一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用

文档序号:8529532阅读:368来源:国知局
一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明属于锂离子电池制造及电化学反应技术领域,涉及一种锂离子电池负极材料及其制备方法及应用。
【背景技术】
[0002]锂离子电池自问世以来,具有很多令人青睐的优点,如能量密度高、循环寿命长、输出电压高、自放电小以及轻便、环保等,被广泛应用在电子设备当中。但是,伴随着电动汽车、新能源储能等领域的不断发展,对锂离子电池的性能有了更高的要求。商业化的锂离子电池多采用循环稳定性较好的石墨作为负极材料,但其理论比容量很低,仅为372mAh/g,难以满足人们对高容量的要求。
[0003]S1负极材料由于具有较高的比容量(约2400mAh/g),较低的嵌锂电位以及价格低廉、来源丰富而引起广泛关注,有望成为锂离子电池负极材料的替代产品。但是S1作为锂离子电池负极材料,在电池充放电过程中会产生较大的体积变化,这将导致电极在电化学锂化、脱锂过程中急速粉化或出现裂痕,使寿命急速衰减,阻碍了其在实际中的应用。
[0004]为了解决S1x基负极材料循环稳定性能差的问题,研宄人员对其进行了大量的研宄。常用的改性方法有高能球磨法、机械化学法、溶胶-凝胶法等。Angathevar VeIuchamy等,首先将L1H和S1的混合物进行热处理,然后将获得的产物与石墨进行球磨,获得了新型的负极材料,复合材料的库伦效率从45%提高到了 56%另外,复合材料表现出优异的循环稳定性,100次循环后可逆容量为330mAh/g。Xuelin Yang等以S1、金属锂和石墨为原料,利用机械化学还原法获得纳米硅基复合材料,研宄表明S1在球磨过程中被还原,伴随有Si和Li4S14相的生成。复合材料表现出770mAh/g的首次可逆容量,首次效率为81%,与S1材料相比,首次库伦效率大大提升。Jing Wang等利用改性StSber法制备了纳米S1x/C复合材料(X近似为1),表现出了较高的可逆容量(800mAh/g)、优异的循环性能和倍率性能。Chil-Hoon Doh通过简单的球磨制备S1-C电极,30次循环后可逆容量688mAh /g,库伦效率达到99%。
[0005]硅烷化合物是一种特殊的有机硅化合物,它同时含有两种不同性质的化学基团,一种是可以和有机相结合的官能团,另一种是可以产生和无机物相结合的官能团。其通式为Y-R-SiX3,其中Y为乙基、环氧基等可以和有机物起反应的基团,R是有机碳链,X可以进行水解反应变成-0H,可以与无机基质连接起来。
[0006]S1的表面含有一定量的-0H,硅烷化合物水解产生S1-OH的低聚硅氧烷,可与其表面的-OH相结合,减弱S1的极性,降低其表面能,增大粒子之间的空间位阻,对S1颗粒间的吸附团聚起物理阻碍的作用,有效减少S1粒子的团聚,提高其分散性能,并能缓冲脱嵌锂过程中材料的粉化现象,从而达到改性目的。

【发明内容】

[0007]本发明的目的是提供一种硅烷化合物修饰S1负极材料及其制备方法及应用,通过在材料表面修饰一层有机硅化合物,解决由于硅材料在充放电过程中粉化导致的容量衰减快的问题。
[0008]上述方案是通过以下技术方案实现的:
一种硅烷化合物修饰S1负极材料,以S1为基底,在其上修饰一层硅烷化合物。
[0009]一种硅烷化合物修饰S1负极材料的制备方法,以S1为基底,通过反应,在其上修饰一层硅烷化合物,具体制备方法如下:
一、将硅烷化合物水解20~60min,使与硅原子相连的偶联剂的化学键发生水解,生成低聚合度的硅氧烷,其中溶液pH为弱酸性;同时将S1粉末于水-乙醇混合液中进行超声处理。
[0010]二、水解后的硅烷化合物与S1混合,在惰性气体氛围下回流升温反应,其反应过程为:低聚硅氧烷中的羟基与S1表面的羟基由氢键作用力相互结合;在一定温度下,发生脱水反应,形成共价键链接,控制硅烷化合物的质量分数为0.1-50%,反应温度为45~100°C,反应时间 l~10h。
[0011]三、将所述混合溶液进行离心、真空干燥,得到具有硅烷化合物修饰层结构的负极材料,控制真空干燥温度为45~85°C,真空干燥时间为6~10 ho
[0012]上述具有硅烷化物修饰层的S1负极材料可与石墨混合用作锂离子电池负极材料,S1占复合材料的比例为0.l~60wt.%。
[0013]本发明中,所述一氧化娃粉的粒径区间范围在20 nm~50um。
[0014]本发明中,所述硅烷化合物为γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、Y-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(b-甲氧基乙氧基)硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷的一种。
[0015]本发明中,调节pH所用的药品为草酸、柠檬酸、氢氧化钠。
[0016]本发明中,所述娃烧偶联剂为单娃烧或双娃烧,其中,单娃烧为分子中只含有一个硅原子的硅烷化合物,双硅烷为分子中含有两个硅原子的硅烷化合物。
[0017]本发明中,混合方法为简单混合法、球磨混合法、气相法。
[0018]本发明中,所述硅烷化合物的修饰方法适用于S1x (0.01<x<2)o
[0019]本发明具有以下有点:
1、S1表面修饰一层硅烷化合物,有效抑制了 S1基负极材料在脱嵌锂过程中的分化现象,提升了电池的循环稳定性和首次充放电效率,从而更好的满足新能源领域的的要求。
[0020]2、本发明所采取的工艺路线方便、简单可,易于操作,而且所需材料成本较低,利于工厂大规模生产。
[0021]3、本发明制得的具有硅烷化合物修饰层的S1基负极材料掺杂在石墨当中,较其他方法(高能球磨法、高温煅烧法等)制备S1-石墨复合材料,操作方便,更具有商业化优势。
[0022]4、本发明制备的具有硅烷化合物修饰层的S1负极材料,应用在锂离子电池中,能够很好地改善电池的循环性能;也可掺杂在石墨中,用于制备锂离子电池负极复合材料。由于S1表面修饰一层硅烷化合物有机层,S1的膨胀粉化现象能够得到很好的抑制,进而可以提高其首次充放电效率和循环稳定性,以便于进行商业化。
【附图说明】
[0023]图1为S1与硅烷化合物反应的机理图;
图2为S1负极材料的XRD图;
图3为硅烷化合物修饰前的S1负极材料的SEM图;
图4为具有硅烷化合物修饰层结构的S1负极材料的SEM图;
图5为具有硅烷化合物修饰层结构的S1负极材料的TEM图;
图6为具有硅烷化合物修饰层结构的S1负极材料及未修饰S1材料的循环性能曲线。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限于此,凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。
[0025]实施例1
将0.15g γ-氨丙基三乙氧基硅烷于水中水解,滴加少量草酸使其呈弱酸性;将58 S1于60mL乙醇与水的混合液中(乙醇:水=5:1)超声30min,然后与水解后的γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷共混。通入惰性气体,流速控制在100~300 mL/mi
当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1