ppm、即相对于缩合原料100g为0. 375 X I(T4g)，在40°C下搅拌10分 钟，制备A阶的有机硅树脂组合物（第2缩合反应?加成反应固化型有机硅树脂）。A阶的 有机硅树脂组合物在25°C、1个大气压条件下的粘度为8000mPa ? s。
[0175][化学式1]
[0176]
[0177] [化学式2]
[0178] R2-Si-(X1)3 (2)
[0179] [化学式3]
[0180] R3-Si-(X2) 3 (3)
[0181] 将有机硅树脂组合物100质量份、有机硅橡胶颗粒（球形、平均粒径7 ym) 20质量 份、及作为黄色荧光体的YAG颗粒（球形、平均粒径7 y m) 10质量份投入具备搅拌机的混合 容器，使用搅拌机将它们混合。由此制备A阶的清漆。清漆在25°C、1个大气压条件下的粘 度为 20000mPa ? s。
[0182] <8阶化工序56>
[0183] 接着，利用分配器（参照图5)在由PET制成的脱模片的表面将清漆涂布为俯视矩 形（尺寸：10mmX 100mm)，然后，在135°C的烘箱中加热15分钟，由此制造层叠于脱模片的 厚度600 y m的B阶的封装片。
[0184] 测定刚制造的B阶的封装片在25°C下的压缩弹性模量，结果，为0. 040MPa(参照 表1)。具体而言，利用AIKOH ENGINEERING CO. ,LTD.制造的精密载荷测定机算出25°C下 的压缩弹性模量。
[0185] <(：阶化工序57>
[0186] 准备俯视矩形的安装有厚度150 y m的LED的基板（参照图7)。LED及基板的形 状、数目及尺寸记载于以下。
[0187] 基板的形状：俯视正方形
[0188] 基板的尺寸：一边8mm、最大长度Ilmm
[0189] LED的形状：俯视正方形
[0190] LED的尺寸：一边0? 3mm、最大长度0? 4mm
[0191] LED的安装数：9
[0192] LED的密度：基板的每单位面积（mm2)的LED的安装数0. 14个/mm2
[0193]:每个基板的LED的安装数9
[0194] LED的发光峰波长：452?
[0195] 接着，将安装有LED的基板设置于压制机（参照图7)。
[0196] 另行将B阶的封装片配置于设置有基板的压制机（参照图7)。
[0197] 接着，利用封装片封装LED(参照图8)。
[0198] 具体而言，利用平板压制机，在室温下下压封装片，以压力0.2MPa利用封装片埋 设LED。由此，利用封装片封装LED。
[0199] 其后，将压制了封装片及基板的平板投入烘箱，对封装片进行150°C、30分钟加 热，将封装片C阶化。
[0200] 其后，将脱模片从封装片剥离（参照图8的箭头）。
[0201] 由此试制试制品。
[0202] 需要说明的是，试制品的数目为1。
[0203] <评价工序S8 >
[0204] A?色温
[0205] 其后，对试制品的荧光体片进行评价。
[0206] 具体而言，对试制品的基板流通IOOmA的电流，实施利用瞬间多通道测光系统 (MCPD-9800、大塚电子株式会社制造）测定刚流通电流后的光的色温的点亮试验。
[0207] 其结果示于表1。
[0208] B.翘曲量
[0209] 此外，测定试制品的荧光体片的翘曲量。
[0210] 其结果示于表1。
[0211] [决定工序S2]
[0212] 已知试制品的光的色温的测定值基本到达作为目标范围的5450K，因此，使荧光体 的配混比例保持相对于有机硅树脂组合物100质量份为10质量份来决定制造条件。
[0213] [制造工序S3]
[0214] 在制造工序S3中，在决定工序S2中决定的制造条件（荧光体的配混比例相对于 有机硅树脂组合物100质量份为10质量份）下，与试制工序Sl中的清漆制备工序S5、B阶 化工序S6及C阶化工序S7各工序同样地实施。由此制造LED装置。
[0215] 需要说明的是，LED装置的数目为1000。
[0216] [产品的评价]
[0217] 测定制得的LED装置的色温，结果，色温为目标的5450K，其偏差值也在目标范围 即 5425 ~5475K 内。
[0218] 比较例1
[0219] 对< B阶化工序S6 >之后且< C阶化工序S7 >之前的B阶的荧光体片实施<评 价工序S8 >，除此以外，与实施例1同样地实施。
[0220] <评价工序S8 >中的B阶的荧光体片的"A.色温"及"B.翘曲量"的结果如表1 所示，无法判断所要制造的LED装置的色温是否会达到目标值。
[0221] (考察）
[0222] 实施例1及比较例1的色温（Tc)之差为约18K，可以看出其原因在于：由伴随C阶 化的固化收缩引起的翘曲量大。
[0223] 因此，实施例1的决定工序中决定的制造条件考虑到了由于翘曲量大引起的色温 的变化，由此，作为产品的LED装置的色温在目标范围内。
[0224] 另一方面，比较例1的决定工序中决定的制造条件没有考虑到由翘曲量大引起的 色温的变化，因此，作为产品的LED装置的色温在目标范围外。
[0225] [表 1]
[0226]
[0227] * :B阶状态
[0228] 需要说明的是，上述发明是作为本发明的例示实施方式提供的，其仅仅是例示，不 作限定性解释。对于本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在权利要求书范围 内。
[0229] 产业h的可利用件
[0230] 光半导体装置的制造方法被用于LED装置、LD装置的制造。
[0231] 附图标iP,说明
[0232] ILED装置（激光二极管装置）
[0233] 2荧光体片
[0234] 3 LED(激光二极管）
[0235] 6试制品
[0236] 7 清漆
[0237] Sl试制工序
[0238] S2决定工序
[0239] S3制造工序
[0240] S4试制条件决定工序
【主权项】
1. 一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，为制造利用荧光体片被覆光半导体元 件的光半导体装置的方法，其具备以下工序： 试制工序，试制试制品来进行评价； 决定工序，根据所述试制品的评价来决定用于制造所述光半导体装置的制造条件；以 及， 制造所述光半导体装置的制造工序，根据在所述决定工序中决定的所述制造条件，利 用B阶的所述荧光体片被覆所述光半导体元件，将该荧光体片C阶化， 所述试制工序具备如下工序： 清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆； B阶化工序，由所述清漆形成B阶的所述荧光体片； C阶化工序，将B阶的所述荧光体片C阶化；以及， 评价工序，对C阶的所述荧光体片进行评价。2. 根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述C阶化工序 中，利用所述荧光体片被覆所述光半导体元件， 在所述评价工序中，对利用所述荧光体片被覆了所述光半导体元件的所述光半导体装 置进行评价。3. 根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，所述试制工序还具 备如下工序： 试制条件决定工序，根据本次之前试制所述试制品的试制条件以及评价的信息来决定 本次用于试制所述试制品的试制条件。
【专利摘要】本发明的光半导体装置的制造方法是制造利用荧光体片被覆光半导体元件的光半导体装置的方法。其具备以下工序：试制工序，试制试制品来进行评价；决定工序，根据试制品的评价来决定用于制造光半导体装置的制造条件；以及，制造光半导体装置的制造工序，根据在决定工序中决定的制造条件，利用B阶的荧光体片被覆光半导体元件，将该荧光体片C阶化。试制工序具备如下工序：清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序，由清漆形成B阶的荧光体片；C阶化工序，将B阶的荧光体片C阶化；以及评价工序，对C阶的荧光体片进行评价。
【IPC分类】H01L33/52, H01L33/50
【公开号】CN104995755
【申请号】CN201380072837
【发明人】大薮恭也, 二宫明人, 伊藤久贵, 梅谷荣弘, 三谷宗久
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2013年12月10日
【公告号】WO2014155850A1