专利名称：硅片清洗洗片装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体硅清洗及配件设计领域，特别是一种硅片清洗洗片装置。
背景技术：
在切完晶体后，通常先将带粘晶板的硅片进行喷淋，在喷淋完后，放入超声槽内进行超声，一般在脱胶以后硅片表面还有很大一部分砂浆没有脱胶清洗干净，从而导致硅片制绒后的白斑、白点、暗斑增加返工率。因此在超声时，一般需要用纯水/自来水对带粘晶板的硅片进行超声，去除其表面残留的砂浆。其过程是将带有粘晶板的硅片横置放于超声槽内，为了使带粘晶板的硅片能全部超声到，超声槽里面的纯水/自来水加置在规定水位。由于硅片在粘晶板上，切割时的槽距小，常用的超声槽不能对每片硅片上的砂浆超声干净，通过超声振动把硅片表面的砂浆清洗干净，但是这种超声存在一个缺点，即带粘晶板的硅 片切的槽距比较小，每片硅片表面不能全被纯水/自来水超声到，在超声脱胶清洗后，在后续制绒过程中会有白斑、白点、暗斑增加返工率。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种清洗洗片装置，用以解决硅片在脱胶后还有很多砂浆的问题。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种硅片清洗洗片装置，包括用于清洗硅片的超声槽，所述的超声槽的槽体内侧两边分别安装两根水管，两根水管的下方安装有超声发生器，槽体中心放置带粘晶板的硅片。具体的说，本实用新型所述的两根水管上下平行放置，其中一根水管内放置压缩气体，另一根水管内放置水溶液。所述的压缩气体为惰性气体，如氩气、氮气等。所述的两根水管的内径均为l(Tllmm。本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，该装置结构简单，使用方便，能使带粘晶板的硅片表面都被超声清洗到，同时硅片表面不会有砂浆残留，降低了后续制绒过程中的返工率。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明。图I是本实用新型的优选实施例的结构示意图；图中1、惰性气体水管；2、水溶液水管；3、超声发生器；4、带粘晶板的娃片；5、超声槽。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图I所示的一种硅片清洗洗片装置，包括用于清洗硅片的超声槽5，超声槽的槽体内侧两边分别安装两根水管，两根水管上下平行放置，一根水管内放置惰性气体氩气，为惰性气体水管I ;另一根水管内放置纯水，为水溶液水管2 ;两根水管的内径均为10mm。两根水管的下方安装有超声发生器3，槽体中心放置带粘晶板的硅 片4。在超声时水管打开，保持超声槽里水溢流干净，水温约为20_30°C，即放入带粘晶板的硅片即可。以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式
，各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式
做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
权利要求1.一种硅片清洗洗片装置，其特征在于包括用于清洗硅片的超声槽，所述的超声槽的槽体内侧两边分别安装两根水管，两根水管的下方安装有超声发生器，槽体中心放置带粘晶板的娃片。
2.如权利要求I所述的硅片清洗洗片装置，其特征在于所述的两根水管上下平行放置，其中一根水管内放置压缩气体，另一根水管内放置水溶液。
3.如权利要求2所述的硅片清洗洗片装置，其特征在于所述的压缩气体为惰性气体。
4.如权利要求I所述的硅片清洗洗片装置，其特征在于所述的两根水管的内径均为10 Ilmm0
专利摘要本实用新型涉及一种硅片清洗洗片装置，包括用于清洗硅片的超声槽，所述的超声槽的槽体内侧两边分别安装两根水管，两根水管的下方安装有超声发生器，槽体中心放置带粘晶板的硅片。本实用新型结构简单，使用方便，能使带粘晶板的硅片表面都被超声清洗到，同时硅片表面不会有砂浆残留，降低了后续制绒过程中的返工率。
文档编号H01L21/67GK202667189SQ20122020173
公开日2013年1月16日 申请日期2012年5月7日 优先权日2012年5月7日
发明者肖贵云, 胡如权, 承梦月, 冯春霞 申请人:常州顺风光电材料有限公司