与娃基板10导通。这被称为烧通（firethrough)。
[0115] 〈太阳能电池〉
[0116] 太阳能电池构成为：包含所述太阳能电池元件的至少一种，在太阳能电池元件的 电极上配置布线材料。太阳能电池还可以根据需要介由布线材料连接多个太阳能电池元 件、并通过密封材料进行密封。
[0117] 所述布线材料及密封材料没有特别限定，可以从本领域中通常使用的材料中适当 选择。
[0118] 实施例
[0119] 以下，对本发明的实施例进行更具体地说明，但本发明并不限定于这些实施例。需 要说明的是，只要没有特别记载，则化学试剂全部使用试剂。另外，" ％"只要没有特别限定， 则是指"质量％ "。
[0120] 〈实施例1>
[0121] (阻挡层形成用组合物11的制备）
[0122] 在猫品醇（日本Terpene化学株式会社"Terpineol_LW"）8. 5g中添加乙基纤维 素（DOWChemicalCompany"ETHOCELSTD200"、（ETHOCEL)为注册商标）1.5g，在 150°C下 溶解1小时，制备15质量％乙基纤维素/萜品醇溶液。
[0123] 在塑料制容器中放入硅酸乙酯（多摩化学工业株式会社"Silicate40"、5102换 算量：40% )I. 5g(硅化物以5102换算计为6质量％ )、15质量％乙基纤维素/萜品醇溶 液4. 3g(乙基纤维素：6. 45质量％ )、以及萜品醇4. 2g(萜品醇：63. 55质量％ )。使用自 转?公转搅拌器（株式会社THINKY"AR-100"）将其混合10分钟，制备阻挡层形成用组合 物11〇
[0124] 该阻挡层形成用组合物11在25°CAmirT1时的粘度为25Pa?s。粘度的测定如下 所述：使用EHD型粘度计（东京计器株式会社、圆锥角度：3°、圆锥半径：14_)，将阻挡层 形成用组合物的进样量设为0. 4ml，测定粘度。
[0125] (磷扩散液的制备）
[0126] 制备磷酸二氢铵（和光纯药工业株式会社）的20质量％水溶液，将上清液的饱和 磷酸二氢铵水溶液用作磷扩散液。
[0127] (热扩散及蚀刻工序）
[0128] 在纹理处理后的n型硅基板（以下也称为"n型硅基板"）表面上，通过丝网印刷 (MT-320T、MICROTEK株式会社）涂布阻挡层形成用组合物11，在150°C的热板上干燥5分 钟后，利用500°C的热板使其干燥1分钟。将其作为带有阻挡层的基板。
[0129] 接着，准备其他的硅基板，以SOOmirT1的速度旋涂（Mikasa株式会社、MS-A100)磷 扩散液，在20(TC进行干燥。将其作为对置扩散用基板。
[0130] 在使带有阻挡层的基板与对置扩散用基板以距离Imm对置的状态下，在850°C下 加热30分钟，使磷扩散至带有阻挡层的基板。然后，将带有阻挡层的基板在10质量％盐酸 水溶液中浸渍5分钟后，进行水洗，再在2. 5质量％氢氟酸水溶液中浸渍5分钟。对其进行 水洗并干燥后，进行了下述评价。
[0131] (薄层电阻的测定）
[0132] 涂布了阻挡层形成用组合物的部分的基板薄层电阻如下所述地进行测定，S卩，使 用三菱化学株式会社、Loresta-EPMCP-T360型低电阻率计，利用四探针法进行测定。涂布 了阻挡层形成用组合物11的部分的薄层电阻为190D/ □。未涂布的部分的薄层电阻为 40Q/ □ 〇
[0133] 需要说明的是，作为参照试样，将切片后的n型硅基板在2. 5质量％HF水溶液中 浸渍5分钟，对其进行水洗并干燥，测定干燥后的薄层电阻，结果为240D/ 口。
[0134] 〈实施例2~6、比较例1>
[0135] 制备表1及2所示的组成的阻挡层形成用组合物，与实施例1同样地进行了评价。 结果示于表1及2。需要说明的是，表1及2中示出的材料如下所示。需要说明的是，表中 表示未添加。
[0136] 硅酸甲酯：多摩化学工业株式会社、产品名"MSilicate51、SiO2换算量：51质 量％
[0137] 聚硅氮烷：AZElectronicMaterials公司、产品名"NN110"（10质量％聚硅氮烷 /二甲苯溶液）、SiO2换算量：约13. 3质量％
[0138] 丁基卡必醇乙酸酯：和光纯药工业株式会社
[0139] 氧化硅：株式会社高纯度化学研宄所、产品名氧化硅（平均粒径：1ym)
[0140] [表 1]
[0141]
[0144] 根据以上内容可知，通过使用含有特定含硅化合物、有机粘合剂、和分散介质且在 25°C下的粘度为IPa?s~IOOPa?s的阻挡层形成用组合物，能够充分防止掺杂物向半导 体基板扩散。另外可知，能够抑制半导体基板的表面粗糙。
【主权项】
1. 一种阻挡层形成用组合物，其含有：选自下述通式1所示的至少一种烷氧基硅烷、聚 硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物； 有机粘合剂；和分散介质，所述组合物在25°C下的粘度为IPa ? s~IOOPa ? s， (RVnSi(OR2)n. ??通式 1 通式1中，R1及R2各自独立地表示碳数1~6的脂肪族烃基或芳香族烃基，n表示1~ 4中任一个整数，在包含2个以上R1或R2的情况下，各R1或各R 2可以相同也可以不同。2. 根据权利要求1所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述含硅化合物的含有率以3102换算计为1质量％~18质量％。3. 根据权利要求1所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述含硅化合物的含有率以3102换算计为5质量％~16质量％。4. 根据权利要求1所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述含硅化合物的含有率以3102换算计为6质量％~13质量％。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述有机粘合剂包含选自纤维素衍生物、丙烯酸类树脂以及醇酸树脂中的至少一种。6. 根据权利要求1~5中任一项所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述有机粘合剂包含乙基纤维素。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述分散介质包含选自水、醇溶剂、醚溶剂、二醇单醚溶剂以及萜溶剂中的至少一种。8. 根据权利要求1~6中任一项所述的阻挡层形成用组合物，其中， 所述分散介质包含选自萜品醇、丁基卡必醇以及丁基卡必醇乙酸酯中的至少一种。9. 根据权利要求1~8中任一项所述的阻挡层形成用组合物，其在25°C下的粘度为 IOPa ? s ~80Pa ? s。10. -种带有阻挡层的半导体基板，其具有： 半导体基板、以及 被赋予到所述半导体基板上的、权利要求1~9中任一项所述的阻挡层形成用组合物 的干燥体即阻挡层。11. 一种太阳能电池用基板的制造方法，其包括： 将权利要求1~9中任一项所述的阻挡层形成用组合物赋予到半导体基板上，形成图 案状的阻挡层的工序；以及 在所述半导体基板上的未形成有所述阻挡层的部分，扩散施主元素或受主元素，在所 述半导体基板内部分地形成扩散层的工序。12. 根据权利要求11所述的太阳能电池用基板的制造方法，其中， 将所述阻挡层形成用组合物赋予到所述半导体基板的方法为丝网印刷法。13. -种太阳能电池元件的制造方法，其包括： 在通过权利要求11或12所述的制造方法获得的太阳能电池用基板的扩散层上，形成 电极的工序。
【专利摘要】一种阻挡层形成用组合物，其含有：选自通式1：(R1)4-nSi(OR2)n所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物；有机粘合剂；和分散介质，所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s～100Pa·s。式中，R1及R2各自独立地表示碳数1～6的脂肪族烃基或芳香族烃基，n表示1～4中任一个整数。在包含2个以上R1或R2的情况下，各R1或各R2可以相同也可以不同。
【IPC分类】H01L31/068, H01L31/18
【公开号】CN104969364
【申请号】CN201480006954
【发明人】织田明博, 吉田诚人, 野尻刚, 仓田靖
【申请人】日立化成株式会社
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2014年2月12日
【公告号】WO2014126117A1