技术总结
一种鳍式场效晶体管装置与形成鳍式场效晶体管装置的方法。鳍式场效晶体管装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构包含有设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含有钛铝合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。鳍式场效晶体管装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构含有设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。
技术研发人员：张简旭珂;洪奇成;刘继文;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610534560
技术研发日：2016.07.08
技术公布日：2017.05.10