技术总结
本实用新型属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在GaN纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层，生长在AlN/GaN超晶格层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本实用新型的衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所得的纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
技术研发人员：李国强;王文樑;杨美娟
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201621156340
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.06.06