Tft基板的制作方法及其结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de)即有机发光二极管，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED 按照驱动类型可分为无源 OLED (PMOLED，Passive matrix 0LED)和有源 OLED (AMOLED，Active-matrix 0LED)。AMOLED常使用氧化物半导体型背板，其结构与低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)型背板相比更为简单。
[0003]请参阅图1，为一种现有的应用于AMOLED的TFT (薄膜晶体管，Thin Fi ImTransistor)基板结构的剖面示意图，包括基板100、设于所述基板100上的第一栅极210、及第二栅极220、设于所述第一栅极210、第二栅极220、及基板100上的栅极绝缘层300、位于所述第一栅极210上方设于所述栅极绝缘层300上的第一半导体层410、位于所述第二栅极220上方设于所述栅极绝缘层300上的第二半导体层420、设于所述第一半导体层410、第二半导体层420、及栅极绝缘层300上的蚀刻阻挡层500、位于所述第一栅极210上方设于所述蚀刻阻挡层500上的第一源极610、及第一漏极620、位于所述第二栅极220上方设于所述蚀刻阻挡层500上的第二源极630、及第二漏极640、设于所述第一源极610、第一漏极620、第二源极630、及第二漏极640、及蚀刻阻挡层500上的钝化层710、设于所述钝化层710上的平坦层720、设于所述平坦层720上的像素电极层800、设于所述像素电极层800与平坦层720上的像素定义层900、及设于所述像素定义层900上的光阻间隙物920。
[0004]所述蚀刻阻挡层500上对应所述第一半导体层410上方设有两个第一过孔510，所述蚀刻阻挡层500上对应所述第二半导体层420上方设有两个第二过孔520，所述蚀刻阻挡层500、及栅极绝缘层300上对应所述第二栅极220上方靠近第一栅极210的一侧设有第三过孔530，所述钝化层710、及平坦层720上对应所述第二源极630上方设有第四过孔810，所述像素定义层900上方对应所述像素电极层800上方设有第五过孔910。
[0005]所述第一源极610、第一漏极620分别经由所述第一过孔510与所述第一半导体层410相接触，所述第二源极630、第二漏极640分别经由所述第二过孔520与所述第二半导体层420相接触，所述第一源极610经由所述第三过孔530与所述第二栅极220相接触，所述像素电极层800经由所述第四过孔810与所述第二源极630相接触，所述第五过孔910暴露出部分像素电极层800。
[0006]其中，所述第一栅极210、及第二栅极220，栅极绝缘层300，第一半导体层410、及第二半导体层420，蚀刻阻挡层500，第一源极610、第一漏极620、第二源极630、及第二漏极640，钝化层710，平坦层720，像素电极层800，像素定义层900，光阻间隙物920中的每一层均需要通过一道光刻制程制作，即制作图1所示的TFT基板总计需要十道光刻制程，制程较为繁琐，影响生产效率及良率。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，制程简单，可有效提高生产效率及良率。
[0008]本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，结构简单，易于制作，可有效提高生产效率及良率。
[0009]为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤:
[0010]步骤1、提供基板，所述基板上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板上沉积第一金属层，并通过第一道光刻制程图案化所述第一金属层，得到间隔设置的第一栅极与第二栅极；
[0011]步骤2、在所述第一栅极、第二栅极、及基板上依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层；
[0012]步骤3、通过第二道光刻制程对所述栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层进行图案化处理，在所述蚀刻阻挡层上对应于所述第一栅极的上方形成第一接触孔与第二接触孔，对应于所述第二栅极的上方形成第三接触孔与第四接触孔；在所述蚀刻阻挡层、半导体层、及栅极绝缘层上对应于所述第二栅极上方靠近第一栅极的一侧形成第五接触孔；所述第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔、第四接触孔、及第五接触孔均为通孔；
[0013]步骤4、在所述蚀刻阻挡层上沉积第二金属层，通过第三道光刻制程图案化该第二金属层，得到间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极、及第二漏极，所述第一源极、第一漏极、第二源极、及第二漏极分别经由所述第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔、第四接触孔与所述半导体层相接触；
[0014]所述第一栅极、半导体层、第一源极、及第一漏极构成第一 TFT ;所述第二栅极、半导体层、第二源极、及第二漏极构成第二 TFT ;所述第一漏极经由第五接触孔与所述第二栅极相接触，将第一 TFT与第二 TFT串联起来；
[0015]步骤5、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、蚀刻阻挡层、及基板上沉积钝化层，并通过第四道光刻制程对所述钝化层进行图案化，在所述钝化层上对应所述第二漏极的上方形成第六通孔；
[0016]步骤6、在所述钝化层上沉积平坦层，并通过第五道光刻制程对所述平坦层进行图案化，在所述平坦层上对应第六通孔的上方形成第七通孔；
[0017]步骤7、在所述平坦层上沉积像素电极层，并通过第六道光刻制程对其进行图案化，所述像素电极层经由所述第六通孔、及第七通孔与所述第二漏极相接触；
[0018]步骤8、在所述像素电极层、及平坦层上沉积像素定义层，并通过第七道光刻制程对其进行图案化，在所述像素定义层上形成对应于所述像素电极层上方的第八通孔，从而暴露出所述像素电极层的一部分；
[0019]步骤9、在所述像素定义层上沉积有机光阻层，并通过第八道光刻制程对其进行图案化，形成间隔设置的数个光阻间隙物。
[0020]所述步骤3具体包括:
[0021]步骤31、在所述蚀刻阻挡层上沉积光阻层，并通过一灰阶光罩对所述光阻层进行曝光、显影，使得光阻层上对应基板上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，且所述光阻层上对应所述第一栅极上方形成有间隔设置的第一凹槽与第二凹槽，对应所述第二栅极上方形成有间隔设置的第三凹槽与第四凹槽，对应所述第二栅极上方靠近第一栅极的一侧形成有第一通孔；
[0022]步骤32、以所述光阻层为遮挡，通过第一次干蚀刻制程对所述蚀刻阻挡层进行蚀亥IJ，使得所述蚀刻阻挡层上对应基板上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，所述蚀刻阻挡层上对应于所述光阻层上的第一通孔的部分被完全蚀刻掉；
[0023]步骤33、通过一次灰化制程对所述光阻层进行灰化处理，使得所述光阻层的整体厚度降低，所述光阻层上的第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽、及第四凹槽的底部被穿透，分别形成第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔；
[0024]步骤34、以所述光阻层为遮挡，通过一次湿蚀刻制程对所述半导体层进行蚀刻，使得所述半导体层上对应基板上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，且所述半导体层上对应于所述光阻层上的第一通孔的部分被完全蚀刻掉；
[0025]步骤35、以所述光阻层为遮挡，通过第二次干蚀刻制程对所述蚀刻阻挡层、及栅极绝缘层进行蚀刻，使得所述蚀刻阻挡层上对应于所述光阻层上的第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔的部分被完全蚀刻掉，从而在所述蚀刻阻挡层上形成对应于第一栅极上方的第一接触孔与第二接触孔，及对应于第二栅极上方的第三接触孔与第四接触孔；
[0026]同时，所述栅极绝缘层上对应基板上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，且所述栅极绝缘层上对应于所述光阻层上的第一通孔的部分被完全蚀刻掉，从而在所述蚀刻阻挡层、半导体层及栅极绝缘层上对应于所述第二栅极上方靠近第一栅极的一侧形成第五接触孑L ；
[0027]步骤36、剥离所述光阻层。
[0028]所述栅极绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅，所述半导体层的材料为金属氧化物，所述蚀刻阻挡层的材料为氧化硅或氮化硅。
[0029]所述步骤32中第一次干蚀刻制程的具体工艺参数为:当所述蚀刻阻挡层的材料为氧化硅时，采用CF4+02气氛进行干蚀刻，CF4流量为O?5000SCCm，O2流量为O?5000sccm，蚀刻时间为I?100s ;当所述蚀刻阻挡层(5)的材料为氮化硅时，采用SF6+C12气氛进行干蚀刻，SF6流量为O?5000sccm，Cl 2流量为O?5000sccm，蚀刻时间为I?100s ；
[0030]所述步骤33中灰化制程的具体工艺参数为:采用O2气氛进行光阻灰化，O2流量为O?5000sccm，灰化时间为I?100s ；
[0031]所述步骤34中湿蚀刻制程的具体工艺参数为:采用H2C2O4S液进行湿蚀刻，所述H2C2O4溶液的浓度为0.1 %?50% mol/L，蚀刻时间为I?100s ；
[0032]所述步骤35中第二次干蚀刻制程的具体工艺参数为:当所述蚀刻阻挡层与栅极绝缘层的材料均为氧化硅时，采用CF4+02气氛进行干蚀刻，CF4流量为O?5000SCCm，02流量为O?50