1.一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，其特征在于包括以下步骤：
第一步，断开集成电路版图中PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接和多晶连接、PMOS晶体管与N阱接触之间的金属连接、NMOS晶体管与衬底接触之间的金属连接；
第二步，将PMOS晶体管绕该PMOS晶体管的质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕该NMOS晶体管的质心逆时针旋转90度；
第三步，将PMOS晶体管和NMOS晶体管相互靠近直至两者间距达到半导体代工厂提供的设计规则所允许的最小间距；
第四步，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMOS晶体管有源区接触；
第五步，将PMOS晶体管有源区向N阱接触有源区延伸直至两者接触，将NMOS晶体管有源区向衬底接触有源区延伸直至两者接触；
第六步，将第一步断开的集成电路版图中晶体管与晶体管之间的多晶连接和金属连接、晶体管与N阱接触之间的金属连接、晶体管与衬底接触之间的金属连接进行恢复。