生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED的制作方法

技术特征：

1.生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：包括La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底，生长在La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在GaN纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层，生长在AlN/GaN超晶格层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。

2.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：所述La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面；晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La_0.3Sr_1.7AlTaO₆的(111)面。

3.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：所述GaN纳米柱模板为GaN纳米柱阵列，所述GaN纳米柱模板的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm；GaN的(0001)面平行于La_0.3Sr_1.7AlTaO₆的(111)面。

4.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：所述AlN成核层的厚度为100～200nm；非掺杂GaN层的厚度为200～300nm；n型掺杂GaN层的厚度为2～4μm；p型掺杂GaN层的厚度为300～350nm。

5.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：所述AlN/GaN超晶格层为15～25个周期的AlN层/GaN层，总厚度为30～100nm，其中AlN层的厚度为1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm。

6.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：InGaN/GaN量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。

7.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，还包括隔离层，所述隔离层沉积在GaN纳米柱模板的侧壁和未被GaN纳米柱模板的AlN成核层上。

8.根据权利要求7所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：所述隔离层厚度为10～50nm；所述隔离层的材料为SiN_x、SiO₂或者Al₂O₃。