技术总结
描述了自对准栅极边缘和局部互连结构以及制造自对准栅极边缘和局部互连结构的方法。在示例中，一种半导体结构，包括半导体鳍部，所述半导体鳍部被布置在衬底之上，并且在第一方向上具有一长度。栅极结构被布置在半导体鳍部之上，所述栅极结构具有在第二方向上相对的第一端部和第二端部。栅极边缘隔离结构对以半导体鳍部为中心。栅极边缘隔离结构对中的第一栅极边缘隔离结构被布置为与栅极结构的第一端部直接相邻，栅极边缘隔离结构对中的第二栅极边缘隔离结构被布置为与栅极结构的第二端部直接相邻。
技术研发人员：M·C·韦布;M·博尔;T·加尼;S·S·廖
受保护的技术使用者：英特尔公司
文档号码：201380081048
技术研发日：2013.12.19
技术公布日：2017.02.15