基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置。本发明的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，基板接触并支撑在可拆卸地结合于托板的支撑销上，而支撑销对基板的升温或冷却带来微小的影响，因此基板的升温或冷却所需要的时间较短，从而提高基板处理的生产率。此外，由于基板处于隔离于托板的状态，因此，无需用于从托板隔离基板的其他装置，从而节约了成本。
【专利说明】基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，其通过在基板上设置多个支撑销来支撑基板。
【背景技术】
[0002]基板处理装置应用于平板显示器的生产，并大致分为蒸镀(Vapor D印osition)装置和退火(Annealing)装置。
[0003]蒸镀装置作为形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置， 分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)等方式的化学蒸镀装置和溅射(Sputtering)等方式的物理蒸镀装置。
[0004]退火装置在基板上蒸镀膜以后，提高蒸镀后的膜的特性，是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
[0005]通常，热处理装置分为对一个基板进行热处理的单片式(Single SubstrateType)热处理装置和对多个基板进行热处理的批处理式(Batch Type)热处理装置。虽然单片式热处理装置结构简单，但生产率较低，因此，在大批量的生产中多使用批处理式热处理
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[0006]批处理式热处理装置包括提供热处理空间的腔室，在腔室内必须使用对装载于腔室的多个基板提供支撑的板状的托板。
[0007]但是，由于现有的基板处理装置是基板的下表面直接接触和支撑于托板的上表面，这样，由于所述托板的潜热，提高基板温度或冷却基板需要很长的时间，导致生产率下降。
[0008]此外，需要其他的装置从所述托板隔离出接触于所述托板的所述基板，因此导致成本上升。
【发明内容】
[0009]技术问题
[0010]本发明是为了解决上述的现有技术的问题点而提出的，本发明的目的在于提供一种基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，通过在托板上设置多个支撑销来支撑基板，从而能够提高生产率，同时可节约成本。解决问题的手段
[0011]为了实现上述目的，本发明的基板支撑用的支撑板包括:托板；多个支撑销，可拆卸地结合于所述托板用以支撑基板。
[0012]此外，为了实现上述目的，本发明的基板处理装置包括:本体，提供用于投入基板并进行处理的腔室；多个支架，其设置在所述腔室的内部；基板支撑用的支撑板，其具备:多个托板，上下隔着间隔，并支撑于所述支架；
[0013]多个支撑销，可拆卸地结合于所述托板用以支撑所述基板。[0014]发明效果
[0015]本发明的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，基板接触和支撑在可拆卸地结合于托板的支撑销上，而支撑销对基板的升温或冷却带来微小的影响，因此对基板进行升温或冷却所需要的时间较短，从而提高基板处理的生产率。
[0016]此外，由于基板处于隔离于托板的状态，因此，无需用于从托板隔离基板的其他装置，从而节约成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是本发明一实施例的基板处理装置的概略立体图。
[0018]图2是图1所示的支架和支撑板的立体图。
[0019]图3是图2所示的支撑板的立体图。
[0020]图4是图3的“A-A”线的剖视图。
[0021]图5是本发明的另一实施例的支撑板的立体图。
【具体实施方式】
[0022]以下，参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的多种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定的形状、特征以及特性，在不超过本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。此外，应理解为，每个公开的实施例中的个别的构成要素的位置或设置，可以在不超过本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细的说明并非旨在限定，确定地讲，本发明的范围只限定于所有权利要求中以及其等同范围。为了便于说明，附图所示的实施例的长度、面积以及厚度及形态可能夸大表不。
[0023]以下参考附图来详细说明本发明的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置。
[0024]本实施例的说明中，基板的处理应理解为包括:加热以及冷却基板的工艺；在基板上蒸镀规定的膜的所有工艺；对蒸镀在基板上的规定的膜进行退火、结晶化或相变化的所有热处理工艺。
[0025]图1是本发明的一实施例的基板处理装置的概略立体图，图2是图1所示的支架和支撑板的立体图。
[0026]如图所示，基板处理装置包括大体呈直六面体形状且构成基板处理装置的外观的本体110，并且在本体110的内部形成有投入基板50并进行处理的作为封闭空间的腔室113。本体110的形状不限于直六面体形状，可根据基板50的形状形成为多种形状。
[0027]本体110的前侧形成为开放的状态，并设置有门115，门115用于开闭腔室113。在打开门115开放腔室113的状态下，通过机器臂(未图示)等支撑基板50并将基板50装载至腔室113内部。在关闭门115封闭腔室113的状态下，对基板50进行处理。基板50的材质无特定的限制，可以以如玻璃、塑料、聚合物、硅晶片或不锈钢等材质形成。
[0028]本体110的上侧也可以开放，为此，本体110的上侧设置有端盖17。端盖17在对设置在腔室13内的、处理基板50所需的部件进行维修或更换时开放腔室13。优选为，端盖17的材质由石英构成，但并不限定于此。
[0029]处理基板50所需的部件包括支架120、支撑在支架120上以用于支撑基板50的支撑板130、用于加热基板50的加热器(未图不)、以及用于冷却基板50的冷却管(未图不)
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[0030]支架120包括:底座121，其底面与构成腔室113的本体110的底板接触；支柱123，从底座121的一端垂直延伸；多个支撑肋125，从支柱123的一侧水平延伸，且隔着间隔上下排列。
[0031]支架120由相互面对的一对构成一组，构成一组的支架120的支撑肋125相互面对。
[0032]图2表示由四组支架120构成的状态，连接相邻的支架120的虚拟线构成的形状大致为长方形。即，连接相邻的支架120的虚拟线构成的形状与基板50的形状大致对应。
[0033]支架120的每个支撑肋125上搭载并支撑用于支撑基板50的支撑板130。由于支撑板130设置在腔室113内，因此，优选为，支撑板130由在基板50处理过程中能够耐高温且结构几乎没有变化的石英等构成。支撑于每个支撑肋125上的支撑板130上下排列且平行。
[0034]图1中未说明的附图标记140是支撑基板处理装置的支撑框架。
[0035]参照图1至图4对本发明的一实施例的支撑板130进行说明。图3是图2所示的支撑板的立体图，图4是图3的“A-A”线的剖视图。
[0036]如图所示，支撑板130包括:托板131，形成为矩形板状，其长边侧的下表面被支撑肋125支撑，多个支撑销135，其设置在托板131的上表面以支撑基板50。
[0037]支撑销135的上端支撑基板50，优选为，支撑销135的上端实施倒圆处理，从而与基板50形成点接触。这样,基板50的下表面也与上表面相同地,处于几乎外露的状态,从而能够均匀地处理基板50。
[0038]支撑销135可拆卸地结合于托板131。为此，在托板131上形成有结合孔132，且支撑销135可插拔地结合于结合孔132。如果能从托板131上拆卸支撑销135，就可以在基板处理过程中在基板50因自重下垂的部位集中设置支撑销135。由此能够完全地防止基板50的变形。
[0039]支撑销135具备主体135a、结合突起135b、以及支撑突起135c。
[0040]主体135a的直径大于结合孔132的直径，并且下表面接触于托板131的上表面。结合突起135b从主体135a的下表面向下突出形成，且直径小于主体135a的直径，以插拔于结合孔132。支撑突起135c从主体135a的上表面向上突出形成，并且上端接触和支撑基板50。如上所述，优选为，支撑突起135c的上端实施倒圆处理，从而与基板50形成点接触。
[0041]在主体135a的下方外周面突出形成有环状的支撑凸缘135d。支撑凸缘135d的下表面与托板131的上表面接触以提供支撑，从而使主体135a牢固地直立在托板131上。
[0042]为了防止基板50接触支撑突起135c时因支撑突起135c而被损坏的现象，优选为，包含支撑突起135c在内的支撑销135的硬度小于基板50的硬度。S卩，当基板50由玻璃形成时，支撑销135优选由氮化硼(BN:Boron Nitride)形成。
[0043]图3所示的结合突起135b的截面和结合孔132的形状形成为相互对应的圆形。当结合突起135b的截面形状和结合孔132的形状为圆形时，结合突起135b可以以结合孔132为基准进行旋转。
[0044]图5是本发明的另一实施例的支撑板的立体图，在此只对与图3的不同点进行说明。
[0045]如图所示，支撑销235的结合突起235b的截面形状和形成在托板上的结合孔232a的形状也可以形成为相互对应的椭圆形，支撑销236的结合突起236b的截面形状和结合孔232b的形状也可以形成为相互对应的方形。
[0046]当结合突起235b、236b的截面形状和结合孔232a、232b的形状为椭圆形或方形时，能够防止支撑销235、236以结合孔232a、232b为基准旋转。
[0047]当支撑销237的结合突起237b的截面形状和结合孔232的形状为圆形时，支撑销237的主体237a可以折弯。
[0048]具体地，主体237a的中间部折弯237aa，并且，穿过主体237a的上侧的长度方向中心的虚拟直线LI，与穿过主体237a的下侧的长度方向中心的虚拟直线L2相互平行。这样，由于支撑销237以结合孔232为中心进行旋转，因此，支撑销237无需插拔于结合孔232，可通过旋转支撑销237来简单地支撑基板50下垂的部位。
[0049]根据需要，支撑销237的主体237a的折弯部237aa可以多次折弯。
[0050]本实施例的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，基板50接触并支撑在可拆卸地结合于托板131、231的支撑销135、235、236、237上，而支撑销135、235、236、237对基板50的升温或冷却带来微小的影响，因此基板50的升温或冷却所需要的时间较短，从而提高基板处理的生产率。
[0051]此外，由于基板50处于隔离于托板131、231的状态，因此,无需用于从托板131、231隔离基板50的其他装置，从而节约成本。
[0052]上述的本发明的实施例的附图省略了详细的轮廓线条，以便于理解属于本发明的技术思想的部分。并且，上述的实施例不能限定本发明的技术思想，其仅仅是为了理解包含在本发明权利范围内的技术事项的参考事项。
【权利要求】
1.一种基板支撑用的支撑板，其包括: 托板； 多个支撑销，可拆卸地结合于所述托板用以支撑基板。
2.根据权利要求1所述的基板支撑用的支撑板，其特征在于， 在所述托板上形成有结合孔，所述支撑销可插拔地结合于所述结合孔。
3.根据权利要求2所述的基板支撑用的支撑板，其特征在于，所述支撑销包括: 主体，其一端与所述托板接触； 结合突起，突出形成在所述主体的一端,并插拔于所述结合孔； 支撑突起，突出形成在所述主体的另一端，并接触和支撑所述基板； 支撑凸缘，形成在所述主体的外周面并与所述托板接触，支撑所述主体使所述主体垂直于所述基板。
4.根据权利要求3所述的基板支撑用的支撑板，其特征在于， 所述结合突起的截面形状为圆形、椭圆形以及方形中的任一形状， 所述结合孔的形状与所述结合突起的截面形状对应。
5.根据权利要求3所述的基板支撑用的支撑板，其特征在于， 所述结合突起的截面形状和所述结合孔的形状为相互对应的圆形，从而使所述结合突起能够以所述结合孔为基准进行旋转， 所述主体的中间部折弯， 穿过所述主体的一端的长度方向中心的虚拟直线，与穿过主体的另一端的长度方向中心的虚拟直线相互平行。
6.根据权利要求1所述的基板支撑用的支撑板，其特征在于， 所述支撑销的硬度小于所述基板的硬度。
7.一种基板处理装置，其包括: 本体，提供用于投入基板并进行处理的腔室； 多个支架，其设置在所述腔室的内部； 基板支撑用的支撑板，其具备:多个托板，上下隔着间隔，并支撑于所述支架；多个支撑销，可拆卸地结合于所述托板用以支撑所述基板。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述托板上形成有结合孔，所述支撑销可插拔地结合于所述结合孔。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述支撑销包括: 主体，其一端与所述托板接触； 结合突起，突出形成在所述主体的一端，直径小于所述主体的直径，且插拔于所述结合孔； 支撑突起，突出形成在所述主体的另一端，并接触和支撑所述基板； 支撑凸缘，形成在所述主体的外周面并与所述托板接触，支撑所述主体使所述主体垂直于所述基板。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 所述结合突起的截面形状为圆形、椭圆形以及方形中的任一形状， 所述结合孔的形状与所述结合突起的截面形状对应。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 所述结合突起的截面形状和所述结合孔的形状为相互对应的圆形，从而使所述结合突起能够以所述结合孔为基准进行旋转， 所述主体的中间部折弯， 穿过所述主体的一端的长度方向中心的虚拟直线，与穿过主体的另一端的长度方向中心的虚拟直线相互平行。
12.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 所述支撑销的硬度小于所述基板的硬度。
【文档编号】H01L21/683GK103493195SQ201280020720
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年4月30日 优先权日:2011年4月29日
【发明者】许官善, 朴珠泳, 赵炳镐 申请人:泰拉半导体株式会社