技术总结
本发明公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMOS和NMOS晶体管相互靠近，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMOS晶体管有源区接触；将PMOS晶体管有源区向N阱接触有源区延伸直至两者接触，将NMOS晶体管有源区向衬底接触有源区延伸直至两者接触；将断开的连接恢复。采用本发明可以增强同一逻辑门内部PMOS和NMOS晶体管之间的电荷共享，削弱PMOS晶体管受到粒子轰击时所引发的寄生双极放大效应，具有很好的抗单粒子瞬态加固效果。
技术研发人员：陈书明;吴振宇;梁斌;胡春媚;池雅庆;陈建军;黄鹏程;宋睿强;张健;刘蓉容
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科学技术大学
文档号码：201710001744
技术研发日：2017.01.03
技术公布日：2017.06.20