一种功率管的封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种功率管的封装结构，包括晶片，在所述的晶片上面设置有一个引脚，下面并排设置有两个引脚，还包括金属外壳，所述的金属外壳从上向下罩在所述的晶片上面，在晶片上面的引脚处采用焊锡将晶片与所述的金属外壳内侧焊接，在所述的晶片下面的两个引脚处各设置有一块焊锡，形成功率管的栅极和源极，所述的金属外壳的下沿与所述的晶片下面略低形成功率管的漏极。本实用新型提供了一种适合于贴片的功率管，且源、漏、栅三极都采用焊锡容易维修。
【专利说明】 一种功率管的封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体元器件封装领域，特别涉及一种半导体功率管的封装结构。
【背景技术】
[0002]功率管也称场效应管，有时也称MOS管，包括有三个引脚，分别是源极、漏极和栅极。目前，一般的场效应管采用直排式的封装，如图1所示，具有一个晶片，该晶片上面有一个引脚、该引脚是漏极，在晶片下面有两个引脚分别是源极和栅极，如图1所示，目前的封装是采用树脂02将晶片3包裹，晶片上的三个引脚分别通过导线与插入到树脂02 —侧的三个引脚04、05、06连接形成场效应管的栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极形成一种直排式的封装结构，这样的结构具有如下不足:
[0003]需要使用较多的树脂，增加了封装成本；
[0004]在树脂中间采用导线与引脚连接，当导线断了以后维修困难；
[0005]这样的直排式结构不适合于采用机械化贴片加工。
实用新型内容
[0006]本实用新型的目的是为了克服目前功率器件目前封装结构不利于散热的不足，提供一种功率器件的封装结构。
[0007]本实用新型的技术方案是:一种功率管的封装结构，包括晶片，在所述的晶片上面设置有一个引脚，下面并排设置有两个引脚，还包括金属外壳，所述的金属外壳从上向下罩在所述的晶片上面，在晶片上面的引脚处采用焊锡将晶片与所述的金属外壳内侧焊接，在所述的晶片下面的两个引脚处各设置有一块焊锡，形成功率管的栅极和源极，所述的金属外壳的下沿与所述的晶片下面略低形成功率管的漏极。
[0008]进一步的，上述的功率管的封装结构中:在所述的功率管的栅极和源极与漏极下沿持平。
[0009]进一步的，上述的功率管的封装结构中:在所述的金属外壳的下沿设置至少一个凸起，所述的凸起与功率管的栅极和源极下沿持平。
[0010]进一步的，上述的功率管的封装结构中:在所述的金属外壳的下沿设置一个凸起，所述的凸起与所述的功率管的栅极和源极在一条直线上。
[0011]进一步的，上述的功率管的封装结构中:在所述的金属外壳的下沿设置一个凸起，所述的凸起与所述的功率管的栅极和源极形成一个三角形的三个顶点。
[0012]进一步的，上述的功率管的封装结构中:所述的金属外壳仰视图形为圆形。
[0013]本实用新型提供了一种适合于贴片的功率管，且源、漏、栅三极都采用焊锡容易维修。
[0014]下面结合具体实施例对本实用新型作较为详细的描述。【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为现有技术中的功率管的封装结构示意图。
[0016]图2为本实用新型实施例1截面图。
[0017]图3为本实用新型实施例1仰视图。
[0018]图4为本实用新型实施例2仰视图。
[0019]图5为本实用新型实施例3仰视图。
【具体实施方式】
[0020]实施例1，如图2、图3所示，本实施例是一种适合于贴片用的场效应管的封装结构，与目前的所有功率管的封装结构不同的是，本实施例是采用金属外壳I和焊锡6将晶片3固定，特别是采用焊锡6在晶片3上面引脚处将晶片3与外壳3焊接的，使金属外壳I成为场效应管的漏极，另外在晶片3下侧的两个引脚处滴上几滴焊锡形成场效应管的源极4和栅极5。作为场效应管的漏极，金属外壳3可以有好几种形式，只要源极4和栅极5以及漏极三个电极的下沿持平，也就是源极4和栅极5以及漏极三个电极的下沿处于一个水平面上，不论金属外壳I下沿是什么形状，是一个平的还是在上面设置一个或者多个凸起2，如图4所示，凸起2就是一个漏极，只凸起2的下沿与源极4和栅极5的下沿处于一个水平面上，就适合于贴片使用。凸起2的下沿与源极4和栅极5的下沿可以是一条直线，如图3所示，也可以与源极4和栅极5成为一个三角形的三个顶点，如果形成一个三角形更有利于生产，这样不必要对这三个点是否在一个水平面进行精确的调节。外壳的形状可以有多样如矩形，如图2、3、4所示，也可以是圆形如图5所示。
【权利要求】
1.一种功率管的封装结构，包括晶片，在所述的晶片上面设置有一个引脚，下面并排设置有两个引脚，其特征在于:还包括金属外壳(1)，所述的金属外壳(I)从上向下罩在所述的晶片(3)上面，在晶片(3)上面的引脚处采用焊锡(6)将晶片与所述的金属外壳(I)内侧焊接，在所述的晶片(3)下面的两个引脚处各设置有一块焊锡，形成功率管的栅极(4)和源极(5)，所述的金属外壳(I)的下沿与所述的晶片(3)下面略低形成功率管的漏极。
2.根据权利要求1所述的功率管的封装结构，其特征在于:在所述的功率管的栅极(4)和源极(5)、漏极下沿持平。
3.根据权利要求1所述的功率管的封装结构，其特征在于:在所述的金属外壳(I)的下沿设置至少一个凸起(2)，所述的凸起(2)与功率管的栅极(4)和源极(5)下沿持平。
4.根据权利要求3所述的功率管的封装结构，其特征在于:在所述的金属外壳(I)的下沿设置一个凸起(2)，所述的凸起(2)与所述的功率管的栅极(4)和源极(5)在一条直线上。
5.根据权利要求3所述的功率管的封装结构，其特征在于:在所述的金属外壳(I)的下沿设置一个凸起(2)，所述的凸起(2)与所述的功率管的栅极(4)和源极(5)形成一个三角形的三个顶点。
6.根据权利要求1至5任一所述的功率管的封装结构,其特征在于:所述的金属外壳(I)仰视图形为圆形。
【文档编号】H01L29/423GK203589002SQ201320631997
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月14日 优先权日:2013年10月14日
【发明者】汤为 申请人:汤为