1.一种射频横向双扩散金属氧化物半导体的制造方法，其特征在于，包括：
在浓衬底上沉积硬掩模，形成硬掩模层；
采用干法刻蚀法对所述硬掩模层进行刻蚀，去除待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底上的硬掩模；
对待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域；
在所述沟槽区域生长轻掺杂外延层；
采用干法刻蚀法去除所述硬掩模层，在所述轻掺杂外延层上生长栅氧化层；
对所述栅氧化层进行处理，形成栅区，通过所述栅区对所述轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区；
在所述轻掺杂外延层上沉积介电层和金属层，在所述浓衬底底部沉积金属层，形成射频横向双扩散金属氧化物半导体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀法对所述硬掩模层进行刻蚀，去除待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底上的硬掩模，包括：
在所述硬掩模层上涂布光阻，形成光阻层；
对所述光阻层进行曝光和显影，去除待生成体区、源区、漂移区和漏区上的所述浓衬底上的光阻；
采用干法刻蚀法进行刻蚀，去除待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底上的硬掩模；
去除光阻层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述栅氧化层进行处理，形成栅区，通过所述栅区对所述轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区，包括：
在所述栅氧化层上沉积多晶硅层，采用具有栅区图案的掩模版对所述栅氧化层进行刻蚀，形成栅区；
通过所述栅区对所述轻掺杂外延层进行离子注入和高温驱入，形成体区；
通过所述栅区对所述轻掺杂外延层进行离子注入，分别形成源区、漏区和漂移区。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述轻掺杂外延层上沉积介电层和金属层，在所述浓衬底底部沉积金属层，形成射频横向双扩散金属氧化物半导体，包括：
在所述轻掺杂外延层上沉积介电层，对所述介电层进行刻蚀，形成金属孔；
在所述金属孔中沉积金属，形成金属图形；
对所述浓衬底的底部进行减薄；
在所述浓衬底的底部沉积金属层，形成射频横向双扩散金属氧化物半导体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述硬掩模层的厚度为20000-40000埃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述硬掩模层为二氧化硅层或氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述栅氧化层为多晶硅层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述沟槽区域的厚度为6-15um，所述沟槽区域的倾斜的侧壁与浓衬底基底表面呈85-90度角。
9.一种射频横向双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，包括：浓衬底，设置在所述浓衬底上的沟槽区域，依次设置在所述沟槽区域上的栅氧层、介电层和金属层，设置在所述浓衬底底部的金属层；
所述沟槽区域中设置有体区、源区、漏区和漂移层；
所述浓衬底上设置有突出部分，所述突出部分与所述源区接触，以将源区引向所述浓衬底的底部。