技术总结
本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤：提供基底；在上述基底上形成材料层，上述材料层具有开口；在上述基底上以及上述开口的侧壁上形成第一防护材料层；以及对上述第一防护材料层进行处理，以形成第二防护材料层。上述第二防护材料层的第一表面具有不同于上述第二防护材料层的第二表面(内部)的性质，上述第一表面位于上述第二防护材料层中相对远离上述材料层的一侧。
技术研发人员：裘元杰;洪士平;陈光钊;陈彦儒
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510198093
技术研发日：2015.04.24
技术公布日：2016.11.23