技术特征：
技术总结
本发明公开了一种集成无源器件及其封装方法，其中所述方法包括：制备晶圆，晶圆内形成若干芯片单元，芯片单元的正面具有信号引脚；在一个或多个芯片单元的正面刻蚀凹槽；在凹槽底部开孔，形成连通凹槽至芯片背面的连接孔；在芯片背面进行注塑，注塑材料通过连接孔注满凹槽，在凹槽内形成第一绝缘层，且注塑材料覆盖芯片背面形成第二绝缘层；在第一绝缘层上进行布线，形成第一线路，将第一线路与芯片单元的信号引脚连接。该集成无源器件及方法使得IPD以绝缘材料为基体材料，器件的电性能远高于硅基材料，满足高Q值的要求，IPD做在芯片衬底刻蚀的凹槽上使封装结构尺寸减小，注塑基于晶圆级工艺采用整体晶圆注塑的方法，加工更加便捷、高效。
技术研发人员：徐健
受保护的技术使用者：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
技术研发日：2017.05.24
技术公布日：2017.10.10