专利名称：一种混合结构场效应晶体管及其制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种混合结构场效应晶体管器件及制作方法。
背景技术：
击穿电压、导通电阻与开关速度之间的折中关系给功率半导体器件设置了一个理论极限。随着硅基功率器件的性能逼近与理论的极限，进一步提高功率半导体器件性能的努力就转移到对新材料器件的研究上了。以GaN与SiC为代表的第三代半导体以其宽禁带、高的击穿电场、饱和电子漂移速度和良好的热导率等优越的性能成为下一代功率开关器件的理想替代品。而目前GaN与SiC器件，都存在不同的问题，阻碍了其商业化发展。下面对其分别叙述。
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GaN材料具有较强的极化效应，极化方向上生长的AlGaN/GaN异质结的界面由于极化效应形成1013cm_2左右高浓度和高电子迁移率的二维电子气(2DEG)，使得AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)具有极低的导通电阻，非常适合制作功率开关器件。因此利用具有2DEG的GaN异质结构来制备高性能的常关型功率开关器件，是实现GaN功率开关器件实用化目标的重要课题。GaN功率开关器件从器件结构上来看分为横向导通器件和纵向导通器件。横向导通是目前GaN基HFET器件常用的器件结构，直接利用AlGaN/GaN异质结构2DEG沟道作为器件导通沟道，这样器件的有源区集中在器件外延层表面，器件源极、栅极和漏极都设计在器件的同一平面上。侧向导通GaN电子器件在高电压的工作环境下，由于栅、漏极之间电场相对集中，尤其容易在栅极边缘形成电场集边效应，器件易击穿。纵向导通器件是源极位于异质结势垒层上，漏极位于下电极，利用栅极控制垂直导通的导电通道。纵向导通GaN电子器件电流纵向分布于器件内，电场分布更加均匀，有效提高器件击穿电压。相比侧向导通GaN开关器件，纵向导通GaN开关器件更加适合应用在大功率、高电压的工作环境中。然而目前由于难以制备GaN衬底，GaN材料都是在异质衬底，比如硅、蓝宝石、碳化硅等上外延生长得到，这限制了纵向导通GaN开关器件的制备。在以变流技术为基础的电力电子装置中，控制变流过程的功率开关晶体管都是常关型的(又称增强型)，这一点是保证电力电子回路“失效安全”的基础。实现常关型GaN HFET是目前国际科技界和产业界公认的科技难点。多种实现常关型GaN HFET的方法被提出，具有代表性的包括 M. A. Khan, et al. , “Enhancement and depletionmode GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors, ” AppI. Phys. Lett.,vol. 68, no. 4, pp. 514-516，1996 公开的减薄势鱼层；Μ· Kuroda, Τ. Ueda and Τ.Tanaka, “Nonpolar AlGaN/GaN Metal—Insulator—Semiconductor HeterojunctionField-Effect Transistors With a Normally Off Operation, ” Electron Devices,IEEE Transactions on, vol. 57, pp. 368—372, 2010.公开的非极化面生长；Saito,ff. , Takada, Y. , Kuraguchi, Μ. , Tsuda, K. , Omura, I. , “Recessed-gate structureapproach toward normally off high-Voltage AlGaN/GaN HEMT for power electronicsapplications, ” Electron Devices, IEEE Transactions on. , vol. 53, no. 2, pp.356 - 362，2006 公开的干法刻蚀凹栅；Yong Cai, Yugang Zhou, Lau, K. Μ., Chen, K. J.,“Control of Threshold Voltage of AlGaN/GaN HEMTs by Fluoride-Based PlasmaTreatment: From Depletion Mode to Enhancement Mode, ” Electron Devices, IEEETransactions on. , vol. 53, no. 9, pp. 2207 - 2215, 2006 公开的氟离子处理。而这些方法要么增加了接入区的电阻，要么需要等离子处理，因而对晶格带来不同程度的损伤。中山大学 2011 的论文 Y. Wen, Z. He, J. Li, R. Luo, P. Xiang, Q. Deng, G. Xu, Z.Shen, Z. ffu, B. Zhang, H. Jiang, G. Wang, and Y. Liu, ^Enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors fabricated by selective areagrowth technique, ” Appl. Phys. Lett. , vol. 98, pp. 072108，提出了选择性外延法实现凹栅结构，避免了等离子处理。然而所有这些方法获得的阈值电压都不高，在应用中存在可靠性问题。
SiC材料是应用于高温高压环境的理想半导体材料。相比于GaN，SiC热导率更高。SiC能够通过热氧化法制备氧化层，由于碳原子在氧化层与半导体的界面处堆积，导致态密度高达IO13 Cnr2eV4量级(Si/Si02界面态密度为101° Cnr2eV4量级)，这使得SiC MOS反型沟道却显示出极低的载流子迁移率(I cm2/Vs)，从而增加了沟道电阻。这长期限制着SiC功率器件的发展。众多的企业与科研单位对SiC沟道载流子迁移率进行研究，并提出不同的方法来提高载流子迁移率。Eiichi Okuno和Shinji Amano的论文“Reduction of interface trap density in 4H-SiC MOS by high-temperatureoxidation” (Materials Science Forum, 2002, pp. 389-393)中公开了通过快速氧化可以提出电子迁移率，然而这却带来了器件阈值电压的增加。使用高温NO气氛生长4H-SiC热氧化层(G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, R. K. Chanana, R.A. Weller, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, 0. ff. Holland, Μ. K. Das, and J.ff. Palmour, “Improved inversion channel mobility for 4H_SiC MOSFETs followinghigh temperature anneals in nitric oxide, ” IEEE Electron Device Lett. , vol.22, pp. 176-178, 2001)与沉积氧化层(S. Sridevan and B. Jayant Baliga, “Lateraln-channel inversion mode 4H_SiC MOSFETs, ” IEEE Electron Device Lett. , vol.19，pp. 228-230，1998)都能一定程度提高沟道迁移率，普渡大学的研究人员提出利用多晶硅氧化层做自对准的方法，实现短沟道SiC MOSFET,从而减小器件的沟道电阻(M.Matin, A. Saha and Jr. J. A. Cooper, “A self-aligned process for high-voltage,short-channel vertical DMOSFETs in 4H_SiC, ” Electron Devices, IEEE Transactionson, vol. 51，pp. 1721- 1725，2004)。然而上述方法实现困难，并且不能将反型沟道载流子迁移率提高到理想的程度。减小沟道长度又可以导致P区穿通击穿。
发明内容
本发明的目的在于解决GaN HFET常关型器件与纵向型器件制备的问题，同时解决SiC MOSFET沟道电阻大的问题。本发明一种混合结构场效应晶体管及制作方法，该混合结构场效应晶体管结合了 GaN HFET与SiC MOSFET的优点，同时避开了两者的不足，且具有高正向阈值电压、高沟道电子迁移率、高耐压并且能在高温环境工作。为了实现上述目的，本发明的技术方案为
一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底及由下往上依次设于SiC衬底上的SiC外延层和异质结构层，所述SiC外延层表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域和位于中部的第二区域，异质结构层由下往上依次包括缓冲层、GaN层及AlGaN层，异质结构层在位于第一区域和第二区域上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域上的沟道处覆盖第一金属层，在位于第二区域上的沟道处覆盖第二金属层，在AlGaN层、第一金属层和第二金属层表面上形成介质层，在位于AlGaN层上方的介质层上形成有栅极，在SiC衬底的背部形成漏极。其中第一金属层用于将第一区域与异质结构层的二维电子气沟道进行电气连接；第二金属层用于将第二区域与异质结构层的二维电子气沟道进行电气连接。所述第一金属层为源极。
·表面。所述第一区域为金属材料，第一区域与SiC外延层形成肖特基接触。本发明的混合结构场效应晶体管在正向导通时，电流沿着SiC衬底，SiC外延层，第二区域流入异质结构层，栅极电压大于阈值电压时，AlGaN层与GaN层的界面形成二维电子气沟道，电流继而从金属流入二维电子气沟道，最后到达源极。混合结构场效应晶体管正向阻断时，栅极电压小于阈值电压，漏极施加正电压。第一区域与SiC外延层之间的PN结反偏，耗尽区扩展，将第一区域之间的部分全部耗尽；因此，反偏电压由第一区域与SiC外延层之间的PN结承受。混合结构场效应晶体管反向工作时，该器件具有一个额外的好处，第一区域与SiC外延层之间的PN结可以当着一个续流二极管使用。因而该器件相当于一个功率开关器件与一个功率整流器反并联，而这种连接方式广泛的应用于功率开关电路中。一种混合结构场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤
1)在SiC衬底上生长SiC外延层；
2)在SiC外延层上通过离子注入形成第一区域和第二区域；
3)在SiC外延层上依次生成缓冲层、GaN层和AlGaN层；
4)在位于第一区域和第二区域上异质结构层上刻蚀出沟道；
5)在位于第一区域上的沟道处覆盖第一金属层，在位于第二区域上的沟道处覆盖第二金属层；
6)在AlGaN层、第一金属层和第二金属层表面上沉积介质层；
7)在AlGaN层上方的介质层上制备栅极；
8)在SiC衬底的背部形成漏极。所述步骤4 )的刻蚀方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。所述步骤5)还包括在栅极下方的AlGaN层开设延伸至GaN层的凹槽。其中第一第金属层为源极。本发明又提出一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底及由下往上依次设于SiC衬底上的SiC外延层和异质结构层，所述SiC外延层表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域和位于中部的第二区域，异质结构层由下往上依次包括缓冲层、GaN层及AlGaN层，异质结构层在位于第一区域和第二区域上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域上的沟道处覆盖第一金属层，在位于第二区域上的沟道处覆盖第二金属层，在AlGaN层、第一金属层和第二金属层表面上形成介质层，在位于AlGaN层上方的介质层上形成有栅极,在SiC衬底上形成接触区，接触区上形成漏极。本发明又提出一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底及由下往上依次设于SiC衬底上的SiC外延层和异质结构层，所述SiC外延层表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域和位于中部的第二区域，异质结构层由下往上依次包括缓冲层、GaN层及AlGaN层，异质结构层在位于第一区域和第二区域上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域上的沟道处覆盖第一金属层，在位于第二区域上的沟道处覆盖第二金属层，在AlGaN层上形成有栅极，在SiC衬底的背部形成漏极。在上述的AlGaN层上设有冒层，所述栅极位于冒层上。所述冒层的材料为InN、GaN、AIN、AlGaN、InGaN、InAlN 或 InAlGaN 中任意一种或几种的组合；或铁电材料或极化材料；所述冒层为P型掺杂或者非故意掺杂。·所述栅极为凹栅结构，所述凹栅通过干法刻蚀、湿法刻蚀或选择性外延生长获得。本发明又提出一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底及由下往上依次设于SiC衬底上的SiC外延层和异质结构层，所述SiC外延层表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域和位于中部的第二区域，异质结构层由下往上依次包括缓冲层及GaN层，GaN层上形成有区域；异质结构层在位于第一区域和第二区域上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域上的沟道处覆盖第一金属层，在位于第二区域上的沟道处覆盖第二金属层，在GaN层、第一金属层和第二金属层表面上形成介质层，在位于GaN层上方的介质层上形成有栅极，在SiC衬底的背部形成漏极。相对于现有技术，本发明的有益效果是相比现有的AlGaN/GaN HFET器件，本发明的混合结构场效应晶体管很容易通过控制AlGaN层厚度在调节阈值电压，实现增强型器件。而相比现有的SiC MOSFET器件，本发明的混合结构场效应晶体管通过栅极对AlGaN/GaN异质结界面处二维电子气的控制来实现器件开关，而AlGaN/GaN异质结界面处二维电子气沟道的电子迁移率很高，并且本发明缩短栅长并不会导致SiC MOSFET中体区穿通击穿的问题，从而解决了 SiC MOSFET反型沟道电阻大的问题。本发明结合了现有的AlGaN/GaNHFET器件与SiC MOSFET器件的优势，同时避开了二者的不足。
图I为本发明实施例I的器件结构示意 图2至图8为本发明实施例I的器件制作方法工艺示意 图9为本发明实施例2的器件结构示意 图10至16为本发明实施例2的器件制作方法工艺示意 图17为本发明实施例3的器件结构示意 图18为本发明实施例4的器件结构示意 图19为本发明实施例5的器件结构示意图。图20为本发明实施例6的器件结构示意图。
图21为本发明实施例7的器件结构示意图。图22为本发明实施例8的器件结构示意图。图23为本发明实施例9的器件结构示意图。图24为本发明实施例10的器件结构示意图。图25为本发明实施例11的器件结构示意图。
具体实施例方式以下结合实施例及附图对本发明进行详细的描述。
实施例I
图I为本发明实施例I的结构示意图，图2至图8是实施例I的工艺示意图。如图2，先在SiC衬底I上生长SiC外延层2，SiC外延层2可以包含一层掺杂浓度较高的缓冲层，SiC外延层2的掺杂浓度与厚度根据耐压需要来设定。SiC衬底I的选择，可以与SiC外延层2为同一种导电类型，此时，该发明为单极性器件，类似于功率MOSFET ；也可以与与SiC外延层2为不同导电类型，此时，该发明为双极性器件，类似于IGBT。然后按照图3，在SiC外延层2上通过离子注入形成第一区域3与第二区域4。其中第一区域3位于SiC外延层2两侧，第二区域4位于SiC外延层2中部，第一区域3与SiC外延层2为不同导电类型，形成PN结，该PN结在器件关断状态下承受耐压。第二区域4与SiC外延层2为相同导电类型类型，用于形成欧姆接触。接着按照图4，在SiC上由下往上依次外延生长形成缓冲层5、GaN层6、AlGaN 7形成异质结构层，与欧姆接触进行电气连接。按图5，通过刻蚀，在第一区域3与第二区域4上方刻蚀开凹槽。在本实施例中刻蚀通过干法刻蚀。 如图6，制作欧姆接触金属，其中第一金属层8作为器件的源极，并将第一区域3与异质结构层二维电子气沟道进行电气连接；第二金属层9用于将SiC外延层2与异质结构层二维电子气沟道进行电气连接。根据图7,在AlGaN层7、第一金属层8和第二金属层9表面沉积介质层10。然后沉积栅极材料，作为器件的栅极U。最后按照图8，在SiC衬底I背部制备电极，作为器件的漏极12。实施例2
图3为本发明实施例2的结构示意图，图10至16是实施例2的工艺示意图。如图10，首先在SiC衬底I上由下往上依次生长SiC外延层2、缓冲层5、GaN层6和AlGaN层7,然后沉积一层牺牲层13。衬底的选择,可以与SiC外延层2为同一种导电类型，此时，该发明为单极性器件，类似于功率MOSFET ;也可以与SiC外延层2为不同导电类型，此时，该发明为双极性器件，类似于IGBT。接着按照图11，在缓冲层5、GaN层6和AlGaN层7上刻蚀开凹槽，然后通过离子注入形成第一区域3，其中第一区域3位于SiC外延层2两侧，第一区域3与SiC外延层2为不同导电类型。接着沉积一层第一金属层8。按照图12，去除牺牲层13，同时也就剥离掉AlGaN层7上面的第一金属8。第一金属8作为器件的源极。接着按照图13，在第一金属层8和AlGaN层7上沉积一层牺牲层13，刻蚀至SiC外延层2，注入离子形成第二区域4，第二区域4位于SiC外延层2中部，在牺牲层13上沉
积一层第二金属层9。按照图14，去除牺牲层13，同时也就剥离掉牺牲层13上方的第二金属层9。第二金属层9用于将SiC外延层2与异质结构层二维电子气沟道进行电气连接。接着按照图15，沉积一层介质材料10，然后沉积栅极材料，形成器件的栅极11。最后如图16在SiC衬底I背部制备电极，作为器件的漏极12。实施例3
图17所示为本发明的实施例3，实施例3与实施例I不同之处在于该器件为横向器件。其漏极12位于器件的表面，漏极12与SiC外延层2的接触区14可以与SiC外延层2为同一种导电类型，此时，该发明为单极性器件，类似于功率MOSFET ;也可以与与SiC外延层2为不同导电类型，此时，该发明为双极性器件，类似于IGBT。·实施例4
图18为本发明实施例4的结构示意图，其与实施例I不同之处在于，栅极16与AlGaN层7之间没有介质材料。该实施例中，栅极11为肖特基接触。实施例5
图19为本发明实施例5的结构示意图。该实施例与实施例I的差别在于，栅极11与AlGaN层7之间没有介质材料，而是有一个冒层17。冒层17可以为InN，GaN, AIN, AlGaN,InGaN, InAlN, InAlGaN等任意一种或几种的组合,也可以为铁电材料或极化材料,可以为p型掺杂或者非故意掺杂。实施例6
图20所示为本发明实施例6的结构示意图。与实施例4的差别在于，其栅极11为凹栅结构。凹栅可以通过干法刻蚀、湿法刻蚀或者选择性外延生长获得。实施例7
图21所示为本发明实施例7的结构示意图。与实施例I的差别在于，栅极11下方的AlGaN层7开凹槽至GaN层。开可以通过干法刻蚀、湿法刻蚀或者选择性外延生长获得。实施例8
图22所示为本发明实施例8的结构示意图。与实施例I的差别在于，本实施例没有AlGaN层7，第一金属层8、第二金属层9与GaN层6的欧姆接触通过区域15形成。器件工作时，根据GaN层6的掺杂类型，导电沟道为介质层10与GaN层6界面的电子积累层或者反型层。实施例9
图23所示为本发明实施例9的结构示意图。与实施例8的差别在于，实施例9的介质层10与GaN层6之间有一层AlGaN层7。实施例10
图24所示为本发明实施例10的结构示意图。与实施例2的差别在于，实施例2中的第一区域3为半导体材料，与SiC外延层2形成PN结，而本实施例中第一区域3为金属，与SiC外延层2形成肖特基接触。实施例11
图25所示为本发明实施例11的结构示意图。与实施例9的差别在于，实施例9中，AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触形成于金属与GaN层之间，而本实施例中，A lGaN/GaN异质结构的欧姆接触形成于金属与二次生长的AlGaN层之间。
权利要求
1.一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底(I)及由下往上依次设于SiC衬底(I)上的SiC外延层(2)和异质结构层，其特征在于所述SiC外延层(2)表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域(3)和位于中部的第二区域(4)，异质结构层由下往上依次包括缓冲层(5)、GaN层(6)及AlGaN层(7)，异质结构层在位于第一区域(3)和第二区域(4)上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域(3)上的沟道处覆盖第一金属层(8)，在位于第二区域(4)上的沟道处覆盖第二金属层(9),在AlGaN层(7)、第一金属层(8)和第二金属层(9)表面上形成介质层(10)，在位于AlGaN层(7)上方的介质层(10)上形成有栅极(11 )，在SiC衬底(I)的背部形成漏极(12)。
2.根据权利要求I所述混合结构场效应晶体管，其特征在于所述第一金属层(8)为源极。
3.根据权利要求I所述混合结构场效应晶体管，其特征在于所述栅极(11)下方的AlGaN层(7)开设有延伸至GaN层(6)的凹槽，介质层(10)覆盖露出的GaN层(6)表面。
4.根据权利要求I所述合结构场效应晶体管，其特征在于所述第一区域(3)为金属材料，第一区域(3)与SiC外延层(2)形成肖特基接触。
5.一种权利要求I至4所述混合结构场效应晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤 1)在SiC衬底(I)上生长SiC外延层(2)； 2)在SiC外延层(2)上通过离子注入形成第一区域(3)和第二区域(4)； 3)在SiC外延层(2)上依次生成缓冲层(5)、GaN层(6)和AlGaN层(7)； 4)在位于第一区域(3)和第二区域(4)上异质结构层上刻蚀出沟道； 5)在位于第一区域(3)上的沟道处覆盖第一金属层(8)，在位于第二区域(4)上的沟道处覆盖第二金属层(9); 6)在AlGaN层(7)、第一金属层(8)和第二金属层(9)表面上沉积介质层(10)； 7)在AlGaN层(7)上方的介质层(10)上制备栅极(11)； 8)在SiC衬底(I)的背部形成漏极(12)。
6.根据权利要求5所述混合结构场效应晶体管的制备方法，其特征在于所述步骤4)的刻蚀方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
7.根据权利要求5所述混合结构场效应晶体管的制备方法，其特征在于所述步骤5)还包括在栅极(11)下方的AlGaN层(7)开设延伸至GaN层(6)的凹槽。
8.一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底(I)及由下往上依次设于SiC衬底(I)上的SiC外延层(2)和异质结构层，其特征在于所述SiC外延层(2)表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域(3)和位于中部的第二区域(4)，异质结构层由下往上依次包括缓冲层(5)、GaN层(6)及AlGaN层(7)，异质结构层在位于第一区域(3)和第二区域(4)上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域(3)上的沟道处覆盖第一金属层(8)，在位于第二区域(4)上的沟道处覆盖第二金属层(9),在AlGaN层(7)、第一金属层(8)和第二金属层(9)表面上形成介质层(10)，在位于AlGaN层(7)上方的介质层(10)上形成有栅极(11 )，在SiC衬底(I)上形成接触区(14)，接触区(14)上形成漏极(12)。
9.一种混合结构场效应晶体管,包括SiC衬底(I)及由下往上依次设于SiC衬底(I)上的SiC外延层(2)和异质结构层，其特征在于所述SiC外延层(2)表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域(3)和位于中部的第二区域(4)，异质结构层由下往上依次包括缓冲层(5)、GaN层(6)及AlGaN层(7)，异质结构层在位于第一区域(3)和第二区域(4)上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域(3)上的沟道处覆盖第一金属层(8)，在位于第二区域(4)上的沟道处覆盖第二金属层(9)，在AlGaN层(7)上形成有栅极(11)，在SiC衬底(I)的背部形成漏极(12)。
10.根据权利要求9所述混合结构场效应晶体管，其特征在于所述AlGaN层(7)上设有冒层(17)，所述栅极(11)位于冒层(17)上。
11.根据权利要求10所述混合结构场效应晶体管，其特征在于所述冒层(17)的材料为InN、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN或InAlGaN中任意一种或几种的组合；或铁电材料或极化材料；所述冒层(17)为P型掺杂或者非故意掺杂。
12.根据权利要求10所述混合结构场效应晶体管，其特征在于所述栅极(11)为凹栅结构，所述凹栅通过干法刻蚀、湿法刻蚀或选择性外延生长获得。
13.一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底(I)及由下往上依次设于SiC衬底(I)上的SiC外延层(2)和异质结构层，其特征在于所述SiC外延层(2)表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域(3)和位于中部的第二区域(4)，异质结构层由下往上依次包括缓冲层(5)及GaN层(6)，GaN层(6)上形成有区域(15);异质结构层在位于第一区域(3)和第二区域(4)上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域(3)上的沟道处覆盖第一金属层(8)，在位于第二区域(4)上的沟道处覆盖第二金属层(9)，在GaN层(6)、第一金属层(8)和第二金属层(9)表面上形成介质层(10)，在位于GaN层(6)上方的介质层(10)上形成有栅极(11 )，在SiC衬底(I)的背部形成漏极(12 )。
全文摘要
本发明公开一种混合结构场效应晶体管及其制作方法。该器件利用SiC的承受耐压，利用在SiC外延层上外延生长的异质结构层控制器件开关。本发明避免了传统HFET电流崩塌效应；且该器件能够制作比AlGaN/GaNHFET耐压更高的器件；该器件能够很容易调节阈值电压，实现常关型器件与常关型器件。同时相比SiCMOS沟道，异质结构层界面处二维电子气沟道中，电子迁移率高，沟道电阻小。因此，该器件有效结合了AlGaN/GaNHFET与SiCMOSFET的优点，实现了高性能功率半导体开关器件。
文档编号H01L29/778GK102881721SQ20121041607
公开日2013年1月16日 申请日期2012年10月26日 优先权日2012年10月26日
发明者刘扬, 魏进, 姚尧 申请人:中山大学