技术特征：
技术总结
本发明公开一种CIS之衬底结构及其制备方法。所述CIS之衬底结构，包括，硅基衬底；低温氧化硅，设置在所述硅基衬底之背侧；多晶硅层，设置在所述低温氧化硅之异于硅基衬底的一侧。本发明CIS之衬底结构通过在所述硅基衬底背面的低温氧化硅上进一步淀积多晶硅层，不仅有效消除低温氧化硅在栅极氧化过程中对下层硅片膜层厚度的影响，优化栅极氧化层的膜层均匀性，而且进一步提升产品品质和良率。
技术研发人员：朱华君;祁鹏;张召;王智
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2018.05.18