，如图所示。具体地说，可按照层叠封装(PoP)的形式将DRAM 1060与应用处理器1001封装在一起。
[0078]SoC系统1000的元件中的至少一个可采用根据本发明构思的上述实施例的半导体器件中的任一个。
[0079]图14是包括根据本发明构思的实施例的半导体器件的电子系统1100的框图。
[0080]参照图14，电子系统1100可包括控制器1110、输入/输出(I/O)装置1120、存储器装置1130、接口 1140和总线1150。控制器1110、I/O装置1120、存储器装置1130和/或接口 1140可通过总线1150彼此连接。总线1150可用作用于传输数据的路径。
[0081]控制器1110可包括微处理器、数字信号处理器、微控制器和能够执行与微处理器、数字信号处理器和微控制器的功能相似的功能的逻辑装置中的至少一个。I/o装置1120可包括小键盘、键盘和显示装置。存储器装置1130可存储数据和/或命令。接口 1140可用于将数据发送至通信网络或从通信网络接收数据。接口 1140可为有线或无线接口。在一个示例中，接口 1140可包括天线或者有线或无线收发器。
[0082]虽然附图中未示出，电子系统1100可包括用于改进控制器1110的操作的操作存储器，并且还可包括高速DRAM或SRAM。这里，可采用根据本发明构思的上述实施例的半导体器件中的任一个作为操作存储器。另外，根据上述实施例的半导体器件中的任一个可设置在存储器装置1130、接口 1140、控制器1110或I/O装置1120中。
[0083]电子系统1100可应用于能够在无线环境中发送或接收信息的几乎所有类型的电子产品，诸如个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络平板、无线电话、移动电话、数字音乐播放器、存储卡等。
[0084]图15至图17是示出可应用根据本发明构思的实施例的半导体器件的半导体系统的示例的图。
[0085]图15示出了平板个人计算机(PC) 1200，图16示出了笔记本计算机1300，图17示出了智能电话1400。如本文阐述的那样，根据本发明构思的上述实施例的半导体器件中的至少一个可用于平板PC1200、笔记本计算机1300和智能电话1400中。
[0086]如本文所述，根据本发明构思的实施例的半导体器件还可应用于除本文阐述的这些以外的各种IC装置。也就是说，虽然将平板PC1200、笔记本计算机1300和智能电话1400描述为根据本发明构思的实施例的半导体系统的示例，但是根据实施例的半导体系统的示例不限于平板PC 1200、笔记本计算机1300和智能电话1400。在本发明构思的一些实施例中，半导体系统可设为计算机、超移动PC(UMPC)、工作站、上网本计算机、PDA、便携式计算机、无线电话、移动电话、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航装置、黑盒子、数码相机、3维电视机、数字音频记录仪、数字音频播放器、数字图片记录仪、数字图片播放器、数字视频记录仪、数字视频播放器等。
[0087]虽然已经参照本发明构思的各个实施例具体地示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可对其作出各种形式和细节上的修改。因此期望的时，在所有方面将这些实施例看作是示出性而非限制性的，应该参所附照权利要求书而非以上描述来指明本发明构思的范围。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸； 第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸； 第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及 伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一栅极结构与第二栅极结构以第一距离分离，伪结构介于第一栅极结构与第二栅极结构之间。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第一距离为30nm或更大。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，伪结构在第一方向上的宽度大于或等于第一栅极结构在第一方向上的宽度，并且还大于或等于第二栅极结构在第一方向上的宽度。5.根据权利要求所述的半导体器件1，其中，伪结构的高度大于或等于第一栅极结构的高度，并且还大于或等于第二栅极结构的高度。6.—种半导体器件，包括: 第一鳍式场效应晶体管区域，其包括沿着第一方向延伸的第一有源鳍和在第一有源鳍上沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第一栅极结构； 第二鳍式场效应晶体管区域，其在第二方向上邻近于第一鳍式场效应晶体管区域，并包括沿着第一方向延伸的第二有源鳍和在第二有源鳍上沿着第二方向延伸的第二栅极结构；以及 伪结构区域，其与第一鳍式场效应晶体管区域的一个区和第二鳍式场效应晶体管区域的一个区重叠。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第一鳍式场效应晶体管区域的所述区包括其中未形成第一栅极结构的区，并且第二鳍式场效应晶体管区域的所述区包括其中未形成第二栅极结构的区。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第一鳍式场效应晶体管区域的所述区和第二鳍式场效应晶体管区域的所述区彼此邻近。9.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括伪结构区域中的伪结构。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，伪结构在第一方向上的宽度大于或等于第一栅极结构在第一方向上的宽度，并且还大于或等于第二栅极结构在第一方向上的宽度。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，伪结构的高度大于或等于第一栅极结构的高度，并且还大于或等于第二栅极结构的高度。12.一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤: 在衬底上形成第一有源鳍和第二有源鳍以沿着第一方向延伸； 在第一有源鳍上形成第一栅极结构以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸，并且在第二有源鳍上形成第二栅极结构以沿着第二方向延伸；以及在第二栅极结构上形成阻挡层， 其中，阻挡层延伸以部分地覆盖第一栅极结构。13.根据权利要求12所述的方法，其中，在第二栅极结构上形成阻挡层的步骤包括形成阻挡层以使得阻挡层的端部位于第一栅极结构上。14.根据权利要求13所述的方法，其中，第一栅极结构包括多晶硅层和位于多晶硅层上的间隔层，其中，间隔层包括位于多晶硅层的侧表面上的侧壁间隔层，并且在第二栅极结构上形成阻挡层的步骤包括形成阻挡层以使得阻挡层的端部位于侧壁间隔层与第一有源鳍之间。15.一种半导体器件，包括: 第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸； 第一有源鳍上的第一栅极结构，其沿着与第一方向交叉的第二方向延伸； 第二有源鳍上的第二栅极结构，其沿着第二方向延伸，并且布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构；以及 第三栅极结构，其未在有源鳍上延伸，而是在第一栅极结构和第二栅极结构之间沿着第二方向延伸。16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，第三栅极结构与第一栅极结构和第二栅极结构间隔开。17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，第三栅极结构包括沿着第二方向朝着第二栅极结构延伸的第一栅极结构的第一延伸部分和沿着第二方向朝着第一栅极结构延伸的第二栅极结构的第二延伸部分。18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，第一延伸部分和第二延伸部分沿着第二方向以小于30nm的距离彼此间隔开。19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构各自包括第一层、位于第一层上的第二层和位于第二层上的第三层，所述第三层远离第一层并且位于第一层和第二层的侧壁上。20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，第一层包括多晶硅，第二层包括硬掩模，第三层包括绝缘材料。
【专利摘要】本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/78
【公开号】CN105006483
【申请号】CN201510194427
【发明人】李馥英, 李正允, 金东贤, 金明哲, 韩东佑
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年4月22日
【公告号】US20150303194