侧面阴极电极20A、20B、20C、20D和阴极电极20E、20F上(请参照图6A、6B)。此后，在1350℃的烧结温度中烧结用直到图6B的步骤制作的元件，完成电子元件100。或者，也可以通过后焙烧，将熔点比内部电极(导体板11、12、21～23)低，电导率比内部电极高的材料用于侧面电极(外部电极)。此外，关于侧面电极(外部电极)，要考虑焊料湿润性等，需要时在烧结后用Ni、Au、Su等进行电镀处理。
此外，在电子元件100的制作中，也存在着通过不使用印刷电路基板，印刷电介质涂浆使之干燥，在其上印刷导体，进一步，印刷电介质涂浆，进行相同的步骤，实施层叠的方法。
图7是用于说明图1所示的电子元件100的功能的立体图。参照图7，当在电子元件100中流过直流电流时，使阴极电极20E、20F与接地电位连接，以流过导体板11、12的直流电流与流过导体板21～23的直流电流方向相反的方式，使直流电流流过电子元件100。
例如，以直流电流从阳极电极10C向阳极电极10D的方向流动的方式使直流电流流过电子元件100。通过这样做，直流电流，从阳极电极10C经过侧面阳极电极10A流到导体板11、12，沿箭头30的方向流过导体板11、12，进一步，经过侧面阳极电极10B流到阳极电极10D。
此外，流过导体板11、12的电流的返回(return)电流，从阴极电极20F经过侧面阴极电极20C、20D流到导体板21～23，沿作为与箭头30相反的方向的箭头40的方向流过导体板21～23，进一步，经过侧面阴极电极20A、20B流到阴极电极20E。
通过这样做，流过导体板11、12的直流电流I1和流过导体板21～23的直流电流I2成为大小相等，方向相反的电流。
图8是用于说明由流过导线的电流生成的磁通量密度的图。此外，图9是用于说明当在两条导线间发生磁干涉时的有效电感的图。
参照图8，当在无限长的直线导线中流过电流I时，在处于离开导线距离a的位置上的点P上生成的磁通量密度B由公式1表示。
B=μ0I2πr]]>其中，μ0是真空导磁率。
此外，当图8所示导线为两根，发生相互磁干涉时，当令两根导线的自感分别为L11，L22，耦合系数为k(0＜k＜1)，两根导线的互感为L12时，互感L12由下列公式2表示。
L12=k·L11·L22]]>这里，当L11＝L22时，互感为L12由下列公式3表示。
L12＝k·L11参照图9，由读出线C将导线A和导线B连接起来，当假定大小相等，方向相反的电流流过导线A、B时，导线A的有效电感L11effective由下列公式4表示。
L11effective＝L11-L12这样，当在两根导线A、B之间发生磁干涉时，导线A的有效电感L11effective由于与导线B之间的互感L12，比导线A的自感L11小。这是因为流过导线A的电流I生成的磁通量φA的方向与流过导线B的电流-I生成的磁通量φB的方向相反，流过导线A的电流I生成的有效磁通量密度减小的缘故。
在电子元件100中，如上所述，因为将导体板11配置在从导体板21、22离开5μm的位置上，将导体板12配置在从导体板22、23离开25μm的位置上，所以在导体板11与导体板21、22之间和导体板12与导体板22、23之间发生磁干涉，因为流过导体板11、12的直流电流I1与流过导体板21～23的直流电流I2大小相等，方向相反，所以导体板11、12的有效电感，由于导体板11、12和导体板21～23之间的互感，而变得比导体板11、12的自感小。
结果，电子元件100中的全部有效电感L变小。
在电子元件100中，如上所述，因为形成并联连接的4个电容器，所以，与形成1个电容器的情形比较，有效电容C增大。
所以，在电子元件100中，在电容支配的低频区域中，由于有效电容C增大，电子元件100的阻抗下降，在电容支配的高频区域中，由于有效电感L下降，阻抗下降。
结果，电子元件100，在宽广的频率区域中，具有相对低的阻抗。
图10是表示根据实施方式1的其它电子元件的结构的概略图。根据实施方式1的电子元件也可以是图10所示的电子元件101。参照图10，电子元件101，除去图1所示的电子元件100的导体板23，用阳极电极120代替侧面阳极电极10A和阳极电极10C，用阳极电极130代替侧面阳极电极10B和阳极电极10D，其它与电子元件100相同。
阳极电极120，由镍(Ni)构成，设置在电子元件100的侧面100A和底面100C、正面100D、里面100E及上面100F的一部分上。更具体地说，阳极电极120由侧面阳极电极121和带状电极122～125构成。侧面阳极电极121配置在电子元件100的侧面100A的整个面上。此外，带状电极122，在电子元件100的底面100C中，配置在导体板11、12、21、22的一端侧。进一步，带状电极123，在电子元件100的正面100D中，配置在导体板11、12、21、22的一端侧。进一步，带状电极124，在电子元件100的上面100F中，配置在导体板11、12、21、22的一端侧。进一步，带状电极125，在电子元件100的里面100E中，配置在导体板11、12、21、22的一端侧。而且，侧面阳极电极121与导体板11、12的一端连接。
阳极电极130，由镍(Ni)构成，设置在电子元件100的侧面100B和底面100C、正面100D、里面100E及上面100F的一部分上。更具体地说，阳极电极130由侧面阳极电极131和带状电极132～135构成。侧面阳极电极131配置在电子元件100的侧面100B的整个面上。此外，带状电极132，在电子元件100的底面100C中，配置在导体板11、12、21、22的另一端侧。进一步，带状电极133，在电子元件100的正面100D中，配置在导体板11、12、21、22的另一端侧。进一步，带状电极134，在电子元件100的上面100F中，配置在导体板11、12、21、22的另一端侧。进一步，带状电极135，在电子元件100的里面100E中，配置在导体板11、12、21、22的另一端侧。而且，侧面阳极电极131与导体板11、12的另一端连接。
图11是表示图1所示的电子元件100的使用状态的概念图。参照图11，电子元件100连接在电源90和CPU(Central Processing Unit(中央处理器))110之间。而且，电子元件100的阴极电极20E、20F与接地电位连接。电源90具有正极端子91和负极端子92。CPU110具有正极端子111和负极端子112。
读出线121，一端与电源90的正极端子91连接，另一端与电子元件100的阳极电极10C连接。读出线122，一端与电源90的负极端子92连接，另一端与电子元件100的阴极电极20E连接。
读出线123，一端与电子元件100的阳极电极10D连接，另一端与CPU110的正极端子111连接。读出线124，一端与电子元件100的阴极电极20F连接，另一端与CPU110的负极端子112连接。
通过这样做，从电源90的正极端子91输出的直流电流I，经过读出线121流过电子元件100的阳极电极10C，以侧面阳极电极10A、导体板11、12、侧面阳极电极10B和阳极电极10D的顺序流过电子元件100内。而且，直流电流I，从阳极电极10D经过读出线123和正极端子111流入到CPU110。
因此，将直流电流I作为电源电流供给CPU110。而且，CPU110，由直流电流I驱动，从负极端子112输出与直流电流I相同大小的返回电流Ir。
通过这样做，返回电流Ir，经过读出线124流到电子元件100的阴极电极20F，以侧面阴极电极20C、20D、导体板21～23、侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E的顺序流过电子元件100内。而且，返回电流Ir，从阴极电极20E经过读出线122和负极端子92流到电源90中。
结果，在电子元件100中，因为直流电流I从电源90侧经过导体板11、12流到CPU110侧，返回电流Ir经过导体板21～23从CPU110侧流到电源90侧，所以电子元件100的有效电感L如上所述减小。此外，因为电子元件100包含并联连接的4个电容器，所以电子元件100的有效电容C增大。
所以电子元件100的阻抗减小。
而且，CPU110，由从电源90经过电子元件100供给的直流电流I驱动，产生无用高频电流。该无用高频电流，经过读出线123、124泄漏到电子元件100中，但是因为电子元件100，如上所述，具有低阻抗，所以无用高频电流流过由电子元件100和CPU110构成的电路，能够抑制无用高频电流从电子元件100泄漏到电源90侧。
CPU110的工作频率，具有移动到高频侧的倾向，也假定在约1GHz进行工作。在这样高的工作频率的区域中，电子元件100的阻抗主要由有效电感L决定，因为有效电感L如上所述减小，所以电子元件100起着将在高工作频率工作的CPU110产生的无用高频电流限制在CPU110近旁的噪声滤波器的作用。
图12是表示图1所示的电子元件100的衰减量特性S21的频率依赖性的图。在图12中，横轴表示频率，纵轴表示衰减量特性S21。此外，图12所示的衰减量特性S21是设定5个与侧面阳极电极10A、10B连接的导体板，设定6个与侧面阴极电极20A、20B、20C、20D连接的导体板时的仿真结果。此外，衰减量特性S21是表示当将CPU110侧作为输入侧，将电源90侧作为输出侧时，从CPU110输入到电子元件100的高频电流在电子元件100中衰减到什么程度的特性。
参照图12，衰减量特性S21，随着频率增高而降低，在1000MHz(＝1GHz)的频率上，衰减到-150dB以下。即，在电子元件100中，随着频率增高，衰减量增大。特别是，即便频率高达100MHz以上，衰减量也不小，并随着频率增高而增大。
所以，电子元件100，随着图11所示的CPU110的工作频率增高，由于有效电感L降低，阻抗降低，作为将CPU110产生的无用高频电流限制在CPU110近旁的噪声滤波器的作用提高了。
图13是表示图1所示的电子元件100的阻抗的频率依赖性的图。在图13中，横轴表示频率，纵轴表示阻抗。此外，图13中的阻抗是将电子元件100作为4端子元件(两个阳极和两个阴极)，由下列公式从衰减量特性S21变换过来的阻抗。 其中，Z0是特性阻抗。
参照图13，阻抗随着频率增高而降低，在数百MHz以上的频率上，降低到10-3(Ω)以下。而且，阻抗在1000MHz(＝1GHz)的频率上，变得比10-6(Ω)小。
已有的噪声滤波器，在数百MHz以上的频率上，不降低到10-3(Ω)以下，但是根据本发明的电子元件100，在数百MHz以上的频域上，从10-3(Ω)大幅度降低。
图14是表示图1所示的电子元件100的阻抗的频率依赖性的另一个图。在图14中，横轴表示频率，纵轴表示阻抗。此外，图14中的阻抗是对阳极、阴极的导体板数分别为1个，阳极导体板的长度和宽度之比的变化如何影响到元件特性进行仿真的阻抗。所以，能够显现出电感成分大，自共振频率为100MHz数量级。
图13中的阻抗是当阳极、阴极的导体板数分别为阳极5个、阴极6个，大小为15mm×13mm时进行仿真得到的结果。因此，由于互感增大，有效阻抗降低，图13所示的阻抗变小。
此外，在图14中，将图3所示的长度L2固定在10mm，改变宽度W2，仿真阻抗。而且，曲线k1～k5，分别表示宽度W2为4mm、6mm、8mm、10mm和12mm的情形。
从图14所示的结果，通过使长度L2一定，增大宽度W2，阻抗在频率的全部区域降低。而且，在W2≥L2的曲线k4、k5中，在0.2GHz以上的高频率区域中得到0.3Ω以下的阻抗。
所以，在本发明中，以成为W2≥L2的方式设定重复部分20的长度L2和宽度W2。而且，随着CPU110的工作频率相对增高，将W2/L2设定在相对大的值。因此，高频区域中的电子元件100的阻抗降低。
图15是表示图1所示的电子元件100的阻抗的频率依赖性的又一个图。在图15中，横轴表示频率，纵轴表示阻抗。此外，图15中的阻抗是将电子元件100作为4端子元件(两个阳极和两个阴极)，由公式(5)从衰减量特性S21变换过来的阻抗。此外，曲线k6～k8是表示当L2＞W2时的电子元件100的阻抗(＝Z21)的频率依赖性的实验结果。更具体地说，曲线k6是表示L2＝12mm，W2＝10mm时的电子元件100的阻抗(＝Z21)的频率依赖性的实验结果，曲线k7是表示L2＝12mm，W2＝8mm时的电子元件100的阻抗(＝Z21)的频率依赖性的实验结果，曲线k8是表示L2＝12mm，W2＝5mm时的电子元件100的阻抗(＝Z21)的频率依赖性的实验结果。
从图15所示的结果，电子元件100的阻抗(＝Z21)，在107(Hz)以上的频率区域中随着长度L2变得比宽度W2大而降低。即，电子元件100，在图11所示的使用状态中，随着长度L2变得比宽度W2大作为噪声滤波器，性能提高了。所以，当将电子元件100用作噪声滤波器时，设定长度L2和宽度W2的关系为L2＞W2。
图16是表示图1所示的电子元件100的阻抗的频率依赖性的又一个图。在图16中，横轴表示频率，纵轴表示阻抗。此外，图16中的阻抗是将电子元件100作为4端子元件(两个阳极和两个阴极)，由公式(5)从反射特性S22变换过来的阻抗。
曲线k9是表示W2≥L2时的电子元件100的阻抗(＝Z22)的频率依赖性的实验结果，曲线k10是表示L2＞W2时的电子元件100的阻抗(＝Z22)的频率依赖性的实验结果。
参照图16，电子元件100的阻抗(＝Z22)，在4×106(Hz)以下的频率区域中，即便设定长度L2和宽度W2的关系为W2≥L2和L2＞W2中的某一个，也大致相同，但是在4×106(Hz)以上的频率区域中，通过设定长度L2和宽度W2的关系为W2≥L2而降低。即，电子元件100，在图11所示的使用状态中，设定长度L2和宽度W2的关系为W2≥L2，从CPU110供给电子元件100的电流被电子元件100反射的程度变小。所以，当将电子元件100用作电容器时，设定长度L2和宽度W2的关系为W2≥L2。
此外，图10所示的电子元件101也用于图11所示的使用状态中，具有图15和图16所示的阻抗的频率依赖性。
如上所述，电子元件100、101，连接在电源90和CPU110之间，作为将CPU110产生的无用高频电流限制在CPU110的近旁的噪声滤波器或将电源电流供给CPU110的电容器起作用。而且，当将电子元件100连接在电源90和CPU110之间时，连接导体板11、12、21～23作为传输线路。即，用与阳极电极10C、10D连接的导体板11、12和与阴极电极20E、20F连接的导体板21～23构成的电容器没有经过端子与传输线路连接，而连接导体板11、12、21～23作为传输线路的一部分。所以，导体板11、12是用于使从电源90输出的直流电流I从电源90侧流到CPU110侧的导体，导体板21～23是用于使返回电流Ir从CPU110侧流到电源90侧的导体。
结果，能够极力排除等效串联电感。
此外，在电子元件100、101中，通过使在与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板11、12中流动的电流和在与阴极电极20E、20F连接的导体板21～23中流动的电流方向相反地进行设定，在导体板11、12和导体板21～23之间发生磁干涉，由于导体板11、12和导体板21～23之间的互感，使导体板11、12的自感减小。而且，因此，使电子元件100的有效电感减小，使电子元件100、101的阻抗降低。
这样，在本发明中，将构成电容器的电极的导体板11、12、21～23作为传输线路的一部分进行连接作为第1特征，将通过在与阳极电极10C、10D连接的导体板11、12和与阴极电极20E、20F连接的导体板21～23中流过方向相反的电流，在导体板11、12和导体板21～23之间产生磁干涉，使导体板11、12的有效电感比导体板11、12的自感小，因此减小电子元件100、101的阻抗作为第2特征，将由与接地电位连接的两个导体板(导体板21、22或导体板22、23)夹住各个流过构成电源电流的直流电流的导体板11、12作为第3特征。
该第2特征是通过采用使来自CPU110的返回电流Ir流过配置在电子元件100、101内部的导体板21～23的构成来实现的。
而且，根据第1特征能够极力排除等效串联电感，根据第2特征能够将无用高频电流限制在CPU110的近旁。此外，根据第3特征能够抑制电子元件100、101的噪声逸出到外部，并且能够抑制电子元件100、101受到来自外部的噪声的影响。
在上述中，说明了电介质层1～5全部由相同的电介质材料(BaTiO3)构成的情形，但是在本发明中，不限于此，电介质层1～5也可以由相互不同的电介质材料构成，也可以由2类电介质材料构成，一般，可以由1类以上的电介质材料构成。这时，构成电介质层1～5的各电介质材料，最好，具有3000以上的相对介电常数。
而且，作为BaTiO3以外的电介质材料，能够用Ba(Ti，Sn)O3、Bi4Ti3O12、(Ba，Sr，Ca)TiO3、(Ba，Ca)(Zr，Ti)O3、(Ba，Sr，Ca)(Zr，Ti)O3、SrTiO3、CaTiO3、PbTiO3、Pb(Zn，Nb)O3、Pb(Fe，W)O3、Pb(Fe，Nb)O3、Pb(Mg，Nb)O3、Pb(Ni，W)O3、Pb(Mg，W)O3、Pb(Zr，Ti)O3、Pb(Li，Fe，W)O3、Pb5Ge3O11和CaZrO3等。
此外，在上述中，说明了阳极电极10C、10D、120、130、侧面阳极电极10A、10B、导体板11、12、21～23、侧面阴极电极20A、20B、20C、20D和阴极电极20E、20F由镍(Ni)构成的情形，但是在本发明中，不限于此，阳极电极10C、10D、120、130、侧面阳极电极10A、10B、导体板11、12、21～23、侧面阴极电极20A、20B、20C、20D和阴极电极20E、20F也可以由银(Ag)、钯(Pd)、银钯合金(Ag-Pd)、铂(Pt)、金(Au)、铜(Cu)、铷(Rb)和钨(W)中的某一个构成。
进一步，在上述中，说明了电子元件100、101备有电介质层1～5的情形，但是在本发明中，不限于此，电子元件100、101也可以不备有电介质层1～5。这是因为即便没有电介质层1～5，也在导体板11、12和导体板21～23之间发生磁干涉，由于上述机构电子元件100、101的阻抗降低的缘故。
进一步，在上述中，说明了与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板的个数为两个(导体板11、12)，与阴极电极20E、20F连接的导体板的个数为3个(导体板21～23)的情形，但是在本发明中，不限于此，电子元件100、101也可以备有与阳极电极10C、10D、120、130连接的n(n为正整数)个导体板、和与阴极电极20E、20F连接的m(m为正整数)个导体板。这时，电子元件100、101备有j(j＝m+n)个电介质层。这是因为如果备有至少1个与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板和与阴极电极20E、20F连接的导体板，则能够发生磁干涉，能够减小有效电感的缘故。
而且，在本发明中，随着流过电子元件100、101的电流增加，增加与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板的个数、和与阴极电极20E、20F连接的导体板的个数。这是因为当与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板和与阴极电极20E、20F连接的导体板由多个导体板构成时，因为使多个导体板在两个阳极电极(10C、10D或120、130)之间或两个阴极电极(20E、20F)之间并联连接，所以如果增加与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板的个数和与阴极电极20E、20F连接的导体板的个数，则能够增加流过电子元件100、101的电流的缘故。
此外，在本发明中，当电子元件100、101的阻抗相对降低时，增加与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板的个数和与阴极电极20E、20F连接的导体板的个数。这是因为如果增加与阳极电极10C、10D、120、130连接的导体板的个数和与阴极电极20E、20F连接的导体板的个数，则能够增加并联连接的电容的个数，电子元件100、101的有效电容增大，阻抗降低的缘故。
进一步，在上述中，说明了导体板11、12与导体板21～23平行地配置的情形，但是在本发明中，不限于此，也可以导体板11、12和导体板21～23的间隔对长度方向DR1变化的方式配置导体板11、12、21～23。
进一步，在上述中，说明了电子元件100、101与CPU110连接的情形，但是在本发明中，不限于此，如果电子元件100、101是在预定频率上工作的电负载电路，则与那种电负载电路连接都可以。
进一步，在上述中，说明了将电子元件100、101用作将CPU110产生的无用高频电流限制在CPU110近旁的噪声滤波器的情形，但是在本发明中，不限于此，电子元件100也可以作为电容使用。电子元件100、101，如上所述，因为包含着并联连接的4个电容器，所以也可以作为电容器使用。
而且，更具体地说，可以将电子元件100、101用于笔记本电脑、CD-RW/DVD装置、游戏机、信息家电、数码相机、汽车电子装备用及汽车用数字设备、MPU周边电路和DC/DC变换器等。
所以，作为电容器可以用于笔记本电脑和CD-RW/DVD装置等中，但是在根据本发明的电子元件100、101中包含着具有在电源90和CPU110之间使用，将CPU110产生的无用高频电流限制在CPU110近旁的噪声滤波器功能的电子元件。
如上所述，如果根据实施方式1，则因为电子元件100备有多个导体板11、12、与多个导体板11、12交互地配置的多个导体板21～23、与多个导体板11、12的一端连接的侧面阳极电极10A和阳极电极10C、与多个导体板11、12的另一端连接的侧面阳极电极10B和阳极电极10D、与多个导体板21～23的一端连接的侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E、和与多个导体板21～23的另一端连接的侧面阴极电极20C、20D和阴极电极20F，所以在导体板11、12中，以阳极电极10C和侧面阳极电极10A→导体板11、12→侧面阳极电极10B和阳极电极10D的顺序流过电流，在导体板21～23中，以阴极电极20F和侧面阴极电极20C、20D→导体板21～23→侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E的顺序流过返回电流。结果，由于由返回电流流过导体板21～23产生的导体板11、12和导体板21～23之间的互感，使导体板11、12的有效电感比导体板11、12的自感小。
此外，因为电子元件101备有多个导体板11、12、与多个导体板11、12交互地配置的多个导体板21～23、与多个导体板11、12的一端连接的阳极电极120、与多个导体板11、12的另一端连接的阳极电极130、与多个导体板21～23的一端连接的侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E、和与多个导体板21～23的另一端连接的侧面阴极电极20C、20D和阴极电极20F，所以在导体板11、12中，以阳极电极120→导体板11、12→阳极电极130的顺序流过电流，在导体板21～23中，以阴极电极20F和侧面阴极电极20C、20D→导体板21～23→侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E的顺序流过返回电流。结果，由于由返回电流流过导体板21～23产生的导体板11、12和导体板21～23之间的互感，使导体板11、12的有效电感比导体板11、12的自感小。
所以，如果根据本发明，则能够通过减少电感，降低阻抗。
图17是表示根据实施方式2的电子元件的结构的概略图。参照图17，根据实施方式2的电子元件200，分别用导体板201、202代替图10所示的电子元件101的导体板21、22，其它与电子元件101相同。
导体板201、202由镍(Ni)构成。而且，将导体板201配置在电介质层1的一个主面上，将导体板202配置在电介质层3的一个主面上。此外，使导体板201、202，在电子元件200的正面100D和里面100E中，与侧面阴极电极20A、20B、20C、20D连接。
图18A～18E是图17所示的电介质层1、2和导体板11、201的平面图和电子元件200的仰视图。图18A表示电介质层1的平面图，图18B表示导体板11的平面图，图18C表示电介质层2的平面图，图18D表示导体板201的平面图，图18E表示电子元件200的仰视图。
电介质层1、2，如上所述，具有长度L1和宽度W1(请参照图18A、18C)。此外，导体板11，如上所述，具有长度L1和宽度W2(请参照图18B)。此外，电介质层3～5具有与电介质层1、2相同的平面形状，导体板12具有与导体板11相同的平面形状。
导体板201具有长度L2和宽度W2。而且，长度L2比长度L1短，宽度W2比宽度W1窄。而且，导体板201具有突出部分201A、201B、201C、201D。突出部分201A、201B配置在相比导体板201长度方向上的中点靠近一端201E侧，突出部分201C、201D配置在相比导体板201长度方向上的中点靠近另一端201F侧。设置突出部分201A、201B、201C、201D的结果，导体板201在突出部分201A、201B的部分和突出部分201C、201D的部分中具有宽度W1。结果，突出部分201A与侧面阴极电极20A连接，突出部分201B与侧面阴极电极20B连接，突出部分201C与侧面阴极电极20C连接，突出部分201D与侧面阴极电极20D连接。此外，图17所示的导体板202也具有与图18D所示的导体板201相同的平面形状。
在电子元件200的底面上，将阳极电极120(带状电极122)配置在电子元件200的一端，将阳极电极130(带状电极132)配置在电子元件200的另一端。而且，将阴极电极20E配置在阳极电极120、130之间相比阳极电极120和130之间的中点靠近阳极电极120侧，将阴极电极20F配置在阳极电极120、130之间相比阳极电极120和阳极电极130之间的中点靠近阳极电极130侧(请参照图18E)。
导体板11、12、201、202和电介质层1～5具有图18所示的平面形状，结果，在电子元件200中，阳极电极120，在电子元件200的侧面100A中与导体板11、12连接，阳极电极130，在与电子元件200的侧面100A对置的侧面100B中与导体板11、12连接，侧面阴极电极20A、20C，在与电子元件200的侧面100A、100B大致垂直的正面100D中，与导体板201、202连接，侧面阴极电极20B、20D，在与电子元件200的侧面100A、100B大致垂直的里面100E中，与导体板201、202连接。
图17所示的电子元件200具有与上述图15和图16所示的阻抗的频率依赖性。所以当电子元件200，作为噪声滤波器使用时，将长度L2和宽度W2的关系设定为L2＞W2，作为电容器使用时，将长度L2和宽度W2的关系设定为W2≥L2。
其它与实施方式1相同。
图19是表示根据实施方式3的电子元件的结构的概略图。参照图19，根据实施方式3的电子元件300，用导体板301、302代替图10所示的电子元件101的导体板11、12，用导体板311、312代替导体板21、22，用阳极电极320代替侧面阳极电极10A和阳极电极10C，用阳极电极330代替侧面阳极电极10B和阳极电极10D，用阴极电极340代替侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E，用阴极电极350代替侧面阴极电极20C、20D和阴极电极20F，其它与电子元件101相同。
将导体板301配置在电介质层2的一个主面上，将导体板302配置在电介质层4的一个主面上。此外，将导体板311配置在电介质层1的一个主面上，将导体板312配置在电介质层3的一个主面上。而且，各个导体板301、302、311、312由镍(Ni)构成。
将阳极电极320配置在电子元件300的侧面100A、底面100C、里面100E和上面100F的一部分上，与导体板301、302的一端连接。更具体地说，阳极电极320由侧面阳极电极321和带状电极322～324构成。而且，将侧面阳极电极321配置在电子元件300的侧面100A中，与导体板301、302的一端连接。将带状电极322配置在电子元件300的底面100C中，将带状电极323配置在电子元件300的里面100E中，将带状电极324配置在电子元件300的上面100F中。
将阳极电极330配置在电子元件300的侧面100B、底面100C、正面100D和上面100F的一部分上，与导体板301、302的另一端连接。更具体地说，阳极电极330由侧面阳极电极331和带状电极332～334构成。而且，将侧面阳极电极331配置在电子元件300的侧面100B中，与导体板301、302的另一端连接。将带状电极332配置在电子元件300的底面100C中，将带状电极333配置在电子元件300的正面100D中，将带状电极334配置在电子元件300的上面100F中。
将阴极电极340配置在电子元件300的侧面100A、底面100C、正面100D和上面100F的一部分上，与导体板311、312的一端连接。更具体地说，阴极电极340由侧面阴极电极341和带状电极342～344构成。而且，将侧面阴极电极341配置在电子元件300的侧面100A中，与导体板311、312的一端连接。将带状电极342配置在电子元件300的底面100C中，将带状电极343配置在电子元件300的正面100D中，将带状电极344配置在电子元件300的上面100F中。
将阴极电极350配置在电子元件300的侧面100B、底面100C、里面100E和上面100F的一部分上，与导体板311、312的另一端连接。更具体地说，阴极电极350由侧面阴极电极351和带状电极352～354构成。而且，将侧面阴极电极351配置在电子元件300的侧面100B中，与导体板311、312的另一端连接。将带状电极352配置在电子元件300的底面100C中，将带状电极353配置在电子元件300的里面100E中，将带状电极354配置在电子元件300的上面100F中。
图20A～20E是图19所示的电介质层1、2和导体板301、311的平面图和电子元件300的仰视图。图20A表示电介质层1的平面图，图20B表示导体板301的平面图，图20C表示电介质层2的平面图，图20D表示导体板311的平面图，图20E表示电子元件300的仰视图。
电介质层1、2，如上所述，具有长度L1和宽度W1(请参照图20A、20C)。此外，电介质层3～5具有与电介质层1、2相同的平面形状和相同的尺寸。
导体板301具有大致长方形的平面形状。而且，导体板301，在长方形的横方向具有长度L2，在长方形的纵方向具有宽度W2。而且，长度L2比长度L1短，宽度W2比宽度W1窄。进一步，导体板301具有两个突出部分301A、301B。两个突出部分301A、301B设置在长方形的两条对角线中，一条对角线的两端部(请参照图20B)。结果，突出部分301A与阳极电极320的侧面阳极电极321连接，突出部分301B与阳极电极330的侧面阳极电极331连接。此外，导体板302具有与导体板301相同的平面形状和相同的尺寸。
导体板311具有大致长方形的平面形状。而且，导体板311，在长方形的横方向具有长度L2，在长方形的纵方向具有宽度W2。进一步，导体板311具有两个突出部分311A、311B。两个突出部分311A、311B设置在长方形的两条对角线中另一条对角线的两端部(请参照图20D)。结果，突出部分311A与阳极电极340的侧面阳极电极341连接，突出部分311B与阳极电极350的侧面阳极电极351连接。此外，导体板312具有与导体板311相同的平面形状和相同的尺寸。
在电子元件300的底面上，将阳极电极320(带状电极322)、阳极电极330(带状电极332)、阴极电极340(带状电极342)和阴极电极350(带状电极352)配置在电子元件300的底面100C的四个角上。而且，将两个阳极电极320、330配置在长方形的两条对角线中一条对角线的两端，将两个阴极电极340、350配置在长方形的两条对角线中另一条对角线的两端(请参照图20E)。
导体板301、302、311、312和电介质层1～5具有图20所示的平面形状，结果，在电子元件300中，阳极电极320在电子元件300的侧面100A中与导体板301、302连接，阳极电极330在与电子元件300的侧面100A对置的侧面100B中与导体板301、302连接，阴极电极340在电子元件300的侧面100A中与导体板311、312连接，阴极电极350在电子元件300的侧面100B中与导体板311、312连接。
图19所示的电子元件300具有上述图15和图16所示的阻抗的频率依赖性。所以当电子元件300，作为噪声滤波器使用时，将长度L2和宽度W2的关系设定为L2＞W2，作为电容使用时，将长度L2和宽度W2的关系设定为W2≥L2。
其它与实施方式1相同。
图21是表示根据实施方式4的电子元件的结构的概略图。参照图21，根据实施方式4的电子元件400，用导体板401、402代替图10所示的电子元件101的导体板11、12，用导体板411、412代替导体板21、22，用阳极电极420代替侧面阳极电极10A和阳极电极10C，用阳极电极430代替侧面阳极电极10B和阳极电极10D，用阴极电极440代替侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E，用阴极电极450代替侧面阴极电极20C、20D和阴极电极20F，其它与电子元件101相同。
将导体板401配置在电介质层2的一个主面上，将导体板402配置在电介质层4的一个主面上。此外，将导体板411配置在电介质层1的一个主面上，将导体板412配置在电介质层3的一个主面上。而且，各个导体板401、402、411、412由镍(Ni)构成。
将阳极电极420配置在电子元件400的正面100D、底面100C和上面100F上，与导体板401、402的一端连接。将阳极电极430配置在电子元件400的正面100D、底面100C和上面100F上，与导体板401、402的另一端连接。
将阴极电极440配置在电子元件400的里面100E、底面100C和上面100F上，与导体板411、412的一端连接。将阴极电极450配置在电子元件400的里面100E、底面100C和上面100F上，与导体板411、412的另一端连接。
图22A～22E是图21所示的电介质层1、2和导体板401、411的平面图和电子元件400的仰视图。图22A表示电介质层1的平面图，图22B表示导体板401的平面图，图22C表示电介质层2的平面图，图22D表示导体板411的平面图，图22E表示电子元件400的仰视图。
电介质层1、2，如上所述，具有长度L1和宽度W1(请参照图22A、22C)。此外，电介质层3～5具有与电介质层1、2相同的平面形状和相同的尺寸。
导体板401具有大致长方形的平面形状。而且，导体板401，在长方形的横方向具有长度L2，在长方形的纵方向具有宽度W2。而且，长度L2比长度L1短，宽度W2比宽度W1窄。进一步，导体板401具有两个突出部分401A、401B。两个突出部分401A、401B沿长方形的横方向的两条边中的一条边进行设置。即，两个突出部分401A、401B沿同一条边进行设置(请参照图22B)。结果，突出部分401A、401B分别与阳极电极420、430连接。此外，导体板402具有与导体板401相同的平面形状和相同的尺寸。
导体板411具有大致长方形的平面形状。而且，导体板411，在长方形的横方向具有长度L2，在长方形的纵方向具有宽度W2。进一步，导体板411具有两个突出部分411A、411B。两个突出部分411A、411B沿长方形的横方向的2条边中的另一条边进行设置。即，两个突出部分411A、411B沿与设置导体板401的两个突出部分401A、401B的边对置的边进行设置(请参照图22D)。结果，突出部分411A、411B分别与阳极电极440、450连接。此外，导体板412具有与导体板411相同的平面形状和相同的尺寸。
在电子元件400的底面上，将阳极电极420、阳极电极430、阴极电极440和阴极电极450配置在电子元件400的底面100C的四个角上。而且，两个阳极电极420、430沿长方形的两条对置的边中的一条边进行配置，两个阴极电极440、450沿长方形的两条对置的边中的另一条边进行配置(请参照图22E)。
导体板401、402、411、412和电介质层1～5具有图22所示的平面形状，结果，在电子元件400中，阳极电极420、430在电子元件400的正面100D中与导体板401、402连接，阳极电极440、450在电子元件400的里面100E中与导体板411、412连接。
图21所示的电子元件400具有上述图15和图16所示的阻抗的频率依赖性。所以当电子元件400，作为噪声滤波器使用时，将长度L2和宽度W2的关系设定为L2＞W2，作为电容器使用时，将长度L2和宽度W2的关系设定为W2≥L2。
其它与实施方式1相同。
图23是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第1变形例的概略图。参照图23，电子元件500备有导线501～503、511、512、阳极电极504、505和阴极电极513、514。
导线501～503大致平行地连接在阳极电极504、505之间。导线511、512大致平行地连接在阴极电极513、514之间。而且，将导线511配置在导线501、502之间，将导线512配置在导线502、503之间。结果，将导线501～503、511、512大致平行地配置在1个平面内。
图24是图23所示的电子元件500的平面图。参照图24，导线501～503具有长度L3，导线511、512具有长度L4。将长度L3，例如，设定为15mm，将长度L4，例如，设定为10mm。
而且，将导线501和导线511之间的间隔设定为d1。例如，将间隔d1设定为数百μm。将导线502和导线502之间的间隔、导线502和导线512之间的间隔和导线503和导线512之间的间隔也设定为d1。
在导线501～503中，直流电流沿箭头506的方向流动，在导线511、512中，直流电流沿箭头507的方向流动。所以，导线501～503，通过导线511或512之间的互感而自感减小，具有比自感小的有效电感。结果，电子元件500的阻抗变小。
图25是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第2变形例的概略图。参照图25，电子元件600备有导线601～603、611～613、阳极电极604、605和阴极电极614、615。
导线601～603大致平行地连接在阳极电极604、605之间。导线611～613大致平行地连接在阴极电极614、615之间。
图26A和图26B是图25所示的电子元件600的侧面图。图26A是从图25所示的A方向看的电子元件600的侧面图，图26B是从图25所示的B方向看的电子元件600的侧面图。此外，在图26B中，省略了阳极电极604、605和阴极电极614、615。
参照图27，各条导线603、613具有长度L3。导线611～613以分别与导线601～603对置的方式进行配置。而且，将导线601～603和导线611～613之间的间隔设定为d2。将间隔d2，例如，设定为数百μm。
将导线601、602之间的间隔设定为d3。而且，将间隔d3，例如，设定为数百μm。也将导线602和导线603之间的间隔、导线611和导线612之间的间隔、及导线612和导线613的间隔设定为d3。
这样，在电子元件600中，将与阳极电极604、605连接的导线601～603配置在与阴极电极614、615连接的导线611～613不同的平面中。
在导线601～603中，直流电流沿箭头606的方向流动，在导线611～613中，直流电流沿箭头607的方向流动。从而，导线601～603，通过与导线611～613之间的互感而自感减小，有效电感变小。结果，电子元件600的阻抗变小。
图27是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第3变形例的概略图。此外，图28A和图28B是图27所示的电子元件的平面图和侧面图。此外，图28A是从图27所示的C方向看的平面图，图28B是从图27所示的B方向看的侧面图。
参照图27和图28A、28B，电子元件700形成在图25所示的电子元件600中，使导线601～603和阳极电极604、605沿与长度L3的方向正交的方向移动的构造。所以当将导线601～603和导线611～613投影到1个平面上时，分别将导线601、602配置在导线611、612之间和导线612、613之间(请参照图28A)。
在电子元件700中，因为流过导线601～603的直流电流与流过导线611～613的直流电流方向相反，将导线601、602平面地分别配置在导线611、612之间和导线612、613之间，所以导线601，由于与导线611、612之间的互感而自感减小，导线602，由于与导线612、613之间的互感而有效电感变得比自感小。
所以，在电子元件700中，能够使有效电感更小，结果，能够使阻抗更小。
图29是表示根据本发明的实施方式的电子元件的第4变形例的概略图。此外，图30是从图29所示的C方向看的电子元件800的平面图。参照图29和图30，电子元件800形成在图25所示的电子元件600中，使导线601～603和阳极电极604、605在与包含导线611～613和阴极电极614、615的平面平行的平面内只旋转预定角度θ(-90度≤θ≤90度)的构造。此外，θ是在令图30的纸面内从导线611～613的左端到右端的方向为0度定义的角度。
在电子元件800中，在导线601～603中，直流电流沿箭头608的方向流动，在导线611～613中，直流电流沿箭头607的方向流动。而且，流过导线601～603的直流电流与流过导线611～613的直流电流形成180-θ的角度。这时，因为将角度180-θ设定在90～270度的范围内，所以以由流过导线601～603的直流电流生成的磁通量，由于流过导线611～613的直流电流生成的磁通量而减少的方式，在导线601～603和导线611～613之间产生磁干涉。
所以，导线601～603，由于与导线611～613之间的互感而有效电感变得比自感小。结果，在电子元件800中，有效电感减小，阻抗减小。
这样，在本发明中，流过导线601～603的直流电流和流过导线611～613的直流电流，当投影到1个平面上时，以由流过导线601～603的直流电流生成的磁通量，由于由流过导线611～613的直流电流生成的磁通量而减少的方式，沿相互交叉的方向流动。
电子元件500、600、700、800，代替电子元件100连接在电源90和CPU110之间加以使用。而且，阳极电极504或604与读出线121连接，阳极电极505或605与读出线123连接，阴极电极513或614与读出线122连接，阴极电极514或615与读出线124连接。此外，阴极电极513、514或614、615与接地电位连接。
通过这样做，在电子元件500、600、700、800中，来自电源90的直流电流，沿从阳极电极504或604到阳极电极505或605的方向流动，来自CPU110的返回电流沿从阴极电极514或615到阴极电极513或614的方向流动。
结果，电子元件500、600、700、800，有效电感降低，因此阻抗降低。而且，电子元件500、600、700、800，使CPU110产生的无用高频电流流过在与CPU110之间形成的电路，将无用高频电流限制在CPU110的近旁。
此外，电子元件500、600、700、800也可以进一步备有覆盖导线501～503、511、512、601～603、611～613的电介质。
此外，电子元件500、600、700、800也可以代替导线501～503、511、512、601～603、611～613而备有平板形状的导体。
图31是表示根据实施方式5的电子电路的结构的概略图。参照图31，根据实施方式5的电子电路1000备有电源90、电子元件100，CPU110、传输线路1120、1130、1140、1150。
电源90包含正极端子91、负极端子92。电子元件100包含阳极电极101、102和阴极电极103、104。CPU110包含正极端子111和负极端子112。
传输线路1120，一端与电源90的正极端子91连接，另一端与电子元件100的阳极电极101连接。传输线路1130，一端与电子元件100的阳极电极102连接，另一端与CPU110的正极端子111连接。
传输线路1140，一端与电源90的负极端子92连接，另一端与电子元件100的阴极电极103连接。传输线路1150，一端与电子元件100的阴极电极104连接，另一端与负极端子112连接。
而且，在电子电路1000中，将电子元件100的导体板11、12、21～23的重复部分20中的长度L2和宽度W2的关系设定为L2＞W2，电子元件100作为噪声滤波器起作用。
电源90，从正极端子91经过传输线路1120将直流电流I供给电子元件100，并且从负极端子92接受从电子元件100经过传输线路1140供给的返回电流Ir。
电子元件100，从阳极电极101接受经过传输线路1120从电源90供给的直流电流I，从阳极电极102经过传输线路1130将该接受的直流电流I供给CPU110。此外，电子元件100，从阴极电极104接受经过传输线路1150从CPU110供给的返回电流Ir，将该接受的返回电流Ir从阴极电极103经过传输线路1140供给电源90。进一步，电子元件100用上述方法将经过传输线路1130、1150从CPU110传输过来的无用高频电流限制在由电子元件100-传输线路1130、1150-CPU110构成的电路中，抑制无用高频电流泄漏到电源90侧。
CPU110，由从电子元件100供给的直流电流I驱动，以预定的频率工作。而且，CPU110经过传输线路1150将返回电流Ir供给电子元件100。
这样，在电子电路1000中，电子元件100将来自电源90的直流电流供给CPU110，并且将在CPU110中发生的无用高频电流限制在由电子元件100-传输线路1130、1150-CPU110构成的电路中，抑制无用高频电流泄漏到电源90侧。
所以，如果根据本发明，则能够抑制无用高频电流泄漏到电源侧。
此外，在实施方式5中，代替电子元件100，也可以用电子元件101、200、300、400、500、600、700、800中的某一个。
图32是表示根据实施方式6的电子电路的结构的概略图。参照图32，根据实施方式6的电子电路1100，在图31所示的电子电路1000中追加电容器160和传输线路1170、1180，其它与电子电路1000相同。
电容器160包含阳极电极161、阴极电极162。在电子电路1100中，传输线路1130，其另一端与电容器160的阳极电极161连接，传输线路1150，其另一端与电容器160的阴极电极162连接。
而且，传输线路170，其一端与电容器160的阳极电极161连接，另一端与CPU110的正极端子111连接。此外，传输线路180，其一端与电容器160的阴极电极162连接，另一端与CPU110的负极端子112连接。
在电子电路1100中，将电子元件100的导体板11、12、21～23的重复部分20中的长度L2和宽度W2的关系设定为L2＞W2，电子元件100作为噪声滤波器起作用。
电源90，从正极端子91经过传输线路1120将直流电流I供给电子元件100，并且从负极端子92接受从电子元件100经过传输线路1140供给的返回电流Ir。
电子元件100，从阳极电极101接受经过传输线路1120从电源90供给的直流电流I，从阳极电极102经过传输线路1130将该接受的直流电流I供给电容器160。此外，电子元件100，从阴极电极104接受经过传输线路1150从电容器160供给的返回电流Ir，将该接受的返回电流Ir从阴极电极103经过传输线路1140供给电源90。进一步，电子元件100用上述方法将经过传输线路1130、1150从电容器160传输过来的无用高频电流限制在由电子元件100-传输线路1130、1150-电容器160-CPU110构成的电路中，抑制无用高频电流泄漏到电源90侧。
电容器160，积蓄从电子元件100经过传输线路1130供给的直流电流，并且将该积蓄的直流电流经过传输线路1170供给CPU110。此外，电容器160将从CPU110经过传输线路1180供给的返回电流Ir经过传输线路1150供给电子元件100。
CPU110，由从电容器160供给的直流电流I驱动，以预定的频率工作。而且，CPU110将返回电流Ir经过传输线路1180供给电容器160。
图33是表示图32所示的电子元件100的使用状态的概念图。参照图32，电子元件100的阳极电极10C与传输线路1120连接，阳极电极10D与传输线路1130连接。此外，电子元件100的阴极电极20E与传输线路1140连接，阴极电极20F与传输线路1150连接。
通过这样做，从电源90的正极端子91输出的直流电流I经过传输线路1120流到电子元件100的阳极电极10C，以侧面阳极电极10A、导体板11、12、侧面阳极电极10B和阳极电极10D的顺序流过电子元件100内。而且，直流电流I从阳极电极10D经过传输线路1130和正极端子161流入到电容器160。
因此，直流电流I积蓄在电容器160中。而且，电容器160将该积蓄的直流电流I供给CPU110。CPU110由来自电容器160的直流电流I驱动，输出与直流电流I相同大小的返回电流Ir。电容器160将来自CPU110的返回电流Ir经过传输线路1150供给电子元件100。
通过这样做，返回电流Ir经过传输线路1150流到电子元件100的阴极电极20F，以侧面阴极电极20C、20D、导体板21～23、侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E的顺序流过电子元件100内。而且，返回电流Ir从阴极电极20E经过传输线路1140和负极端子92流到电源90。
结果，在电子元件100中，因为直流电流I从电源90侧经导体板11、12流到CPU110侧，返回电流Ir从CPU110侧经导体板21～23流到电源90侧，所以电子元件100的有效电感L如上所述地减小。此外，因为电子元件100包含并联的4个电容器，所以电子元件100的有效电容C增大。从而电子元件100的阻抗减小。
而且，CPU110，由从电源90经过电子元件100供给的直流电流I驱动，发生无用高频电流。该无用高频电流，经过传输线路1170、1180泄漏到电容器160和电子元件100中，但是因为电子元件100，如上所述，具有低阻抗，所以无用高频电流流过由电子元件100-传输线路1130、1150-电容器160-传输线路1170、1180-CPU110构成的电路，能够抑制无用高频电流从电子元件100泄漏到电源90侧。
CPU110的工作频率，具有移动到高频侧的倾向，也假定在约1GHz进行工作。在这样高的工作频率的区域中，电子元件100的阻抗主要由有效电感L决定，因为有效电感L如上所述地减小，所以电子元件100将在高的工作频率工作的CPU110产生的无用高频电流限制在CPU110近旁。即电子元件100能够抑制无用高频电流泄漏到电源侧。
图34是表示图32所示的电容器160的结构的立体图。参照图34，在阳极电极161和阴极电极162上追加电容器160，电容器160备有钽烧结体163、电介质氧化覆盖膜164、导电性高分子层165和引出层166。这时，电容器160是2端子(阳极为1个端子，阴极为1个端子)元件，但是也可以考虑3端子(阳极为1个端子，阴极为两个端子)和4端子(阳极为两个端子，阴极为两个端子)的情形。
电介质氧化覆盖膜164覆盖钽烧结体163的表面。导电性高分子层165由多吡咯(Polypyrrole)构成，覆盖着电介质氧化覆盖膜164。引出层166由碳层和银涂料层构成，覆盖着导电性高分子层165。这时，与导电性高分子层165相接地形成碳层，与碳层相接地形成银涂料层。
而且，阳极电极161与钽烧结体163连接，阴极电极113与引出层166连接。钽烧结体163构成电容器的阳极，导电性高分子层165构成电容器的阴极。
此外，将图34所示的构造的电容器称为POSCAP(Polymerized OrganicSemiconductor Capacitors(聚合体化有机半导体电容器))，是将钽烧结体用于阳极，将高导电性的导电性高分子(多吡咯)层用于阴极的芯片型电容器。而且，该电容器，因为钽烧结体是多孔质的，所以电容器160(POSCAP)的电容量很大。
电容器160(POSCAP)，用下列方法制作。首先，在钽烧结体163的表面上形成数百埃的电介质氧化覆盖膜164，此后，在电介质氧化覆盖膜164上重合覆盖多吡咯。因此，形成导电性高分子层165。
接着，在导电性高分子层165(多吡咯层)上设置碳层和银涂料层。此后，通过电阻焊接使阳极电极161与钽烧结体163连接，通过银粘接使阴极电极162与引出层166连接。因此，完成了电容器160的制作。
再次，参照图32，电源90将直流电流I经过传输线路1120供给电子元件100，电子元件100，通过阳极电极101(＝10C)、侧面阳极电极10A，导体板11、12、侧面阳极电极10B和阳极电极102(＝10D)使来自电源90的直流电流I流到传输线路1130，经过传输线路1130将直流电流I供给电容器160。
而且，电容器160，积蓄从电源90经过电子元件100供给的直流电流I，并且经过传输线路1170将该积蓄了的直流电流I供给CPU110。
CPU110，由电容器160供给的直流电流I驱动，以给定的频率工作。而且，CPU110，使直流电流I的返回电流Ir经过传输线路1180流到电容器160。此外，由于CPU110工作产生无用高频电流，该产生了的高频电流经过传输线路1170、1180泄漏到电容器160侧。
电容器160，通过阴极电极162、引出层166和导电性高分子层165使来自CPU110的返回电流Ir流到传输线路1150，经过传输线路1150将返回电流Ir供给电子元件100。
电子元件100，通过阴极电极104(＝20F)、侧面阴极电极20C、20D、导体板21～23、侧面阴极电极20A、20B和阴极电极103(＝20E)使经过传输线路1150从电容器160供给的返回电流Ir流到传输线路1140，经过传输线路1140将返回电流Ir供给电源90。
通过使直流电流I经过电子元件100的导体板11、12从电源90侧流到CPU110侧，使返回电流Ir经过电子元件100的导体板21～23从CPU110侧流到电源90侧，如上所述，导体板11、12的有效电感，由于导体板21～23之间的互感，而变得比导体板21～23的自感小，结果，电子元件100的阻抗降低。
这样一来，通过传输线路1170、1180-电容器160-传输线路1130、1150的路径，从CPU110泄漏的无用高频电流流过电子元件100内，不经过传输线路1120、1140泄漏到电源90侧。即，从CPU110泄漏的无用高频电流流过由电子元件100-传输线路1130、1150-电容器160-传输线路1170、1180-CPU110构成的电路，不经过传输线路1120、1140泄漏到电源90侧。
这样，电子元件100能够将在CPU110中发生的无用高频电流限制在CPU110的近旁。此外，电容器160，因为阳极由多孔质构成，所以具有大的电容量。从而，电容器160，与CPU110的急速起动相应，将直流电流I急速地供给CPU110。
这样，在本发明中，通过使大电容量的电容器160接近CPU110地进行配置，能够实现CPU110的急速起动。
图35是表示根据实施方式6的电子电路的结构的其它概略图。参照图35，电子电路1100A，用电子元件101A代替图32所示的电子电路1100的电子元件100，将电容器160配置在电子元件101A上，其它与电子电路1100相同。
图36是图35所示的电子元件101A和电容器160的剖面图。参照图36，电子元件101A，用导体板11A、12A、13A、21A、22A代替电子元件(请参照图4)的导体板11、12、21～23，追加电介质层6和阴极电极20G、20H，其它与电子电路1100相同。
各个导体板11A、12A、13A、21A、22A，由Ni构成，具有10μm～20μm范围的厚度。而且，各个导体板11A、12A、13A具有与导体板11、12相同的尺寸，各个导体板21A、22A具有与导体板21～23相同的尺寸。电介质层由BaTiO3构成，具有与电介质层1～5相同的尺寸。
导体板11A与电介质层1、2双方相接地进行配置，导体板21A与电介质层2、3双方相接地进行配置。导体板12A与电介质层3、4双方相接地进行配置，导体板22A与电介质层4、5双方相接地进行配置，导体板13A与电介质层5、6双方相接地进行配置。电介质层6与导体板13A相接地进行配置。
侧面阳极电极10A与导体板11A、12A、13A的一端连接，侧面阳极电极10B与导体板11A、12A、13A的另一端连接。
此外，在图36中，虽然没有图示，但是侧面阴极电极20A、20B、20C、20D与导体板21A、22A连接。而且，阴极电极20G、20H分别与侧面阴极电极20A、20C连接。
在电容器160中，从电子元件101A的导电板13A侧依次地配置导电性高分子层165、电介质氧化覆盖膜164、钽烧结体163、电介质氧化覆盖膜164和导电性高分子层165。此外，省略了电容器160的引出层166。而且，导体167、168，当经过引出层166与作为阴极的导电性高分子层165连接，并将电容器160设置在电子元件101A上时，分别配置在电子元件101A的阴极电极20G、20H上。因此，电容器160的阴极(导电性高分子层165)与电子元件101A的阴极电极20E、20F连接。所以导体167、168构成图35所示的传输线路1150。
在电子元件101A中，从电源90供给的直流电流I，以阳极电极10C、侧面阳极电极10A、导体板11A、12A、13A、侧面阳极电极10B和阳极电极10D的顺序流动。即，直流电流I沿箭头105的方向流过导体板11A、12A、13A。
此外，从电容器160供给的返回电流Ir，以阴极电极20F、侧面阴极电极20C、20D、导体板21A、22A、侧面阴极电极20A、20B和阴极电极20E的顺序流动。即，返回电流Ir沿箭头106的方向流过导体板21A、22A。
在电容器160中，从电子元件101A供给的直流电流I沿箭头105的方向流过钽烧结体163(阳极)，从CPU110供给的返回电流Ir沿箭头106的方向流过导电性高分子层165(阴极)。
这样一来，导体板11A、12A的有效电感，受到由流过电子元件101A内的返回电流Ir产生的互感的影响，变得比自感小，导体板13A的有效电感，受到由流过电子元件101A内的导体板22A的返回电流Ir以及流过电容器160的导电性高分子层165(阴极)的返回电流Ir产生的互感的影响，变得比自感小，结果，电子元件101A的阻抗降低。
这样，电子元件101A，由于由流过自己内部的返回电流Ir产生的互感和由流过电容器160的返回电流Ir产生的互感，有效电感变小，结果阻抗降低。
所以，电子元件101A能够使阻抗下降得比电子元件100低。结果，电子元件101A能够将CPU110产生的无用高频电流进一步限制在CPU110近旁。即电子元件101A能够抑制无用高频电流泄漏到电源90侧。
如上所述，在电子电路1100A中，将电容器160配置在电子元件101A上，将导体板13A(流过直流电流I的导体板)配置在最接近电容器160的一侧作为特征。根据这个特征，电子元件101A，如上所述，能够比电子元件100更多地降低阻抗，结果，能够将CPU110产生的无用高频电流进一步限制在CPU近旁。此外，通过将电容器160配置在电子元件101A上，也能够减小在安装基板中所占的面积。
此外，在电容器160中，因为将返回电流Ir流过的导电性高分子层165配置在最接近电子元件101A的一侧，所以在电子元件101A中，将流过直流电流I的导体板13A配置在最接近电容器160的一侧，但是在电容器160中，当将流过直流电流I的电极配置在最接近电子元件101A的一侧时，在电子元件101A中，将流过返回电流Ir的导体板22A配置在最接近电容器160的一侧。
即，在电子电路1100A中，以在电子元件101A中流过最接近电容器160的一侧的直流电流和在电容器160中流过最接近电子元件101A的一侧的直流电流中的某一方是直流电流I，另一方成为返回电流Ir的方式，决定在电子元件101A中，配置在最接近电容器160的一侧的导体板。即，在电子元件101A中，配置在最接近电容器160的一侧的导体板是流过与在电容器160中最接近电子元件101A地流过的电流方向相反的电流的导体板。
此外，在上述中，说明了电介质层1～6全部由相同的电介质材料(BaTiO3)构成的情形，但是，在本发明中，不限于此，电介质1～6也可以相互不同的电介质材料构成，也可以由2类电介质材料构成，一般，可以由1类以上的电介质材料构成。这时，构成电介质层1～6的各电介质材料，最好，具有3000以上的相对介电常数。
而且，作为BaTiO3以外的电介质材料，能够用Ba(Ti，Sn)O3、Bi4Ti3O12、(Ba，Sr，Ca)TiO3、(Ba，Ca)(Zr，Ti)O3、(Ba，Sr，Ca)(Zr，Ti)O3、SrTiO3、CaTiO3、PbTiO3、Pb(Zn，Nb)O3、Pb(Fe，W)O3、Pb(Fe，Nb)O3、Pb(Mg，Nb)O3、Pb(Ni，W)O3、Pb(Mg，W)O3、Pb(Zr，Ti)O3、Pb(Li，Fe，W)O3、Pb6Ge3O11和CaZrO3等。
图37是表示根据实施方式6的电子电路具体情况的立体图。此外，图38是从图37所示的A方向看的电子电路的平面图。进一步，图39是从图37所示的B方向看的电子电路的平面图。进一步，图40是从图37所示的C方向看的电子电路的平面图。进一步，图41是图37所示的直线XXXXI-XXXXI中的电子电路的剖面图。
参照图37和图38，电子电路1200备有电子元件1210、电容器1220、铜板1230和树脂1240。电子元件1210形成与图10所示的电子元件101相同的构成，具有阳极电极1211、1212和阴极电极1213、1214。阳极电极1211、1212与铜板1230连接。而且，将电子元件1210配置在电容器1220上。
电容器1220形成与图34所示的电容器160相同的构成，具有阳极电极1221。而且，阳极电极1221与铜板1230连接。
将电子元件1210的阴极电极1213、1214配置在电子电路1200的正面1200A、底面1200B、里面1200C和上面1200D上。而且，电容器1220的阴极电极(图中未示出)与电子元件1210的阴极电极1214连接。
树脂1240密封电容器1220周围和阴极电极1214的一部分。铜板1230具有“コ”即口字缺一竖形状的剖面形状，覆盖电子元件1210、电容器1220和树脂1240。
铜板1230具有切去部分1231、1232，将阴极电极1213、1214的一部分，与铜板1230的切去部分1231、1232对应地配置在电子元件1210的上面(请参照图39)。
在电子电路1200的底面上，将铜板1230配置在电子电路1200的两端，将阴极电极1213、1214配置在铜板1230的内侧(请参照图40)。
阴极电极1214沿电子元件1210形成，在配置电容器1220的区域中，向电子电路1200的内侧弯曲。而且，阴极电极1214通过该弯曲与电容器1220的阴极电极连接。树脂1240密封电子元件1210和电容器1220的间隙、电容器1220的下侧和阴极电极1214的弯曲部分(请参照图41)。
将电子电路1200配置在电源90和CPU110之间，起着与上述的电子电路1100A相同的作用。这时，电子电路1200的阳极电极1211和阴极电极1213与电源90连接，阳极电极1212、1221和阴极电极1214与CPU110连接。
因此，电子电路1200，将从电源90供给的电源电流积蓄在电容器1220中，将该积蓄的电源电流供给CPU110，并且抑制在CPU110中发生的无用高频电流泄漏到电源90侧。
如上所述，根据实施方式6的电子电路，因为备有配置在电源和电子元件之间的电容器，和配置在电容器和CPU之间、具有低阻抗的电子元件，所以积蓄从电源供给的电源电流，供给CPU，并且将在CPU中发生的无用高频电流限制在由电子元件和CPU构成的电路中。
所以，如果根据本发明，则能够抑制无用高频电流泄漏到电源侧，并且能够急速地起动电负载电路。
此外，在根据实施方式6的电子电路1100中，代替电子元件100，也可以用电子元件101、200、300、400、500、600、700、800中的某一个。
此外，在根据实施方式6的电子电路1200中，代替电子元件101，也可以用电子元件100、200、300、400、500、600、700、800中的某一个。
图42是表示根据实施方式7的电子电路的结构的概略图。参照图42，根据实施方式7的电子电路1300由电子元件1310、1320构成。各个电子元件1310、1320形成与图10所示的电子元件101相同的构成。而且，电子元件1310具有阳极电极1311、1312和阴极电极1313、1314。此外，电子元件1320具有阳极电极1321、1322和阴极电极1323、1324。
在电子元件1310中，导体板11、21和导体板21、22之间的重复部分20的长度L2和宽度W2的关系设定为W2≥L2。此外，在电子元件1320中，导体板11、21和导体板21、22的重复部分20的长度L2和宽度W2的关系设定为L2＞W2。所以电子元件1310作为电容器起作用，电子元件1320作为噪声滤波器起作用。
图43是图42所示的电子元件1310、1320的仰视图。参照图43，将阳极电极1311、1312配置在电子元件1310的长度方向的两端，将阴极电极1313、1314配置在阳极电极1311、1312的内侧。更详细地说，将阴极电极1313，配置在相比两个阳极电极1311、1312之间的中点靠近阳极电极1311侧，将阴极电极1314，配置在相比两个阳极电极1311、1312之间的中点靠近阳极电极1312侧。
此外，将阳极电极1321、1322配置在电子元件1320的长度方向的两端，将阴极电极1323、1324配置在阳极电极1321、1322的内侧。更详细地说，将阴极电极1323配置在相比两个阳极电极1321、1322之间的中点靠近阳极电极1321侧，将阴极电极1324配置在相比两个阳极电极1321、1322之间的中点靠近阳极电极1322侧。
图44是配置了图42所示的电子电路1300的基板的平面图。参照图44，基板1330具有阳极部分1331～1333、接地部分1334～1339和切去部分1340～1344。通过在印刷电路基板上形成的导体中形成切去部分1340～1344，形成阳极部分1331～1333和接地部分1334～1339。
阳极部分1331～1333，分别形成在切去部分1340、1342、1344中。接地部分1336形成在切去部分1340、1341之间，连接两个地(ground)1334、1335。接地部分1337形成在切去部分1341、1342之间，连接两个地1334、1335。接地部分1338形成在切去部分1342、1343之间，连接两个地1334、1335。接地部分1339形成在切去部分1343、1344之间，连接两个地1334、1335。
参照图42到图44，将电子元件1310的阳极电极1311配置在阳极部分1331上，将阳极电极1312配置在阳极部分1332上，将阴极电极1313配置在接地部分1334、1336、1335上，将阴极电极1314配置在接地部分1334、1337、1335上。
此外，将电子元件1320的阳极电极1321配置在阳极部分1332上，将阳极电极1322配置在阳极部分1333上，将阴极电极1323配置在接地部分1334、1338、1335上，将阴极电极1324配置在接地部分1334、1339、1335上。
因此，电子元件1310的阳极电极1312，经过阳极部分1332与电子元件1320的阳极电极1321电连接，电子元件1310的阴极电极1313、1314经过接地部分1334、1335与电子元件1320的阳极电极1323、1324电连接。
而且，电子电路1300，用于电源90和CPU110之间，阳极部分1331侧与电源90连接，阳极部分1333侧与CPU110连接。结果，将作为电容器起作用的电子元件1310配置在电源90侧，将作为噪声滤波器起作用的电子元件1320配置在CPU110侧。
电子电路1300，当从电源90供给电源电流时，由电子元件1310(＝电容器)积蓄电源电流，经过电子元件1320(＝噪声滤波器)将该积蓄的电源电流供给CPU110，并且将在CPU110中发生的无用高频电流限制在由CPU110和电子元件1320(＝噪声滤波器)构成的电路中。
所以，如果根据本发明，则能够抑制无用高频电流泄漏到电源侧，并且能够急速地起动电负载电路。
此外，在根据实施方式7的电子电路1300中，代替电子元件101，也可以用电子元件100、200、300、400、500、600、700、800中的某一个。
图45是表示根据实施方式7的其它电子电路的结构的概略图。根据实施方式7的电子电路也可以是图45所示的电子电路1400。参照图45，电子电路1400由电子元件1410、1420、1430构成。电子元件1410，具有阳极电极1411和阴极电极1412，形成与阳极电极1411连接的导体板(图中未示出)和与阴极电极1412连接的导体板(图中未示出)相互对置的构造。而且，电子元件1410的两个导体板具有长度L5和宽度W5(＜L5)。这样，电子元件1410具有由大致长方形构成的平面形状，作为噪声滤波器起作用。基板1440具有接地部分1441、1443和阳极部分1442。
图46是图45所示的两个电子元件1420、1430的平面图。参照图46，电子元件1420，具有阳极电极1421和阴极电极1422，形成与阳极电极1421连接的导体板(图中未示出)和与阴极电极1422连接的导体板(图中未示出)相互对置的结构。而且，电子元件1420的两个导体板具有长度L6和宽度W6(≥L6)。此外，电子元件1430，具有阳极电极1431和阴极电极1432，形成与阳极电极1431连接的导体板(图中未示出)和与阴极电极1432连接的导体板(图中未示出)相互对置的结构。而且，电子元件1430的两个导体板具有与电子元件1420的两个导体板相同的尺寸。这样，各个电子元件1420、1430具有由大致长方形构成的平面形状，作为电容器起作用。
当将两个电子元件1420、1430配置在基板1440上时，将电子元件1420的阳极电极1421和电子元件1430的阳极电极1431配置在阳极部分1442上，将电子元件1420的阴极电极1422和电子元件1430的阴极电极1432配置在接地部分1443上。而且，在电子元件1420、1430之间，形成空间1450。
将电子元件1410配置在设置在基板1440上的两个电子元件1420、1430上。这时，将电子元件1410的阳极电极1411配置在电子元件1420的阳极电极1421和电子元件1430的阳极电极1431上，将电子元件1410的阴极电极1412配置在电子元件1420的阴极电极1422和电子元件1430的阴极电极1432上。因此，使电子元件1410的阳极电极1411与电子元件1420的阳极电极1421和电子元件1430的阳极电极1431连接，使电子元件1410的阴极电极1412与电子元件1420的阴极电极1422和电子元件1430的阴极电极1432连接。
图47是从图45所示的A方向看的电子电路1400的侧面图。此外，图48是图45所示的电子电路1400的仰视图。将电子元件1410载置在电子元件1430上，使电子元件1410的阳极电极1411与电子元件1430的阳极电极1431连接，使电子元件1410的阴极电极1412与电子元件1430的阴极电极1432连接(请参照图47)。而且，间隔空间1450而配置两个电子元件1420、1430(参照图48)。
电子电路1400，用于电源90和CPU110之间，电子元件1420、1430的阳极电极1421、1431和阴极电极1422、1432与电源90连接，电子元件1410的阳极电极1411和阴极电极1412与CPU110连接。
通过这样做，电子电路1400，当从电源90供给电源电流时，由电子元件1420、1430(＝电容器)积蓄电源电流，经过电子元件1410(＝噪声滤波器)将该积蓄的电源电流供给CPU110，并且将在CPU110中发生的无用高频电流限制在由CPU110和电子元件1410(＝噪声滤波器)构成的电路中。
所以，如果根据本发明，则能够用由2端子构成的电子元件1410和由2端子构成的电子元件1420、1430抑制无用高频电流泄漏到电源侧，并且能够急速地起动电负载电路。
此外，在电子电路1400中，也可以没有电子元件1420、1430中的某一方。设置作为电容器起作用的两个电子元件1420、1430是为了稳定地配置电子元件1410，抑制无用高频电流泄漏到电源侧，将电源电流供给电负载电路的电子电路可以备有电子元件1410和电子元件1420、1430中的某一方。
在本发明中，导体板11、12构成“第1导体”，导体板21～23构成“第2导体”。
此外，导线201～203构成“第1导体”，导线211、212构成“第2导体”。
进一步，导线301～303构成“第1导体”，导线311～313构成“第2导体”。
进一步，CPU110构成“电负载电路”。
进一步，侧面100A构成“第1侧面”，侧面100B构成“第2侧面”，正面100D构成“第3侧面”，里面100E构成“第4侧面”。
进一步，在本发明中，导体板11、12、21～23、201、202、301、302、311、312、401、402、411、412，一般可以由将镍作为主成分的金属材料构成，电介质层1～6，一般可以由将BaTiO3作为主成分的陶瓷材料构成。
进一步，在本发明中，各个导体板11、12、21～23、201、202、301、302、311、312、401、402、411、412与导体层同等。
这次公开的实施方式在所有方面都是例示，不应该认为具有限制性。本发明的范围，不由上述实施方式的说明中而由请求范围来表示，包括与请求范围相同的意义和范围内的全部变更。
权利要求
1.一种电子元件，配置在电源和通过来自上述电源的电流进行工作的电负载电路之间，备有作为用于第1电流从上述电源侧流到上述电负载电路侧的导体的第1导体；和作为用于作为上述第1电流的返回电流的第2电流从上述电负载电路侧流到上述电源侧的导体的第2导体，当上述第1和第2电流分别流过上述第1和第2导体时，上述第1导体具有比自感小的电感。
2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，上述第1导体由各个具有平板形状的n(n为正整数)个第1导体层构成，上述第2导体由各个具有上述平板形状，并且与上述第1导体层对置配置的m(m为正整数)个第2导体层构成；将上述n个第1导体层和上述m个第2导体层交互地层叠在一起。
3.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，还备有配置在上述第1导体层和上述第2导体层之间的电介质层，上述n个第1导体层中的每一个，流过构成电源电流的上述第1电流，由与接地电位连接的两个上述第2导体层夹着。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的电子元件，其特征在于，上述第1电流沿与上述第2电流相反的方向流动。
5.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，在上述第1导体层和上述第2导体层的重叠部分中，当令在与上述第1和第2电流流动的方向垂直的方向中的上述第1和第2导体层的长度为W，在上述第1和第2电流流动的方向中的上述第1和第2导体层的长度为L时，W≥L成立。
6.根据权利要求2到权利要求5中任一项所述的电子元件，其特征在于，还备有在上述第1电流流过上述第1导体层的第1方向中，与上述n个第1导体层的一端电连接的第1电极；在上述第1方向中，与上述n个第1导体层的另一端电连接的第2电极；在上述第2电流流过上述第2导体层的第2方向中，与上述m个第2导体层的一端电连接的第3电极；和在上述第2方向中，与上述m个第2导体层的另一端电连接的第4电极。
7.一种电子元件，具有大致长方体状的外形，备有沿与上述长方体状的底面大致平行的面配置的多个第1导体层；沿与上述长方体状的底面大致平行的面配置的多个第2导体层；每一个配置在上述第1导体层和上述第2导体层之间的多个电介质；与上述多个第1导体层的一端连接的第1电极；与上述多个第1导体层的另一端连接的第2电极；与上述多个第2导体层的一端侧连接的第3电极；和与上述多个第2导体层的另一端侧连接的第4电极。
8.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，上述第1导体层，在从与上述长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与上述第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有比上述第2导体层的尺寸大的尺寸，上述第2导体层，在从与上述长方体的上述底面、上述第1侧面和上述第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与上述第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有比上述第1导体层的尺寸大的尺寸。
9.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，上述第1导体层，在从与上述长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与上述第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有比上述第2导体层的尺寸大的尺寸，在从与上述长方体的上述底面、上述第1侧面和上述第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与上述第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有与上述第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，上述第2导体层具有与上述第3和第4电极连接的突出部分。
10.根据权利要求8或权利要求9所述的电子元件，其特征在于，上述第1电极在上述第1侧面上与上述多个第1导体层连接，上述第2电极在上述第2侧面上与上述多个第1导体层连接，上述第3电极，在上述第3和第4侧面上，在相比上述第1侧面和上述第2侧面之间的中点靠近上述第1侧面侧与上述多个第2导体层连接，上述第4电极，在上述第3和第4侧面上，在相比上述中点靠近上述第2侧面侧与上述多个第2导体层连接。
11.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，上述第1导体层，在从与上述长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与上述第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有与上述第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，在从与上述长方体的上述底面、上述第1侧面和上述第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与上述第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有与上述第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，具有分别向上述第1和第2侧面侧突出的第1和第2突出部分，上述第2导体层具有分别向上述第1和第2侧面侧突出的第3和第4突出部分。
12.根据权利要求11所述的电子元件，其特征在于，上述第1电极，在上述第1侧面上与上述多个第1导体层的上述第1突出部分连接，上述第2电极，在上述第2侧面上与上述多个第1导体层的上述第2突出部分连接，上述第3电极，在上述第1侧面上与上述多个第2导体层的上述第3突出部分连接，和上述第4电极，在上述第2侧面上与上述多个第2导体层的上述第4突出部分连接。
13.根据权利要求12所述的电子元件，其特征在于，上述第1突出部分，在上述第2方向中相比上述第3侧面和上述第4侧面之间的中点靠近上述第3侧面侧配置，上述第2突出部分，在上述第2方向中相比上述中点靠近上述第4侧面侧配置，上述第3突出部分，在上述第2方向中相比上述中点靠近上述第4侧面侧配置，上述第4突出部分，在上述第2方向中相比上述中点靠近上述第3侧面侧配置。
14.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，上述第1导体层，在从与上述长方体的底面大致垂直地配置的第1侧面朝向与上述第1侧面对置的第2侧面的第1方向中，具有与上述第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，在从与上述长方体的上述底面、上述第1侧面和上述第2侧面大致垂直地配置的第3侧面朝向与上述第3侧面对置的第4侧面的第2方向中，具有与上述第2导体层的尺寸大致相同的尺寸，具有分别向上述第3侧面侧突出的第1和第2突出部分，上述第2导体层具有向上述第4侧面侧突出的第3和第4突出部分。
15.根据权利要求14所述的电子元件，其特征在于，上述第1电极在上述第3侧面上与上述多个第1导体层的上述第1突出部分连接，上述第2电极在上述第3侧面上与上述多个第1导体层的上述第2突出部分连接，上述第3电极在上述第4侧面上与上述多个第2导体层的上述第3突出部分连接，上述第4电极在上述第4侧面上与上述多个第2导体层的上述第4突出部分连接。
16.根据权利要求7到权利要求15中任一项所述的电子元件，其特征在于，在上述第1导体层和上述第2导体层之间的重叠部分中，当令在上述第1方向中的上述第1和第2导体层的长度为W，在上述第2方向中的上述第1和第2导体层的长度为L时，W≥L成立。
17.根据权利要求7到权利要求15中任一项所述的电子元件，其特征在于，在上述第1导体层和上述第2导体层的重叠部分中，当令在上述第1方向中的上述第1和第2导体层的长度为W，在上述第2方向中的上述第1和第2导体层的长度为L时，L＞W成立。
18.根据权利要求1到权利要求17中任一项所述的电子元件，其特征在于，上述第1和第2导体层由将镍作为主成分的金属材料构成，上述电介质由将BaTiO3作为主成分的陶瓷材料构成。
19.一种电子电路，其特征在于，在电源和电负载之间备有权利要求1到权利要求18中任一项所述的电子元件，上述多个第1导体层构成从上述电源侧流到上述负载侧的第1电流通路，上述多个第2导体层构成作为上述第1电流的反馈电流的第2电流的通路。
20.一种电子电路，其特征在于，备有与电源连接的电子元件；和连接在上述电子元件和电负载之间的电容器，上述电子元件由根据权利要求6到权利要求18中任一项所述的电子元件构成。
21.根据权利要求20所述的电子电路，其特征在于，上述电子元件的上述第1电极与上述电源的正极连接，上述电子元件的上述第2电极与上述电容器的阳极连接，上述电子元件的上述第3电极与上述电容器的阴极连接，上述电子元件的上述第4电极与上述电源的负极连接，上述电容器的阳极与上述电负载的正极连接，上述电容器的阴极与上述电子元件的负极连接。
22.一种电子电路，其特征在于，备有具有大致长方形的平面形状，与电源连接的第1电子元件；和具有大致长方形的平面形状，与上述第1电子元件和电负载连接的第2电子元件，在上述长方形的横方向中的上述第1电子元件的第1尺寸比在上述长方形的纵方向中的上述第1电子元件的第2尺寸大，在上述长方形的横方向中的上述第2电子元件的第3尺寸比在上述长方形的纵方向中的上述第2电子元件的第4尺寸小。
全文摘要
在层叠了的多个电介质层的主面上分别形成多个导体板。侧面阳极电极与正极的导体板连接，侧面阴极电极与阴极的导体板连接。阳极电极分别与侧面阳极电极连接。阴极电极与侧面阴极电极连接。以正极的导体板的有效电感比自感小的方式，使方向相互相反的直流电流流过正极的导体板和阴极的导体板。结果，能够通过减小电感，减小阻抗。
文档编号H01P1/20GK1925210SQ200610128870
公开日2007年3月7日 申请日期2006年8月31日 优先权日2005年9月2日
发明者二木一也 申请人:三洋电机株式会社