,厚度为500nm。S
所述非晶硅层3的厚度为10nm，非晶硅层3中掺杂有第三主族，其掺杂浓度为lE10cm_2，以增加非晶硅层3的迀移率。
[0035]步骤二:如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为50nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4。
[0036]步骤三:如图4所示，用波长为320nm的激光从基板I 一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量lOOmJ，光斑为长条状，横向扫描基板I需要晶化的区域，直至整个基板I被照射。
[0037]步骤四:如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4 ;硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
[0038]步骤五:如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6 ;所述栅金属层的厚度为10nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
[0039]步骤六:如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
[0040]所述第一层间介电层7的厚度为10nm。所述接触孔8的面积要求大于1nmX 1nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有I个接触孔8。
[0041]步骤七:然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶娃a-Si (P+)，该非晶娃a-Si的掺杂浓度为lE13cm_2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂(即S/D重掺杂)。
[0042]步骤八:最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
[0043]实施例2:
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤:
步骤一:如图1所示，选择基板1，并在基板I上沉积双层缓冲层2 ;然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
[0044]所述基板I可以选择透过550nm激光的亚克力基板。
[0045]所述缓冲层2的材料为S12,厚度为300nm。
[0046]所述非晶硅层3的厚度为500nm，非晶硅层3中掺杂有第五主族元素(如硼、磷或砷元素)，其掺杂浓度为lE12cm_2，以增加非晶硅层3的迀移率。
[0047]步骤二:如图4所示，用波长为550nm的激光从基板I 一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量5000mJ，光斑为点状，横向扫描基板I需要晶化的区域，直至整个基板I被照射。
[0048]步骤三:如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为200nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为S12。
[0049]步骤四:如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4 ;硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
[0050]步骤五:如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6 ;所述栅金属层的厚度为500nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
[0051]步骤六:如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
[0052]所述第一层间介电层7的厚度为500nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于1nmX 1nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于娃岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有I个接触孔8。
[0053]步骤七:然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶娃a-Si (P+)，该非晶娃a-Si的掺杂浓度为lE16cm_2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂(即S/D重掺杂)。
[0054]步骤八:最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
[0055]实施例3:
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤:
步骤一:如图1所示，选择基板1，并在基板I上沉积单层缓冲层2 ;然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
[0056]所述基板I可以选择透过波长为400nm激光的聚酰亚胺基板。
[0057]所述缓冲层2的材料为Si3N4和S1 2，厚度为200nm。
[0058]所述非晶硅层3的厚度为lOOnm，非晶硅层3中掺杂有硼元素，其掺杂浓度为IEllcm-2,以增加非晶硅层3的迀移率。
[0059]步骤二:如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为10nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4和S12O
[0060]步骤三:如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4 ;硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
[0061]步骤四:如图4所示，用波长为400nm的激光从基板I 一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量1000mJ，光斑为O面状，横向扫描基板I需要晶化的区域，直至整个基板I被照射。
[0062]步骤五:如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6 ;所述栅金属层的厚度为100nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
[0063]步骤六:如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
[0064]所述第一层间介电层7的厚度为100nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于1nmX 1nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于娃岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有I个接触孔8。
[0065]步骤七:然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶娃a-Si (P+)，该非晶娃a-Si的掺杂浓度为lE14cm_2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂(即S/D重掺杂)。
[0066]步骤八:最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
[0067]实施例4:
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤:
步骤一:如图1所示，选择基板1，并在基板I上沉积双层缓冲层2 ;然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
[0068]所述基板I可以选择透过波长为500nm激光的石英基板。
[0069]所述缓冲层2的材料为Si3N4,厚度为300nm。
[0070]所述非晶硅层3的厚度为200nm，非晶硅层3中掺杂有磷元素，其掺杂浓度为IEllcm-2,以增加非晶硅层3的迀移率。
[0071]步骤二:如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为150nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4。
[0072]步骤三:如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4 ;硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
[0073]步骤四:如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6 ;所述栅金属层的厚度为200nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
[0074]步骤五:如图4所示，用波长为500nm的激光从基板I 一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量2000mJ，光斑为长条状，横向扫描基板I需要晶化的区域，直至整个基板I被照射。
[0075]步骤六:如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
[0076]所述第一层间介电层7的厚度为200nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于1nmX 1nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于娃岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有I个接触孔8。
[0077]步骤七:然