光半导体装置的制造方法_3

文档序号:9278307阅读:来源:国知局
且例如为1,000, OOOmPa ? s以下、优选为100, OOOmPa ? s以下。
[0081] <8阶化工序56>
[0082] 在图2所示的B阶化工序S6中,由清漆形成B阶的荧光体片2。
[0083] 为了形成B阶的荧光体片2,如图5所示,例如首先将清漆涂布在脱模片4的表面。
[0084] 作为脱模片4,可以列举出:例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜, 例如陶瓷片,例如金属箔等。优选列举出聚合物薄膜。此外,还可以对脱模片4的表面实施 氟处理等剥离处理。此外,对脱模片4的形状没有特别限定,例如形成为俯视大致矩形(包 括短条状(诗签状)、长条状(长尺状))等。
[0085] 为了将清漆涂布在脱模片4的表面,例如使用分配器、涂抹器、狭缝式挤压涂布机 (Slot Die Coater)等涂布装置。优选使用图5所示的分配器13。
[0086] 此外,以荧光体片2的厚度例如为10 ym以上、优选为50 ym以上、且例如为 2000 ym以下、优选为1000 ym以下的方式将清漆涂布于脱模片4。
[0087]清漆7涂布成在俯视下为例如大致矩形(包括短条状、长条状)、例如圆形等适宜 的形状。构成上述形状的清漆7可以相互隔着间隔形成。
[0088] 此外,还可以将清漆7涂布于例如俯视大致矩形(长条状除外)的脱模片4,通过 接下来说明的B阶化而形成单片式的荧光体片2,或者连续涂布于长条状的脱模片4,通过 接下来说明的B阶化而形成连续式的荧光体片2。需要说明的是,在将荧光体片2制成单片 的情况下,在同一个脱模片4上制造多个荧光体片2时,间断地涂布清漆7。
[0089] 其后,将所涂布的清漆7B阶化(半固化)。
[0090] 清漆7含有2阶段固化型热固化性树脂时,例如对所涂布的清漆7进行加热。
[0091 ] 为了加热清漆7,例如使用如图6所示具备在脱模片4的上侧和下侧对向配置的加 热器54、或者具备在脱模片4的上侧或下侧配置的加热器54的烘箱55。
[0092] 对于加热条件,加热温度为例如40°C以上、优选为80°C以上、更优选为KKTC以 上、且例如为200°C以下、优选为150°C以下、更优选为140°C以下。加热时间例如为1分钟 以上、优选为5分钟以上、更优选为10分钟以上、且例如为24小时以下、优选为1小时以下、 更优选为0.5小时以下。
[0093] 或者,在清漆7含有2阶段固化型活性能量射线固化性树脂时,对清漆7照射活性 能量射线。具体而言,使用紫外灯等对清漆7照射紫外线。
[0094] 由此,对清漆7进行B阶化(半固化)、而不C阶化(完全固化),换言之,形成C 阶化(完全固化)前的荧光体片2、即B阶的荧光体片2。
[0095] 由此,制造如图6所示层叠在脱模片4的表面的B阶的荧光体片2。
[0096] 具体而言,根据在决定工序S2中决定的清漆7的涂布条件(具体为清漆7的形状、 厚度等)、B阶化中的清漆7的加热条件、活性能量射线的照射条件,由清漆7形成B阶的荧 光体片2。
[0097] 该片制造工序S3中制造的荧光体片2在25°C下的压缩弹性模量例如为0. 040MPa 以上、优选为0. 050MPa以上、更优选为0. 075MPa以上、进一步优选为0.1 OOMPa以上、且 例如为0. 145MPa以下、优选为0. 140MPa以下、更优选为0. 135MPa以下、进一步优选为 0? 125MPa 以下。
[0098] 压缩弹性模量超过上述上限时,在C阶化工序S7中利用荧光体片2被覆LED3时, 在LED3引线键合安装于基板5的情况下,有时引线(未图示)会发生变形。
[0099] 而另一方面,压缩弹性模量小于上述下限时,难以确保荧光体片2的形状。即,有 时清漆7不形成荧光体片2的形状。
[0100] 其后,还可以根据需要,将连续式的B阶的荧光体片2连同连续的脱模片4 一起切 断成规定形状,形成单片式的荧光体片2。
[0101] <(:阶化工序57>
[0102] 在图2所示的C阶化工序S7中,如图7及图8所示,首先,利用B阶的荧光体片2 被覆LED3,接着,将B阶的荧光体片2C阶化。
[0103] 为了利用B阶的荧光体片2被覆LED3,如图7所示,首先,准备安装有LED3的基板 5〇
[0104] 基板5由例如硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、在金属基板上层叠有绝缘层 的层叠基板等绝缘基板构成。
[0105] 此外,在基板5的表面形成有具备用于与接下来说明的LED3的端子(未图示)电 连接的电极(未图示)和与该电极连接的布线的导体图案(未图示)。导体图案由例如金、 铜、银、镍等导体形成。
[0106] 此外,基板5的表面形成平坦状。或者,虽然没有图示,但也可以在基板5的要安 装LED3的表面形成朝向下方凹陷的凹部。
[0107] 基板5的外形形状没有特别限定,例如可以列举出俯视大致矩形、俯视大致圆形 等。基板5的尺寸可以适当选择,例如,最大长度例如为2mm以上、优选为IOmm以上、且例 如为300mm以下、优选为IOOmm以下。
[0108] LED3是将电能转换成光能的光半导体元件,例如形成为厚度比面方向长度(相对 于厚度方向的垂直方向长度)短的剖视大致矩形。
[0109] 作为LED3,例如可以列举出发出蓝色光的蓝色LED(发光二极管元件)。LED3的 尺寸根据用途及目的来适当设定,具体而言,厚度例如为10~1000 ym,最大长度例如为 0? 05mm以上、优选为0? Imm以上、且例如为5mm以下、优选为2mm以下。
[0110] LED3的发光峰波长例如为400nm以上、优选为430nm以上、且例如为500nm以下、 优选为470nm以下。
[0111] LED3例如倒转芯片安装于基板5、或者引线键合安装于基板5。
[0112] 此外,可以将多个(图7中为3个)LED3如图5所示安装于1个基板5。平均每个 基板5的LED3的安装数例如为1以上、优选为4以上、且例如为2000以下、优选为400以 下。
[0113] 接着,根据在决定工序S2中决定的与上述基板5相关的信息、例如基板5的外形 形状、尺寸、表面形状(有无凹部)、例如安装于基板5的LED3的形状、尺寸、LED3的发光峰 波长、基板5的每单位面积的LED3的安装数、每个基板5的LED3的安装数等,选择并准备 安装LED3的基板5。
[0114] 接着,在该方法中,将安装有LED3的基板5设置于图7所示的压制机20。
[0115] 作为压制机20,例如采用在上下方向具备隔着间隔对向配置的2块平板21的平板 压制机等。
[0116] 为了将安装有LED3的基板5设置于图7所示的压制机20,具体而言,将安装有 LED3的基板5设置于下侧的平板21。
[0117] 接着,使层叠于脱模片4的上表面的荧光体片2 (参照图6)上下翻转,使其对向配 置于LED3的上侧。即,以面向LED3的方式配置荧光体片2。
[0118] 接着,如图8所示,利用荧光体片2被覆LED3。具体而言,利用荧光体片2埋设 LED3〇
[0119] 此外,根据在决定工序S2中决定的压制条件,利用荧光体片2被覆LED3。
[0120] 具体而言,如图7的箭头所示,使荧光体片2下降(下压)。详细而言,朝向安装有 LED3的基板5压制荧光体片2。
[0121] 压制压力例如为0. 05MPa以上、优选为0.1 MPa以上、且例如为IMPa以下、优选为 0? 5MPa 以下。
[0122] 由此,利用荧光体片2被覆LED3。即,LED3被埋设在荧光体片2内。
[0123] 由此,利用荧光体片2封装LED3。
[0124] 其后,将荧光体片2C阶化。
[0125] 根据例如在决定工序S2中决定的C阶化中的荧光体片2的加热条件、活性能量射 线的照射条件,将荧光体片2C阶化。
[0126] 具体而言,在2阶段固化型树脂为2阶段固化型热固化性树脂时,对荧光体片2进 行加热。具体而言,一边维持由平板21带来的对荧光体片2的压制状态一边投入烘箱内。 由此对荧光体片2进行加热。
[0127] 加热温度例如为80°C以上、优选为100°C以上、且例如为200°C以下、优选为180°C 以下。此外,加热时间例如为10分钟以上、优选为30分钟以上、且例如为10小时以下、优 选为5小时以下。
[0128] 通过荧光体片2的加热,荧光体片2发生C阶化(完全固化)。
[0129] 需要说明的是,在2阶段固化型树脂为2阶段固化型活性能量射线固化性树脂时, 通过对荧光体片2照射活性能量射线,使荧光体片2C阶化(完全固化)。具体而言,使用
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