技术总结
半导体器件包括半导体鳍、第一氮化硅基层、衬垫氧化物层、第二氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、邻近顶面的第一侧表面和设置在第一侧表面下方并且邻近第一侧表面的第二侧表面。第一氮化硅基层外围包围半导体鳍的第二侧表面。衬垫氧化物层设置为与第一氮化硅基层共形。第二氮化硅基层设置为与衬垫氧化物层共形。栅极氧化物层设置为与半导体鳍的顶面和第一侧表面共形。本发明的实施例还涉及形成FinFET栅极氧化物的方法。
技术研发人员：吴政达;王廷君;陈愿年
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510811422
技术研发日：2015.11.20
技术公布日：2017.02.15