1.一种半导体器件结构，包括：
半导体材料区域，所述半导体材料区域包括具有第一导电类型的半导体衬底和邻近所述半导体衬底设置的具有与所述第一导电性相反的第二导电类型的半导体层，所述半导体层限定第一主表面，并且所述半导体衬底限定相反的第二主表面；
所述第一导电类型的第一掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第一部分中；
所述第二导电类型的第二掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第二部分中；
所述第二导电类型的第三掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第三部分中；和
衬底接触结构，所述衬底接触结构从邻近所述第一主表面延伸到所述半导体衬底，其中：
所述衬底接触结构电耦接到所述第二掺杂区域以在所述第二掺杂区域和所述半导体衬底之间提供电连通；
所述第一掺杂区域、所述半导体层和所述第二掺杂区域被构造为横向二极管结构；
所述第三掺杂区域、所述半导体层和所述半导体衬底被构造为竖直二极管结构；并且
所述第二主表面为所述横向二极管结构和所述竖直二极管结构两者提供公共电极。
2.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬底接触结构包括：
槽结构，所述槽结构从所述第一主表面延伸；
多个结构，所述多个结构包括所述半导体层的部分；和
导电材料，所述导电材料设置在所述槽结构内并横向围绕所述多个结构。
3.根据权利要求2所述的结构，其中：
所述导电材料包括具有所述第一导电类型的多晶半导体材料；
所述多个结构包括按列形成的多个独立式结构；
邻接的列彼此偏移，使得在邻接的独立式结构之间存在基本上相等的距离；
所述槽结构包括与至少两个侧面上的邻接结构基本上等距的周边；并且
多个结构具有所述第一导电类型。
4.根据权利要求1所述的结构，还包括：
隐埋层区域，所述隐埋层区域设置为在所述横向二极管结构下面邻近所述半导体衬底和所述半导体层之间的界面，所述隐埋层区域具有所述第二导电类型；和
导电沟槽结构，所述导电沟槽结构设置为从所述第一主表面延伸穿过所述第二掺杂区域至所述隐埋层区域。
5.根据权利要求1所述的结构，还包括：
第一电极，所述第一电极电耦接到所述第一掺杂区域；
第二电极，所述第二电极电耦接到所述第二掺杂区域和所述衬底接触结构；
第三电极，所述第三电极电耦接到所述第三掺杂区域；和
第四电极，所述第四电极邻近所述第二主表面提供所述公共电极，其中所述衬底接触结构横向插置在所述第二掺杂区域和所述第三掺杂区域之间。
6.一种半导体器件结构，包括：
半导体材料区域，所述半导体材料区域具有第一主表面和相反的第二主表面；和
接触结构，所述接触结构设置在所述半导体材料区域的第一部分中；所述接触结构包括：
槽结构，所述槽结构从所述第一主表面附近延伸；
多个结构，所述多个结构包括从所述槽结构的下表面向外延伸的所述半导体材料区域的部分；和
导电材料，所述导电材料设置在所述槽结构内并横向围绕所述多个结构。
7.根据权利要求6所述的结构，其中：
所述半导体材料区域包括具有第一导电类型的半导体衬底和邻近所述半导体衬底设置的具有与所述第一导电性相反的第二导电类型的半导体层，所述半导体层限定所述第一主表面，并且所述半导体衬底限定所述第二主表面；
所述接触结构延伸至所述半导体衬底；
所述多个结构包括多个独立式结构；
所述半导体器件结构还包括：
所述第一导电类型的第一掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第二部分中；
所述第二导电类型的第二掺杂区域，其至少靠近所述接触结构设置在所述半导体层中；和
所述第二导电类型的第三掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第三部分中；
所述接触结构电耦接到所述第二掺杂区域以在所述第二掺杂区域和所述半导体衬底之间提供电连通；
所述第一掺杂区域、所述半导体层和所述第二掺杂区域被构造为横向二极管结构；
所述第三掺杂区域、所述半导体层和所述半导体衬底被构造为竖直二极管结构；并且
所述第二主表面为所述横向二极管结构和所述竖直二极管结构两者提供公共电极。
8.根据权利要求7所述的结构，还包括：
隐埋层区域，所述隐埋层区域设置为在所述横向二极管结构下面邻近所述半导体衬底和所述半导体层之间的界面，所述隐埋层区域具有所述第二导电类型；
导电沟槽结构，所述导电沟槽结构设置为从所述第一主表面延伸穿过所述第二掺杂区域至所述隐埋层区域。
9.根据权利要求6所述的结构，其中所述导电材料包括多晶半导体材料。
10.根据权利要求6所述的结构，其中：
所述多个结构包括多个间隔开的列；
邻接的列彼此偏移，使得在邻接结构之间存在基本上相等的距离；并且
所述槽结构包括与至少两个侧面上的所述多个邻接结构基本上等距的周边。