一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、 显示装置。
【背景技术】
[0002] AM-OLED(ActiveMatrix-OrganicLight-EmittingDisplay，有源矩阵式有机电 致发光显示器）显示器中的0LED器件的发光方式主要为从阴极一侧出光，S卩，如图1所示， 阳极040与阴极020分别位于功能层030的两侧，当在阳极040与阴极020上施加大于某 一阈值的外加电场后，空穴、电子分别从阳极040、阴极020注入到功能层030中的发光层后 发生辐射复合而导致发光，如图中箭头方式所示，光线从位于上方的阴极020 -侧射出，从 而实现显示。
[0003] 然而，由于阴极通常采用低功函数的金属单质和/或合金材料，其光透过率较低， 为了减小阴极对0LED器件整体出光率的影响，需要将阴极的厚度制作地较薄。但是当阴极 厚度较小时，其面电阻Rs(Rs=p/t，p为电阻率，t为厚度）会显著增加，导致0LED器件 的驱动电压升高，能耗变大。
【发明内容】
[0004] 本发明的实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，不需 要减小金属阴极的厚度即可提高0LED器件的整体出光率，保证其良好的显示效果。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] 一方面、本发明实施例提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件包括：位于衬 底基板上的金属阴极层、功能层、透明阳极层；其中，所述透明阳极层位于所述电致发光器 件的出光侧；所述功能层包括：依次远离所述金属阴极层的电子传输层、发光层以及空穴 传输层。
[0007] 优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述衬底基板与所述金属阴极层之间的 透明导电层，且所述透明导电层与所述金属阴极层相接触。
[0008] 进一步优选的，所述透明导电层由铟锡氧化物、铟锌氧化物、氟掺杂锡氧化物、镓 铟锡氧化物、以及锌铟锡氧化物中的任一种材料构成。
[0009] 进一步优选的，所述透明导电层的厚度为10_20nm。
[0010] 优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述功能层与所述透明阳极层之间的透 明缓冲层；其中，构成所述透明缓冲层材料的空穴迀移率大于等于10-5cm2 ?s-1 ?V-1。
[0011] 进一步优选的，所述透明缓冲层的厚度为50-150nm。
[0012] 在上述基础上优选的，所述金属阴极层的厚度为20-100nm。
[0013] 在上述基础上优选的，所述功能层还包括：电子注入层、电子阻挡层以及空穴注入 层中的至少一种；其中，所述电子注入层位于所述金属阴极层与所述电子传输层之间；所 述电子阻挡层位于所述发光层与所述空穴传输层之间；所述空穴注入层位于所述空穴传输 层与所述透明阳极层之间。
[0014] 本发明实施例还提供了一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括：在衬 底基板上形成金属阴极层、功能层、透明阳极层；其中，形成的所述透明阳极层位于所述电 致发光器件的出光侧；形成所述功能层包括：依次远离所述金属阴极层的电子传输层、发 光层以及空穴传输层。
[0015] 优选的，形成所述功能层之后，且形成所述透明阳极层之前，所述制备方法还包 括：在形成的所述功能层上形成透明缓冲层；其中，构成所述透明缓冲层材料的空穴迀移 率大于等于10 5cm2 ?s1 ?Vi。
[0016] 进一步优选的，形成的所述透明缓冲层的厚度为50-150nm。
[0017] 在上述基础上优选的，所述透明阳极层采用低温成膜工艺形成；其中，所述低温成 膜工艺的成膜温度小于等于l〇〇°C。
[0018] 优选的，所述低温成膜工艺包括：负离子束溅镀法、低温化学气相沉积法中的至少 一种。
[0019] 进一步优选的，形成所述金属阴极层之前，所述制备方法还包括：在所述衬底基 板上形成透明导电层；形成所述金属阴极层包括：在所述透明导电层上形成所述金属阴极 层，且所述透明导电层与所述金属阴极层相接触。
[0020] 优选的，形成的所述功能层还包括：电子注入层、电子阻挡层以及空穴注入层中的 至少一种；其中，形成所述金属阴极层之后，且形成所述电子传输层之前，所述制备方法还 包括：形成所述电子注入层；形成所述发光层之后，且形成空穴传输层之前，所述制备方法 还包括：形成所述电子阻挡层；形成所述空穴传输层之后，且形成所述透明阳极层之前，所 述制备方法还包括：形成所述空穴注入层。
[0021] 另一方面、本发明实施例还提供了一种显示基板，所述显示基板包括位于衬底基 板上的上述任一项所述的电致发光器件。
[0022] 本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板 上形成电致发光器件的步骤；其中，所述电致发光器件采用上述任一项所述的制备方法。
[0023] 再一方面、本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的所述 的显不基板。
[0024] 通过本发明实施例提供的一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置， 在上述电致发光器件，由于从功能层中激发出的光线从透明阳极层一侧射出，避免了光透 过率较低的金属单质和/或合金对光线的阻碍，使得电致发光器件的整体出光率较高，保 证其良好的显示效果；同时，由于透过率较低的金属阴极层不作为出光侧，因此可以将金属 阴极层的厚度制作地较厚，从而减小了金属阴极层的面电阻，降低了器件的驱动电压，避免 增加能耗。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0026] 图1为现有技术提供的一种OLED器件的剖面结构示意图；
[0027] 图2为现有技术提供的一种0LED器件中光线产生微腔效应的示意图；
[0028] 图3为本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图一；
[0029] 图4为本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图二；
[0030] 图5为本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图三；
[0031] 图6为本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图四。
[0032] 附图标记：
[0033] 01-电致发光器件；10-衬底基板；20-金属阴极层；30-功能层；31-电子传输层； 32-发光层；33-空穴传输层；34-电子注入层；35-电子阻挡层；36-空穴注入层；40-透明 阳极层；50-透明导电层；60-透明缓冲层。
【具体实施方式】
[0034] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035] 需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语（包括技术和 科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸 如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义 相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
[0036] 并且，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语"上"、"下"等指示 的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描 述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作， 因此不能理解为对本发明的限制。
[0037]本发明实施例提供了一种电致发光器件01，如图3所示，该电致发光器件01包括： 位于衬底基板10上的金属阴极层20、功能层30、透明阳极层40 ;其中，透明阳极层40位 于该电致发光器件01的出光侧；该功能层30包括：依次远离金属阴极层20的电子传输层 31(electrontransportlayer，简称ETL)、发光层 32(emittinglayer，简称EL)以及空穴 传输层 33(holetransportlayer，简称HTL) 〇
[0038] 需要说明的是，第一、形成有上述的电致发光器件01的衬底基