基板处理装置以及基板处理方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
【背景技术】
[0002]基板处理装置是如下所述的装置:在半导体等的制造工序中，向晶片、液晶基板等基板的表面供给处理液并对该基板表面进行处理，之后，对基板表面进行干燥。在该干燥工序中，由于伴随近年的半导体的高集成化、高容量化的微细化，产生例如存储器单元、栅极周围的图案倒塌的问题。这起因于图案彼此的间隔、构造、以及处理液的表面张力等。
[0003]因此，将抑制上述的图案倒塌作为目的，提出使用了表面张力比超纯水小的IPA (2 一丙醇:异丙醇)的基板干燥(例如，参照专利文献I)，在量产工场等使用将基板表面上的超纯水置换成IPA而进行基板干燥的处理方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2008 - 34779号公报
【发明内容】
[0007]发明所要解决的问题
[0008]然而，半导体的微细化日益发展，即使是使用了如IPA那样挥发性高的有机溶剂的干燥，晶片的微细图案也会由于液体的表面张力等发生歪斜。
[0009]例如，在液体进行干燥的过程中，基板表面的干燥速度产生不均匀，一部分的图案间残留液体时，由于该部分的液体的表面张力，图案发生倒塌。尤其是，液体残留的部分的图案彼此由于液体的表面张力所造成的弹性变形而歪斜，在该液中少量溶解的残渣凝聚，在之后液体完全地气化时，歪斜了的图案彼此粘合而倒塌。
[0010]本发明所要解决的问题提供一种能够抑制图案的倒塌并且进行良好的基板干燥的基板处理装置以及基板处理方法。
[0011]用于解决问题的手段
[0012]实施方式涉及的基板处理装置具备:溶剂供给部，向基板的表面供给挥发性溶剂；以及加热部，加热基板，以使在供给有挥发性溶剂的基板的表面产生气层并使挥发性溶剂成为液体珠。
[0013]实施方式涉及的基板处理方法具有:向基板的表面供给挥发性溶剂的工序；以及以使在供给有挥发性溶剂的基板的表面产生气层并使挥发性溶剂成为液体珠的方式加热基板的工序。
[0014]发明的效果
[0015]根据本发明，能够抑制图案的倒塌并且进行良好的基板干燥。
【附图说明】
[0016]图1是表示第一实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的图。
[0017]图2是表示第一实施方式涉及的基板处理工序的流程的流程图。
[0018]图3是用于说明第一实施方式涉及的由照射部进行的干燥的说明图。
[0019]图4是用于说明第一实施方式涉及的不使用照射部的情况下的干燥的说明图。
[0020]图5是表示第二实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的图。
[0021]图6是表示第三实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的图。
[0022]图7是表示第四实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的图。
[0023]图8是表示第四实施方式涉及的照射部用的移动机构的概略结构的俯视图。
[0024]图9是表不第四实施方式涉及的照射部用的移动机构的另一个例子的俯视图。
[0025]图10是表示第五实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的图。
[0026]图11是表示第六实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的图。
【具体实施方式】
[0027](第一实施方式)
[0028]参照图1?图4对第一实施方式进行说明。
[0029]如图1所示，第一实施方式涉及的基板处理装置I具备成为处理室的处理箱2、在该处理箱2内设置的罩3、在该罩3内在水平状态下支撑基板W的工作台4、以及使该工作台4在水平面内旋转的旋转机构5。进一步地，基板处理装置I具备，向工作台4上的基板W的表面供给第一处理液的第一处理液供给部6、向工作台4上的基板W的表面供给第二处理液的第二处理液供给部7、供给挥发性溶剂的溶剂供给部8、供给气体的气体供给部9、照射光的照射部10、使该照射部10移动的移动机构11、以及控制各部的控制部12。
[0030]卓3形成为圆筒形状，从周围包围工作台4并将该工作台4收纳于内部。卓3的周壁的上部朝向径向的内侧倾斜，并以工作台4上的基板W露出的方式开口。该罩3接收从旋转的基板W上流落或者飞溅的处理液。另外，在罩3的底部，设有用于排出接收到的处理液的排出管(未图不)。
[0031]工作台4定位于罩3内的中央附近，该工作台4设置成在水平面内能够旋转。该工作台4具有多个销等的支撑构件4a，通过这些支撑构件4a，使晶片、液晶基板等基板W保持为能够装卸。
[0032]旋转机构5具有与工作台4连结的旋转轴，以及成为使该旋转轴旋转的驱动源的电动机(均未图示)等，通过电动机的驱动经由旋转轴使工作台4旋转。该旋转机构5与控制部12电连接，该驱动由控制部12控制。
[0033]第一处理液供给部6具有相对于工作台4上的基板W的表面从斜方向吐出第一处理液的喷嘴6a，从该喷嘴6a向工作台4上的基板W的表面供给第一处理液，例如抗蚀剂剥离处理用的APM (氨水以及过氧化氢水的混合液)。喷嘴6a装配于罩3的周壁的上部，其角度、吐出流速等调整成向基板W的表面中心附近供给第一处理液。该第一处理液供给部6与控制部12电连接，其驱动由控制部12控制。另外，第一处理液供给部6具备，存积第一处理液的罐、成为驱动源的栗、以及成为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
[0034]第二处理液供给部7具有相对于工作台4上的基板W的表面从斜方向吐出第二处理液的喷嘴7a，从该喷嘴7a向工作台4上的基板W的表面供给第二处理液，例如洗净处理用的纯水(超纯水)。喷嘴7a装配于罩3的周壁的上部，其角度、吐出流速等调整成向基板W的表面中心附近供给第二处理液。该第二处理液供给部7与控制部12电连接，其驱动由控制部12控制。另外，第二处理液供给部7具备，存积第二处理液的罐、成为驱动源的栗、以及成为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
[0035]溶剂供给部8具有相对于工作台4上的基板W的表面从斜方向吐出挥发性溶剂的喷嘴8a，从该喷嘴8a向工作台4上的基板W的表面供给挥发性溶剂，例如IPA。喷嘴8a装配于罩3的周壁的上部，其角度、吐出流速等调整成向基板W的表面中心附近供给挥发性溶剂。该溶剂供给部8与控制部12电连接，其驱动由控制部12控制。另外，溶剂供给部8具备，存积挥发性溶剂的罐、成为驱动源的栗、以及成为调整供给量的调整阀的阀门(均未图不)等。
[0036]在此，作为挥发性溶剂，除IPA以外，还能够使用例如，乙醇等一元醇类，此外还能够使用乙醚、乙基甲基醚等醚类等。另外，挥发性溶剂优选为可溶于水。
[0037]气体供给部9具有相对于工作台4上的基板W的表面从斜方向吐出气体的喷嘴9a，从该喷嘴9a向工作台4上的基板W的表面供给气体，例如氮气，使基板W的表面上的空间成为氮气气氛。喷嘴9a装配于罩3的周壁的上部，其角度、吐出流速等调整成向基板W的表面中心附近供给气体。该气体供给部9与控制部12电连接，其驱动由控制部12控制。另外，气体供给部9具备，存积气体的罐、成为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
[0038]在此，作为供给的气体，能够使用氮气以外的不活泼性气体，例如，氩气、二氧化碳气体以及氦气等。该不活泼性气体被供给到基板W的表面，因此，能够去除基板W的表面上的氧，防止水印(水迹)(water mark)的生成。另外，供给的气体优选是被加热了的气体。
[0039]照射部10具有多个灯10a，设于工作台4的上方，通过各灯1a的点灯向工作台4上的基板W的表面照射光。该照射部10构成为通过移动机构11在上下方向(升降方向)上能够移动，向与罩3近接的照射位置(以图1中的实线所示那样，与基板W的表面近接的位置)和从罩3离开了规定距离的待机位置(以图1中的点划线所示那样，从基板W的表面离开后的位置)移动。照射部10与控制部12电连接，其驱动由控制部12控制。
[0040]在此，作为照射部10，能够采用例如，将直管型的灯1a设成多根排列、或将灯泡型的灯1a设成多个阵列状等。此外，作为灯10a，能够使用例如，卤素灯、氙气闪光灯(作为一个例子，具有400?100nm的波长光的闪光灯)等。
[0041]该照射部10作为对基板W进行加热的加热部发挥作用。另外，作为照射部10，能够使用对工作台4上的基板W照射电磁波的各种照射部，除照射光的灯1a以外，还能够使用例如，对工作台4上的基板W照射远红外线的远红外加热器