光电转换元件及成像元件的制作方法

文档序号:12288911阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种光电转换元件,其在基板上依次层叠有下部电极、抑制来自所述下部电极的电荷注入的电荷阻挡层、包含光电转换层的有机层及包含透明电极层的上部电极,该光电转换元件的特征在于,

所述光电转换层由非晶膜构成,且具有P型有机半导体与包含富勒烯的N型有机半导体的本体异质结构,

所述本体异质结构的所述光电转换层的电离势与所述N型半导体的电子亲和力之差为1.30eV以上。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,

所述电荷阻挡层的分子量为400以上且1300以下。

3.一种成像元件,其特征在于,

具有权利要求1或2所述的光电转换元件。

4.根据权利要求3所述的成像元件,其具有:

电荷积蓄部,用于积蓄在所述光电转换元件的光电转换层中产生的电荷;及

连接部,用于向所述电荷积蓄部传递所述光电转换层的电荷。

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