专利名称：有机电致发光器件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。背景技术：
有机电致发光二极管(Organic Light Emission Diode)或有机电致发光器件,简称0LED，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，并且OLED可制作成柔性结构，可进行折叠弯曲，是一种极具潜力的平板显示技术和平面光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是最近十几年相当热门的研究领域。
有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
OLED 一般使用高反射率的金属阴极材料，而高反射率阴极却使得有机电致发光器件作为显示器件时的对比度较低，这样在太阳光下，其显示的内容将无法看清。
发明内容
基于此，有必要提供 一种反射率较低的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，其包括依次层叠的基底、阳极、发光层及阴极，所述阴极包括依次层叠在所属发光层上的第一金属层、介质层、金属氟化物层及第二金属层，所述第一金属层的材料为银、铝、镁、钐或镱，所述第一金属层的厚度为6nm 12nm，所述介质层的材料包括无机透明材料及掺杂在所述无机透明材料中的掺杂金属，所述无机透明材料为金属硫化物或金属硒化物，所述介质层的厚度为40nm 80nm,所述金属氟化物层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠，所述金属氟化物层的厚度为0.5nm Inm,所述第二金属层的材料为铝、银、铝银合金或镁银合金，所述第二金属层的厚度为SOnm 150nm。
在优选的实施例中，所述金属硫化物为硫化锌、硫化锑或硫化镉；所述硒化物为硒化锌；所述掺杂金属为锂、铯、铝或银；所述无机透明材料与所述掺杂金属的质量比为 10: 2 10: 0.2。
在优选的实施例中，所述基底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚碳酸酯。
在优选的实施例中，所述阳极的材料为银、铝或金。
在优选的实施例中，所述有机电致发光器件还包括依次层叠在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层及所述空穴传输层位于所述阳极及所述发光层之间，所述空穴注入层的材料为4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，所述空穴传输层的材料为N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基-联苯_4，4' - 二胺。
在优选的实施例中，所述有机电致发光器件还包括依次层叠在所述发光层上的电子传输层和电子注入层，所述电子传输层及所述电子注入层位于所述发光层及所述阴极之间，所述电子传输层的材料为(8-羟基喹啉)-铝，所述电子注入层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠。
在优选的实施例中，所述发光层的材料包括主体和掺杂客体，所述主体为4， 4! -N，N-二咔唑基-联苯，所述掺杂客体为二(4，6-二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱，所述掺杂客体的质量百分比为6% 10%。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:步骤一、提供基底；步骤二、 在所述基底表面形成阳极；步骤三、在所述阳极表面形成发光层；步骤四、在所述发光层表面形成第一金属层，所述第一金属层的材料为银、铝、镁、钐或镱，所述第一金属层的厚度为 6nm 12nm ;步骤五、在所述第一金属层表面形成介质层，所述介质层的材料包括无机透明材料及掺杂在所述无机透明材料中的掺杂金属，所述无机透明材料为金属硫化物或金属硒化物，所述介质层的厚度为40nm SOnm ;步骤六、在所述介质层表面形成金属氟化物层，所述金属氟化物层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠，所述金属氟化物层的厚度为0.5nm Inm;步骤七、在所述金属氟化物层表面形成第二金属层，所述第二金属层的材料为铝、银、 招银合金或镁银合金，所述第二金属层的厚度为80nm 150nm。
在优选的实施例中，所述金属硫化物为硫化锌、硫化锑或硫化镉；所述硒化物为硒化锌；所述掺杂金属为锂、铯、铝或银；所述无机透明材料与所述掺杂金属的质量比为 10: 2 10: 0.2。
在优选的实施例中，所述基底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚碳酸酯。
上述有机电致发光器件采用四层结构的阴极，第一金属层厚度为6nm 12nm，起到了半透射半反射的作用，金属氟化物层及第二金属层起到反射的作用，介质层的厚度为 40nm 80nm，介质层在分别位于其两侧的第一金属层、金属氟化物层及第二金属层上的反射相位正好相反，可以达到干涉相消的作用，大大的减少了总的反射，从而能降低有机电致发光器件的反射率。
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图3为实施例1、实施例2与对比例I制备的有机电致发光器件的反射光谱的曲线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的基底10、阳极 20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70及阴极80。
基底10为聚合物薄膜。聚合物薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亚胺(PI)、环烯烃共聚物(COC)或聚碳酸酯(PC)。基底10的表面必须经过平整加硬处理，表面硬度达到2H-3H(铅笔硬度)。
阳极20的材料为银(Ag)、铝(Al)或金(Au)，阳极的厚度为18nm 25nm。
空穴注入层30形成于阳极20的第二金属层25表面。空穴注入层30的材料为4， 4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。空穴注入层30的厚度为 30nm 50nmo
空穴传输层40形成于空穴注入层30表面。空穴传输层40的材料为N, N' -二 苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯_4，4' -二胺(NPB)。空穴传输层40的厚度为 40nm 60nmo
发光层50形成于空穴传输层40的表面。发光层50的材料包括主体和掺杂客体， 主体为4，V -N, N- 二咔唑基-联苯(CBP)，掺杂客体为二(4，6- 二氟苯基-N，C2)吡啶甲 酰合铱(FIrPic)。掺杂客体的质量含量为6% 10%。发光层50的厚度为IOnm 30nm。
电子传输层60形成于发光层50的表面。电子传输层60的材料为(8-轻基喹 啉)-招(Alq3)。电子传输层60的厚度为30nm 50nm。
电子注入层70形成于电子传输层60的表面。电子注入层70的材料为氟化锂 (LiF)。电子传输层70的厚度为lnm。
阴极80包括依次层叠的第一金属层81、介质层83、金属氟化物层85及第二金属 层87。第一金属层81的材料为银(Ag)、招(Al)、镁(Mg)、衫(Sm)或镱(Yb)。第一金属层 81的厚度为6nm 12nm。第一金属层81起到半反射半透射的作用。介质层83的材料包 括无机透明材料及掺杂在无机透明材料中的掺杂金属。无机透明材料为金属硫化物或金属 硒化物。本实施方式中，金属硫化物为硫化锌(ZnS)、硫化锑(Sb2S3)或硫化镉(CdS);硒化 物为硒化锌(ZnSe);掺杂金属为锂(Li)、铯(Cs)、铝(Al)或银(Ag);无机透明材料与掺杂 金属的质量比为10: 2 10: 0.2。介质层83的厚度为40nm 80nm。金属氟化物层85 的材料为氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)或氟化钠(NaF)，金属氟化物层85的厚度为0.5nm lnm。金属氟化物层起到电子注入的效果。第二金属层87的材料为铝(Al)、银(Ag)、铝银 (Al-Ag)合金或镁银(Mg-Ag)合金。第二金属层87的厚度为80nm 150nm。金属氟化物 层85和第二金属层87起到反射的作用。
上述有机电致发光器件100采用四层结构的阴极80，第一金属层81厚度为6nm 12nm，起到了半透射半反射的作用，金属氟化物层85及第二金属层87起到反射的作用，介 质层83的厚度为40nm 80nm,介质层83在分别位于其两侧的第一金属层81、金属氟化物 层85及第二金属层87上的反射相位正好相反，可以达到干涉相消的作用，能够降低对环境 的光线反射，降低了有机电致发光器件的反射率，从而能提高使用有机电致发光器件作为 显示器件的对比度。
可以理解，根据有机电致发光器件的性能需求，空穴注入层30、空穴传输层40、电 子传输层60及电子注入层70中的一个或多个可以省略。
请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
步骤S1、提供基底10。
本实施方式中，基底10为聚合物薄膜。聚合物薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二 醇酯(PET)，聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亚胺(PI)、环烯烃共聚物 (COC)或聚碳酸酯(PC)。基底10的表面必须经过平整加硬处理，表面硬度达到2H-3H(铅笔硬度)。基底10在使用前先进行清洗。首先将基底10放在含有洗涤剂的去离子水中进 行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干， 得到洁净的基底。
步骤S2、在基底10表面形成阳极20。
本实施方式中，阳极20在真空镀膜系统中经过蒸镀形成。阳极20的材料为银 (Ag)、招(Al)或金(Au)，阳极的厚度为18nm 25nm。
步骤S3、在阳极20表面形成发光层50。
发光层50由蒸镀形成。发光层50的材料包括主体和掺杂客体，主体为4，V -N, N- 二咔唑基-联苯(CBP)，掺杂客体为二(4，6- 二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrPic)。 掺杂客体的质量含量为6% 10%。发光层50的厚度为20nm。
步骤S4、在发光层50表面形成第一金属层81，第一金属层81的材料为银、铝、镁、 衫或镱，第一金属层的厚度为6nm 12nm。
本实施方式中，第一金属层81由蒸镀形成。
步骤S5、在第一金属层81表面形成介质层83,介质层83的材料包括无机透明材 料及掺杂在所述无机透明材料中的掺杂金属，无机透明材料为金属硫化物或金属硒化物， 介质层83的厚度为40nm 80nm。
本实施方式中，介质层83由蒸镀形成；金属硫化物为硫化锌(ZnS)、硫化铺(Sb2S3) 或硫化镉(CdS);硒化物为硒化锌(ZnSe);掺杂金属为锂(Li)、铯(Cs)、铝(Al)或银(Ag)； 无机透明材料与掺杂金属的质量比为10: 2 10: 0.2。
步骤S6、在介质层83表面形成金属氟化物层85，金属氟化物层的材料为氟化锂、 氟化铯或氟化钠，所述金属氟化物层的厚度为0.5nm lnm。
本实施方式中，金属氟化物层85由蒸镀形成。
步骤S7、在金属氟化物层85表面形成第二金属层87，第二金属层87的材料为铝、 银、铝银合金或镁银合金，第二金属层87的厚度为80nm 150nm。
本实施方式中，第二金属层87由蒸镀形成。
上述有机电致发光器件的制备方法，制备过程较为简单，制备四层结构的阴极80， 能够降低对环境的光线反射，降低了有机电致发光器件的反射率。
在制备上述有机电致发光器件时，可以根据对有机电致发光器件的要求在阳极20 和发光层50之间制备空穴注入层和空穴传输层,在发光层50和第一金属层81之间制备 电子传输层60和电子注入层70。空穴注入层30的材料为4，4'，4"-三(N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。空穴注入层30的厚度为30nm 50nm。空穴传输层 40 的材料为 N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯 _4，4' -二胺(NPB)。空 穴传输层40的厚度为40nm 60nm。电子传输层60的材料为(8-轻基喹啉)-招(Alq3)。 电子传输层60的厚度为30nm 50nm。电子注入层70的材料为氟化锂(LiF)。电子传输 层70的厚度为lnm。
以下为具体实施例。
实施例1
本实施例1的有机电致发光器件结构:PET/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic:CBP/Alq3/ LiF/Ag/Ag:ZnS/CsF/Ag。
该实施例1的有机电致发光器件的制备工艺如下:
将PET薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为18nm的金属Ag作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为30nmm-MTDATA(4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作为空穴注入层，厚度为40nm NPB (N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯-4,4' - 二胺)作为的空穴传输层，厚度为20nm，掺杂比例为8%的 FIrPiciCBP(FIrPic 二 (4，6-二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱，CBP:4,4/ -N, N-二咔唑基-联苯)作为掺杂发光层，厚度为30nm的Alq3((8-轻基喹啉)-招)作为电子传输层。 厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为8nm的Ag作为第一金属层，随后是厚度为 60nm的介质层,介质层采用Ag掺杂的ZnS, ZnS与Ag的比例为10: I,在介质层上是厚度为0.5nm的金属氟化物层,金属氟化物为CsF,金属氟化物层上为厚度为80nm的金属Ag层作为第二金属层。
实施例2
本实施例2的有机电致发光器件结构:PC/Al/m-MTDATA/NPB/FIrPic:CBP/Alq3/ LiF/Al/L1:ZnSe/NaF/Al。
该实施例2的有机电致发光器件的制备工艺如下:
按实施例1的处理方法将PC薄膜清洗完毕后，在PC薄膜表面沉积厚度为20nm的金属Al作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为50nm m-MTDATA(4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作为空穴注入层，厚度为 60nm NPB(N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯 _4，4' -二胺)作为的空穴传输层，厚度为10nm，掺杂比例为6%的FIrPic:CBP(FIrPic:二(4，6_ 二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱，CBP:4,4/ -N, N-二咔唑基-联苯)作为掺杂发光层，厚度为50nm的Alq3((8-羟基喹啉)-铝)作为电子传输层。厚度为Inm的LiF作为电子注入层，然后是厚度为6nm的Al作为第一金属层，随后是厚度为80nm的介质层,介质层采用Li 掺杂的ZnSe，ZnSe与Li的比例为10: 0.2。在介质层上是厚度为Inm的金属氟化物层， 金属氟化物为NaF,金属氟化物层上为厚度为IOOnm的金属Al层作为第二金属层。
实施例3
本实施例3的有机电致发光器件结构:PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic: CBP/Alq3/ LiF/Al/Cs:CdS/CsF/Al-Ag。
该实施例3的有机电致发光器件的制备工艺如下:
按实施例1的处理方法将PEN薄膜清洗完毕后，在PEN薄膜表面沉积厚度为25nm 的金属Ag作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理2分 钟。处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为30nm m-MTDATA(4，4' Λ"-三(Ν_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作为空穴注入层，厚度为40nm NPB(N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，Γ -联苯_4， 4' - 二胺)作为的空穴传输层，厚度为10nm，掺杂比例为10%的FIrPic:CBP (FIrPic:二 (4，6-二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱，CBP:4，V -N，N-二咔唑基-联苯)作为掺杂发光层，厚度为30nm的Alq3((8-羟基喹啉)-铝)作为电子传输层。厚度为Inm的LiF作为电子注入层，然后是厚度为12nm的Sm作为第一金属层，随后是厚度为40nm的介质层，介质层采用Cs掺杂的CdS，CdS与Cs的比例为10: 2。在介质层上是厚度为Inm的金属氟化物 层，金属氟化物为CsF,金属氟化物层上为厚度为150nm的Al-Ag合金层作为第二金属层。
实施例4
本实施例4的有机电致发光器件结构:PES/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic: CBP/Alq3/ CsF/Ag/Cs:ZnS/CsF/Ag。
该实施例4的有机电致发光器件的制备工艺如下:
按实施例1的处理方法将PES薄膜清洗完毕后，在PES薄膜表面沉积厚度为22nm 的金属Ag作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极上依次蒸 镀厚度为30nm m-MTDATA(4，4' Λ"-三(Ν_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作为空穴 注入层，厚度为 40nm ΝΡΒ(Ν，Ν' - 二苯基-Ν，Ν' -二(1-萘基)_1，1'-联苯 _4，4' -二 胺)作为的空穴传输层，厚度为20nm，掺杂比例为8%的FIrPic:CBP(FIrPic:二 (4，6_ 二 氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrPichCBP=If -N，N-二咔唑基-联苯)作为掺杂发光 层，厚度为30nm的Alq3((8-羟基喹啉)-铝)作为电子传输层。厚度为Inm的CsF作为电 子注入层，，然后是厚度为6nm的Yb作为第一金属层，随后是厚度为65nm的介质层，介质层 采用Cs掺杂的ZnS，ZnS与Cs的比例10: 1.5。在介质层上是厚度为Inm的金属氟化物 层，金属氟化物为CsF,金属氟化物层上为厚度为120nm的金属Ag层作为第二金属层。
实施例5
本实施例5的有机电致发光器件结构:PET/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic: CBP/Alq3/ LiF/Al/Al:Sb2S3/CsF/Mg-Ag。
该实施例5的有机电致发光器件的制备工艺如下:
按实施例1的处理方法将PET薄膜清洗完毕后，在PET薄膜表面沉积厚度为20nm 的金属Ag作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极上依次蒸 镀厚度为30nm m-MTDATA(4，4' Λ"-三(Ν_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作为空穴 注入层，厚度为 40nm ΝΡΒ(Ν，Ν' - 二苯基-Ν，Ν' -二(1-萘基)_1，1'-联苯 _4，4' -二 胺)作为的空穴传输层，厚度为20nm，掺杂比例为8%的FIrPic:CBP(FIrPic:二(4，6_ 二 氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrPichCBP=If -N，N-二咔唑基-联苯)作为掺杂发光 层，厚度为30nm的Alq3((8-羟基喹啉)-铝)作为电子传输层。厚度为Inm的LiF作为电 子注入层，然后是厚度为IOnm的Mg作为第一金属层，随后是厚度为45nm的介质层，介质层 采用Al掺杂的Sb2S3, Sb2S3与Al的掺杂比例为10: 0.5。在介质层上是厚度为Inm的金 属氟化物层，金属氟化物为CsF,金属氟化物层上为厚度为IOOnm的Mg-Ag合金层作为第二 金属层。
对比例I
对比实施例1，按照实施例1的制作方法制作器件结构为PET/Ag/m-MTDATA/NPB/ FIrPic:CBP/Alq3/LiF/Ag的有机电致发光器件，该发光器件的阴极采用厚度为IOOnm的 Ag，其他各层材料厚度与实施例1对应的各层厚度相同。
请参阅图3，图3所示为实施例1、实施例2与对比例I制备的有机电致发光器件 的反射光谱的曲线对比。将本发明实施例1 5设计的有机电致发光器件与对比例I设计 的有机电致发光器件进行反射率测试对比，结果如表I所示。从图3和表I中可以看出，采 用本发明设计的阴极的有机电致发光器件，具有较低的反射率，明显低于普通的有机电致发光器件，因此，在用于顶发射显示的时候，可以降低器件对外部物体的反射，显著提高显示对比度。
表I
权利要求
1.一种有机电致发光器件，其包括依次层叠的基底、阳极、发光层及阴极，其特征在于，所述阴极包括依次层叠在所属发光层上的第一金属层、介质层、金属氟化物层及第二金属层，所述第一金属层的材料为银、招、镁、衫或镱，所述第一金属层的厚度为6nm 12nm,所述介质层的材料包括无机透明材料及掺杂在所述无机透明材料中的掺杂金属，所述无机透明材料为金属硫化物或金属硒化物，所述介质层的厚度为40nm 80nm,所述金属氟化物层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠，所述金属氟化物层的厚度为0.5nm lnm，所述第二金属层的材料为铝、银、铝银合金或镁银合金，所述第二金属层的厚度为SOnm 150nm。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属硫化物为硫化锌、硫化锑或硫化镉；所述硒化物为硒化锌；所述掺杂金属为锂、铯、铝或银；所述无机透明材料与所述掺杂金属的质量比为10: 2 10: 0.2。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述基底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚碳酸酯。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材料为银、铝或金。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括依次层叠在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层及所述空穴传输层位于所述阳极及所述发光层之间，所述空穴注入层的材料为4，4,，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，所述空穴传输层的材料为N，N' - 二苯基-N，N' - 二(1-萘基)_1，I'-联苯-4,4' _ 二胺。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括依次层叠在所述发光层上的电子传输层和电子注入层，所述电子传输层及所述电子注入层位于所述发光层及所述阴极之间，所述电子传输层的材料为(8-羟基喹啉)-铝，所述电子注入层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括主体和掺杂客体，所述主体为4，V -N, N- 二咔唑基-联苯，所述掺杂客体为二(4，6- 二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合铱，所述掺杂客体的质量百分比为6% 10%。
8.一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 步骤一、提供基底； 步骤二、在所述基底表面形成阳极； 步骤三、在所述阳极表面形成发光层； 步骤四、在所述发光层表面形成第一金属层，所述第一金属层的材料为银、铝、镁、钐或镱，所述第一金属层的厚度为6nm 12nm ; 步骤五、在所述第一金属层表面形成介质层，所述介质层的材料包括无机透明材料及掺杂在所述无机透明材料中的掺杂金属，所述无机透明材料为金属硫化物或金属硒化物，所述介质层的厚度为40nm 80nm ； 步骤六、在所述介质层表面形成金属氟化物层，所述金属氟化物层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠，所述金属氟化物层的厚度为0.5nm Inm ； 步骤七、在所述金属氟化物层表面形成第二金属层，所述第二金属层的材料为铝、银、招银合金或镁银合金，所述第二金属层的厚度为80nm 150nm。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物为硫化锌、硫化锑或硫化镉；所述硒化物为硒化锌；所述掺杂金属为锂、铯、铝或银；所述无机透明材料与所述掺杂金属的质量比为10: 2 10: 0.2。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述基底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚碳酸酯。
全文摘要
一种有机电致发光器件，其包括依次层叠的基底、阳极、发光层及阴极，所述阴极包括依次层叠在所属发光层上的第一金属层、介质层、金属氟化物层及第二金属层，所述第一金属层的材料为银、铝、镁、钐或镱，所述第一金属层的厚度为6nm～12nm，所述介质层的材料包括无机透明材料及掺杂在所述无机透明材料中的掺杂金属，所述无机透明材料为金属硫化物或金属硒化物，所述介质层的厚度为40nm～80nm，所述金属氟化物层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠，所述金属氟化物层的厚度为0.5nm～1nm，所述第二金属层的材料为铝、银、铝银合金或镁银合金，所述第二金属层的厚度为80nm～150nm。上述有机电致发光器件的反射率较低。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
文档编号H01L51/52GK103137880SQ20111037403
公开日2013年6月5日 申请日期2011年11月22日 优先权日2011年11月22日
发明者周明杰, 王平, 冯小明, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司