薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及薄膜制备【技术领域】，公开了一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板。对于附着力不好的第一金属A薄膜，所述制备方法在形成第一金属A薄膜之前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属，易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。
【专利说明】薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板
【技术领域】
[0001] 本发明涉及薄膜制备【技术领域】，特别是涉及一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵 列基板。
【背景技术】
[0002] 在显示领域里，随着大尺寸及高驱动频率产品的日益普及，低电阻的铜（Cu)配线 技术已经愈来愈受关注。但是Cu薄膜存在和玻璃、半导体层的接触附着力差的问题，因此， 在制作Cu配线之前需要采用与玻璃、半导体层接触好的金属层作为缓冲层。
[0003] 各个面板厂商进行了 Cu技术开发，初期使用Ti或者MoTi作为缓冲材料。随着对 Cu材料研究的深入，Mo及MoW、MoTa等钥合金材料被开发并应用到了 Cu配线的制造中，但 是这两代缓冲层都有一个共同的问题，就是在Cu薄膜的刻蚀工艺中，因为Cu和Mo合金的 腐蚀电位不同，刻蚀容易产生倒角或者残留等问题。
【发明内容】
[0004] 本发明提供一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板，针对附着力不好的金属 薄膜（尤其是金属铜薄膜），提供性能良好的缓冲层。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜 的步骤，在形成所述第一金属A薄膜的步骤之前还包括：
[0006] 形成AB0X薄膜的步骤，所述AB0X薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；
[0007] 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A 和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
[0008] 如上所述的制备方法，优选的是，所述第二金属B为钙或镁。
[0009] 如上所述的制备方法，优选的是，所述第一金属A和第二金属B的合金中，所述第 二金属B的摩尔含量为1 %?10 %。
[0010] 如上所述的制备方法，优选的是，所述第一金属A为铜。
[0011] 如上所述的制备方法，优选的是，所述含氧气体包括氧气和氩气，其中，氧气和氩 气的体积流量比为1:30?1:3。
[0012] 如上所述的制备方法，优选的是，在80°C?250°C的温度条件下，进行第一金属A 和第二金属B的合金的成膜工艺。
[0013] 本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括制备第一金属A薄膜的步骤，在制 备第一金属A薄膜的步骤之前还包括：
[0014] 形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；
[0015] 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A 和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
[0016] 如上所述的制备方法，优选的是，包括制备薄膜晶体管的步骤；
[0017] 所述第一金属A薄膜包括形成栅电极的栅金属薄膜，以及形成源电极和漏电极的 源漏金属薄膜。
[0018] 本发明还提供一种阵列基板，包括第一金属A薄膜的图案，还包括与所述第一金 属A薄膜图案位置对应、且接触设置的ABOx薄膜的图案；
[0019] 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，所述ABOx薄膜位 于所述第一金属A薄膜与衬底基板之间，或者位于所述第一金属A薄膜与半导体层之间。
[0020] 如上所述的阵列基板，优选的是，所述第二金属B为钙或镁。
[0021] 如上所述的阵列基板，优选的是，所述第一金属A为铜。
[0022] 如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板包括薄膜晶体管；
[0023] 所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；
[0024] 所述栅电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物 层；
[0025] 所述源电极和漏电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合 金氧化物层。
[0026] 本发明的上述技术方案的有益效果如下：
[0027] 上述技术方案中，对于附着力不好的第一金属A薄膜，在形成第一金属A薄膜之 前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工 艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属， 易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A 的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀 电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0028] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。
[0029] 图1表示本发明实施例中制备金属薄膜的流程图；
[0030] 图2a表示直接沉积形成的钙铜合金薄膜的截面图；
[0031] 图2b表示采用本发明实施例中的制备方法制得的钙铜合金氧化物薄膜的截面 图；
[0032] 图3表示本发明实施例中阵列基板的局部结构示意图。
【具体实施方式】
[0033] 下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实 施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0034] 实施例一
[0035] 如图1所示，本发明提供一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤21。 其中，第一金属A为附着力较差的金属，如：金属铜Cu。特别的，在阵列基板上，对于由第一 金属A形成的配线，如：栅线、数据线、栅电极、源电极和漏电极，存在与衬底基板和半导体 层的接触附着力差的问题。
[0036] 为了解决上述技术问题，本发明在形成所述第一金属A薄膜的步骤21之前还包 括：
[0037] 形成ABOx薄膜的步骤20,所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置。其中， B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A和第二金属B 的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
[0038] 其中，成膜工艺可以为沉积、涂覆、印刷等工艺。
[0039] 具体的，在阵列基板中，ABOx薄膜位于第一金属A薄膜和衬底基板之间，以及第一 金属A薄膜和半导体层之间。
[0040] 上述技术方案中，由于ABOx薄膜的结构致密，具有较好的附着力，大幅度提升了 第一金属A的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx 薄膜的腐蚀电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等 问题。
[0041] 优选地，第二金属B为钙或镁，相对于第二周期的铍，活性较低，能够提供性能稳 定的第一金属A和第二金属B的合金。
[0042] 在第一金属A和第二金属B的合金中，由于第二金属B为活性金属，其含量不能太 高，否则会影响合金的稳定性。一般第二金属B的摩尔含量为1 %?10 %，最好地，第二金 属B的摩尔含量为1 %?3 %。
[0043] 进一步地，为了形成合金氧化物，采用的含氧气体可以为包括氧气、水蒸气或二氧 化碳的气体。氧化的温度条件为80°C?250°C。具体的，在80°C?250°C的温度条件下，进 行第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺，并在成膜工艺中通入含氧的气体。
[0044] 本实施例中，含氧气体的主要气体可以为氧气和氩气，并保证一定的含氧量，因为 含氧量太高的话，可能会造成合金的过分氧化。其中，氧气和氩气的体积流量比为1:30? 1:3。这里并不限定含氧气体掺杂的只能为氩气，也可以为其它非氧化气体或惰性气体。
[0045] 在一个具体的实施方式中，第一金属A为铜，第二金属B为|丐。当直接沉积CuCa 合金时，形成的薄膜的截面如图2a所示。而采用本发明实施例中的制备方法形成CuCa合 金氧化物薄膜时，即在80°C?250°C的温度条件下，沉积CuCa合金，并通入含氧气体，形成 CuCa合金氧化物薄膜，形成的薄膜的截面如图2b所示。明显地，本发明实施例中的制备方 法制得的CuCa合金氧化物薄膜的结构致密，附着力较好。
[0046] 实施例二
[0047] 本发明还提供一种阵列基板的制备方法，由于阵列基板上包括第一金属A配线， 使得所述制备方法包括制备第一金属A薄膜的步骤，然后再对第一金属A薄膜进行构图工 艺，形成所需的金属配线。对于薄膜晶体管阵列基板，所述第一金属A配线包括栅线、数据 线、栅电极、源电极和漏电极。
[0048] 在形成第一金属A薄膜的步骤之前，还包括形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜 与所述第一金属A薄膜接触设置，其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属， 〇为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述 ABOx薄膜。由于第一金属A的合金氧化物的结构致密，具有较好的附着力，大幅度提升了金 属的附着力。同时，由于第一金属A薄膜和第一金属A的合金氧化物薄膜的腐蚀电位相同， 从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。
[0049] 具体的，对于薄膜晶体管阵列基板，所述第一金属A薄膜包括形成栅电极和栅线 的栅金属薄膜，以及形成数据线、源电极和漏电极的源漏金属薄膜，并在形成栅金属薄膜之 前形成栅金属的合金氧化物薄膜，在形成源漏金属薄膜之前形成源漏金属的合金氧化物薄 膜。其中，栅金属和源漏金属通常为低电阻的金属铜Cu。
[0050] 结合图3所示，以底栅型薄膜晶体管阵列基板为例，制备栅线和栅电极的步骤具 体包括：
[0051] 步骤50、在衬底基板100上沉积Cu的合金薄膜，并在沉积过程中，通入含氧的气 体，形成Cu的合金氧化物薄膜；
[0052] 步骤51、在完成步骤50的衬底基板100上形成Cu薄膜；
[0053] 步骤52、在完成步骤51的衬底基板100上形成光刻胶，并对光刻胶进行曝光，形成 光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅电极和栅线所在的 区域，光刻胶不保留区域对应于其他区域。刻蚀掉光刻胶不保留区域的Cu薄膜和Cu的合 金氧化物薄膜，形成栅线和栅电极的图案。剥离剩余的光刻胶，形成栅线（图中未示出）和 栅电极1。其中，栅电极1包括铜金属层11和铜的合金氧化物层12。
[0054] 在形成栅线和栅电极1后，还包括：
[0055] 步骤53、在完成步骤52的衬底基板100上形成栅绝缘层101 (二氧化硅、氮化硅或 氮氧化硅等绝缘层），并在栅绝缘层101上形成与栅电极1位置对应的半导体层图案2 ;
[0056] 制备数据线、源电极和漏电极的步骤具体包括：
[0057] 步骤54、在完成步骤53的衬底基板100上沉积Cu的合金薄膜，并在沉积过程中， 通入含氧的气体，形成Cu的合金氧化物薄膜；
[0058] 步骤55、在完成步骤54的衬底基板100上形成Cu薄膜；
[0059] 步骤56、在完成步骤55的衬底基板100上形成光刻胶，并对光刻胶进行曝光，形成 光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于数据线、源电极和漏电 极所在的区域，光刻胶不保留区域对应于其他区域。刻蚀掉光刻胶不保留区域的Cu薄膜和 Cu的合金氧化物薄膜，形成数据线、源电极和漏电极的图案。剥离剩余的光刻胶，形成数据 线（图中未示出）、源电极3和漏电极4。其中，源电极3包括铜金属层31和铜的合金氧化 物层32。漏电极4包括铜金属层41和铜的合金氧化物层42。
[0060] 至此完成底栅型薄膜晶体管的制作。
[0061] 然后，在完成步骤56的衬底基板100上形成钝化层102 (二氧化硅、氮化硅或氮氧 化娃等绝缘层）。
[0062] 最后，在钝化层102上形成像素电极5,且像素电极5通过钝化层过孔与漏电极4 接触，电性连接。
[0063] 本实施例中，第二金属B优选为钙或镁，相对于第二周期的铍，活性较低，能够提 供性能稳定的第一金属A和第二金属B的合金。则栅电极1包括铜金属层11和|丐铜合金 氧化物层12,或，铜金属层11和镁铜合金氧化物层12。源电极3包括铜金属层31和钙铜 合金氧化物层32,或，铜金属层31和镁铜合金氧化物层32。漏电极4包括铜金属层41和 钙铜合金氧化物层42,或，铜金属层41和镁铜合金氧化物层42。
[0064] 实施例三
[0065] 本发明还提供一种阵列基板，包括第一金属A薄膜的图案，还包括与所述第一金 属A薄膜图案位置对应、且接触设置的ABOx薄膜的图案，其中，B为第二主族的第二周期至 第四周期的第二金属，〇为氧，所述ABOx薄膜位于所述第一金属A薄膜与衬底基板之间，或 者位于所述第一金属A薄膜与半导体层之间。
[0066] 由于ABOx的结构致密，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A的附着力。同 时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀电位相同，从而 在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。
[0067] 具体的，第二金属B为钙或镁，相对于第二周期的铍，活性较低，能够提供性能稳 定的第一金属A和第二金属B的合金。
[0068] 其中，第一金属A薄膜用于阵列基板的配线。对于薄膜晶体管阵列基板，所述配线 包括栅线、数据线、栅电极、源电极和漏电极。现有技术中，为了降低传输电阻，第一金属A 通常为低电阻的铜Cu。
[0069] 在一个具体的实施方式中，薄膜晶体管阵列基板的栅电极和栅线包括铜金属层和 钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层。数据线、源电极和漏电极包括铜金 属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层。
[0070] 对于底栅型薄膜晶体管阵列基板，其具体包括：
[0071] 衬底基板100,为透明基板，如：玻璃基板、石英基板或有机树脂基板；
[0072] 形成在衬底基板100上的栅电极1和栅线（图中未示出），其中，栅电极1包括铜 金属层11和钙铜合金氧化物层12,或，铜金属层11和镁铜合金氧化物层12。栅线也包括 铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层；
[0073] 形成在栅电极1和栅线上的栅绝缘层101 ;
[0074] 形成在栅绝缘层101上的半导体层图案2,所述半导体层为硅半导体或金属氧化 物半导体；
[0075] 形成在半导体层图案2上的数据线（图中未示出）、源电极3和漏电极4,其中，源 电极3包括铜金属层31和钙铜合金氧化物层32,或，铜金属层31和镁铜合金氧化物层32。 漏电极4包括铜金属层41和钙铜合金氧化物层42,或，铜金属层41和镁铜合金氧化物层 42。数据线也包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层；
[0076] 形成在数据线、源电极3和漏电极4上的钝化层102 ;
[0077] 形成在钝化层102上的像素电极5,且像素电极5通过钝化层过孔与漏电极4电性 连接。
[0078] 本发明的技术方案中，对于附着力不好的第一金属A薄膜，在形成第一金属A薄膜 之前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工 艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属， 易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A 的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀 电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。
[0079] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人 员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换 也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，在形成所述第一 金属A薄膜的步骤之前还包括： 形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A和第 二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属B为钙或镁。
3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属A和第二金属B的合金 中，所述第二金属B的摩尔含量为1 %?10 %。
4. 根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属A为铜。
5. 根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述含氧气体包括氧气和 氩气，其中，氧气和氩气的体积流量比为1:30?1:3。
6. 根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在80°C?250°C的温度条件 下，进行第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺。
7. -种阵列基板的制备方法，包括制备第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，制备第一 金属A薄膜的步骤之前还包括： 形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A和第 二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
8. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，包括制备薄膜晶体管的步骤； 所述第一金属A薄膜包括形成栅电极的栅金属薄膜，以及形成源电极和漏电极的源漏 金属薄膜。
9. 一种阵列基板，包括第一金属A薄膜的图案，其特征在于，还包括与所述第一金属A 薄膜图案位置对应、且接触设置的ABOx薄膜的图案； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，所述ABOx薄膜位于所 述第一金属A薄膜与衬底基板之间，或者位于所述第一金属A薄膜与半导体层之间。
10. 根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属B为钙或镁。
11. 根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属A为铜。
12. 根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管； 所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极； 所述栅电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层； 所述源电极和漏电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧 化物层。
【文档编号】H01L29/45GK104064454SQ201410258172
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年6月11日 优先权日:2014年6月11日
【发明者】姚琪, 张锋, 曹占锋, 李正亮 申请人:京东方科技集团股份有限公司