技术总结
本实用新型涉及半导体器件结构。提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括具有第一主表面和相反的第二主表面的半导体材料区域。接触结构设置在所述半导体材料区域的第一部分中，并且包括从邻近所述第一主表面的第一部分延伸的槽结构。包括所述半导体材料区域的部分的多个结构从所述槽结构的下表面向外延伸。在一些实施方案中，所述多个结构包括多个独立式结构。导电材料设置在所述槽结构内并且横向围绕所述多个结构。在一个实施方案中，所述接触结构有助于制造具有低电阻衬底接触的单片串联开关二极管结构。本实用新型可以降低组装成本和循环时间，同时提供较小的封装结构。
技术研发人员：阿里·萨利赫;戈登·M·格里芙尼亚;丹尼尔·R·赫特尔;欧萨姆·艾石马鲁;托马斯·基娜;马萨弗米·乌哈拉
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
技术研发日：2017.10.11
技术公布日：2018.07.10