1.一种制造半导体芯片封装件的方法，所述方法包括：
在载体基底上附着半导体芯片；
形成包括连接通路部和一体地连接到连接通路部的支撑部的初步连接通路结构；
在载体基底上附着初步连接通路结构使得连接通路部被侧向地设置在半导体芯片的外部；
形成围绕半导体芯片和初步连接通路结构的模塑构件；以及
通过去除模塑构件的上部和初步连接通路结构的上部来形成贯穿模塑构件的连接通路。
2.如权利要求1所述的方法，其中，通过将掩模图案用作蚀刻掩模的蚀刻工艺来执行初步连接通路结构的形成。
3.如权利要求1所述的方法，其中，连接通路具有相对于半导体芯片的上表面以倾角倾斜的侧壁。
4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
去除模塑构件的围绕连接通路的上侧壁的上部，使得模塑构件的上表面位于比连接通路的上表面低的水平上。
5.如权利要求4所述的方法，其中，通过激光辐照工艺来执行模塑构件的上部的去除。
6.如权利要求1所述的方法，其中：
连接通路具有顶表面和底表面，所述顶表面与模塑构件的顶表面共面或延伸到模塑构件的顶表面上方，所述底表面背对所述顶表面并延伸到模塑构件的底表面下方。
7.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：
提供具有第一表面和与第一表面背对的第二表面封装基底；
在封装基底上设置第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有与封装基底的第二表面面对的第一表面、与第一半导体芯片的第一表面背对的第二表面以及从第一半导体芯片的第一表面延伸到第一半导体芯片的第二表面的侧表面；
设置覆盖第一半导体芯片的侧表面并且覆盖封装基底的第二表面的模塑层；以及
在第一半导体芯片的侧表面外部设置多个穿过模塑导电通路，
其中，穿过模塑导电通路在形成模塑层之前形成并且贯穿模塑层。
8.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括：
在封装基底中设置重分配图案，其中：
第一组重分配图案在第一半导体芯片的第一表面处电连接到焊盘，以及
第二组重分配图案电连接到所述多个穿过模塑导电通路。
9.如权利要求8所述的方法，其中：
模塑层具有与封装基底的第二表面相接触的第一表面和与第一表面背对的第二表面；
所述多个穿过模塑导电通路中的每个延伸超过模塑层的第一表面。
10.如权利要求9所述的方法，其中：
所述多个穿过模塑导电通路中的每个延伸到或者延伸超过模塑层的第二表面。
11.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括：
在封装基底的第一表面上形成多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括：
第一组外部连接端子，连接到第一组重分配图案；以及
第二组外部连接端子，连接到第二组重分配图案。
12.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括：
在第一半导体芯片的第二表面上方的第一竖直区域处形成布线图案，
其中，布线图案在第一竖直区域处电连接到所述多个穿过模塑导电通路中的第一穿过模塑导电通路。
13.如权利要求12所述的方法，其中：
布线图案与第一穿过模塑导电通路一体地形成。
14.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括：
在形成模塑层之后在第一半导体芯片和模塑层上形成封装基底。
15.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括：
将模塑层形成为覆盖第一半导体芯片的第二表面。
16.一种方法，所述方法包括：
提供具有第一表面和与第一表面背对的第二表面的封装基底；
在封装基底上设置第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有与封装基底的第二表面面对的第一表面、与第一半导体芯片的第一表面背对的第二表面以及从第一半导体芯片的第一表面延伸到第一半导体芯片的第二表面的侧表面；
设置覆盖第一半导体芯片的侧表面并且覆盖封装基底的第二表面的模塑层，其中，模塑层的第一表面面对封装基底的第二表面；以及
设置贯穿模塑层并且位于第一半导体芯片的侧表面外部的多个穿过模塑导电通路，
其中，穿过模塑导电通路延伸超过模塑层的第一表面。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
在封装基底中设置重分配图案，其中：
第一组重分配图案在第一半导体芯片的第一表面处电连接到焊盘，以及
第二组重分配图案电连接到所述多个穿过模塑导电通路。
18.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括：
在封装基底的第一表面上形成多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括：
第一组外部连接端子，连接到第一组重分配图案；以及
第二组外部连接端子，连接到第二组重分配图案。
19.如权利要求16所述的方法，其中，在形成模塑层之前形成穿过模塑导电通路。
20.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
在形成模塑层之后，在第一半导体芯片和模塑层上形成封装基底。
21.如权利要求16所述的方法，其中，
所述多个穿过模塑导电通路中的每个延伸到或者延伸超过与模塑层的第一表面背对的模塑层的第二表面。