一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置领域，特别涉及一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]近几年来，随着TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)技术的不断发展和完善，TFT-1XD显示面板的应用也越来越广泛，如电视、笔记本电脑、监视器、手机等。
[0003]在TFT-1XD显示面板的制作工艺中，静电防护是整个工艺的关键部分。为了避免静电对显示面板质量的影响，现有技术中通常利用二极管组成的ESD (Electro-Staticdischarge，静电释放)组件对静电进行防护。
[0004]由于二极管往往形成于Array (阵列)工艺的后期(例如ITO (Indium Tin Oxide，氧化铟锡)层蚀刻完成后)，因此在Array工艺前期，无法对静电进行防护。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供了一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，可以实现Array工艺前期的静电防护。所述技术方案如下:
[0006]第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板制造方法，所述方法包括:
[0007]在基板上形成第一图形，所述第一图形包括多根信号线和多根连接在两根所述信号线之间的静电防护线；
[0008]在形成所述第一图形的上方的第二图形的过程中，刻断每根所述静电防护线的中部。
[0009]可选地，所述信号线包括栅线、栅极引线、公共电极线、公共电极引线、数据线、数据线引线中的一种或多种，每根所述静电防护线的两端与所述多根信号线中的任意两根信号线电连接。
[0010]可选地，所述静电防护线的两端与处于同一层的信号线电连接；或者，所述静电防护线的两端与处于不同层的信号线电连接，所述静电防护线的位于不同层的各个部分通过过孔连接。
[0011]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述静电防护线与栅线同层，所述静电防护线的两端与栅线、栅极引线、公共电极线、公共电极引线中的任意一种或两种线电连接。
[0012]优选地，所述静电防护线电连接在任意相邻的两根所述信号线之间。
[0013]优选地，所述第一图形为栅金属层的图形，所述第二图形为源漏金属层的图形。
[0014]进一步地，所述刻断每根所述静电防护线的中部，包括:
[0015]在形成有所述第一图形的所述基板上形成栅极绝缘层；
[0016]在所述栅极绝缘层上形成能露出每根所述静电防护线的至少部分的过孔；
[0017]形成源漏金属层的图形，并在形成所述源漏金属层的图形的同时将所述过孔内的所述静电防护线刻断。
[0018]在本发明实施例的一种实现方式中，任意相邻的两根所述栅线之间连接有一根所述静电防护线，且连接在同一根栅线上的两根所述静电防护线分别连接在所述同一根栅线的两端。
[0019]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述栅线位于显示区域，所述公共电极线位于外围区域，且所述公共电极线的延伸方向垂直于所述栅线的延伸方向，当所述静电防护线连接在所述栅线和所述公共电极线之间时，连接在相邻两根所述栅线上的两根所述静电防护线设置在所述外围区域的同一侧。
[0020]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0021]在所述栅线和所述公共电极线之间形成两个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的源极和栅极连接，且所述两个薄膜晶体管中一个所述薄膜晶体管的源极与另一个所述薄膜晶体管的漏极连接，所述两个薄膜晶体管的栅极分别为连接在相邻两根所述栅线上的两根所述静电防护线，其中一个所述薄膜晶体管的栅极为一根所述静电防护线连接在所述栅线上的部分，另外一个所述薄膜晶体管的栅极为另一根所述静电防护线连接在所述公共电极线上的部分。
[0022]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述静电防护线包括两个连接部和设于所述两个连接部之间的放电部，所述放电部的宽度小于所述连接部的宽度，所述放电部的宽度小于1.5微米。
[0023]优选地，所述放电部的宽度为I微米。
[0024]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述静电防护线的断开处的两个断开端之间的距离为1-8微米。
[0025]优选地，所述距离为3-5微米。
[0026]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述静电防护线在断开处形成相对的两个端子，其中任一端子都具有至少一个朝向另一端子的尖端。
[0027]第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括基板及设于所述基板上的第一图形，所述第一图形包括多根信号线和多根连接在任意两根所述信号线之间的静电防护线，每根所述静电防护线在形成所述第一图形的上方的第二图形的过程中断开。
[0028]可选地，所述信号线包括栅线、栅极引线、公共电极线、公共电极引线、数据线、数据线引线中的一种或多种，每根所述静电防护线的两端与所述多根信号线中的任意两根信号线电连接。
[0029]可选地，所述静电防护线的两端与处于同一层的信号线电连接；或者，所述静电防护线的两端与处于不同层的信号线电连接，所述静电防护线的位于不同层的各个部分通过过孔连接。
[0030]优选地，所述静电防护线电连接在任意相邻的两根所述信号线之间。
[0031]优选地，所述第一图形为栅金属层的图形，所述第二图形为源漏金属层的图形。
[0032]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述栅线位于显示区域，所述公共电极线位于外围区域，且所述公共电极线的延伸方向垂直于所述栅线的延伸方向，当所述静电防护线连接在所述栅线和所述公共电极线之间时，连接在相邻两根所述栅线上的两根所述静电防护线设置在所述外围区域的同一侧。
[0033]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述阵列基板还包括:
[0034]连接在所述栅线和所述公共电极线之间的两个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的源极和栅极连接且与另一个所述薄膜晶体管的漏极连接，所述两个薄膜晶体管的栅极分别为连接在相邻两根所述栅线上的两根所述静电防护线，其中一个所述薄膜晶体管的栅极为一根所述静电防护线连接在所述栅线上的部分，另外一个所述薄膜晶体管的栅极为另一根所述静电防护线连接在所述公共电极线上的部分。
[0035]第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括前述阵列基板。
[0036]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0037]通过静电防护线将任意两根信号线连接，当在阵列基板的制造过程中，产生ESD电流时，ESD电流不再只在一根信号线内扩散，ESD电流还在通过静电防护线连接的信号线扩散形成等电位，从而避免了高压ESD对阵列基板的损伤，实现了静电防护，提高了产品的良品率；在后续步骤中，刻断该静电防护线，保证阵列基板制成后正常工作。
【附图说明】
[0038]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0039]图1是本发明实施例提供的一种阵列基板制造方法流程图；
[0040]图2a是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0041]图2b是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0042]图3是本发明实施例提供的另一种阵列基板制造方法流程图；
[0043]图4是本发明实施例提供的阵列基板制造方法中步骤201中阵列基板的结构示意图；
[0044]图5是本发明实施例提供的阵列基板制造方法中步骤202中阵列基板的结构示意图；
[0045]图6是本发明实施例提供的阵列基板制造方法中步骤203中阵列基板的结构示意图；
[0046]图7是本发明实施例提供的阵列基板制造方法中步骤204中阵列基板的结构示意图；
[0047]图8a是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构不意图；
[0048]图8b是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构不意图；
[0049]图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0050]图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0051]图11是本发明实施例提供的一种静电防护线的结构示意图；
[0052]图12是本发明实施例提供的另一种静电防护线的结构示意图。
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