存在挥发性溶剂不向基板的表面整体遍布的情况，但通过在挥发性溶剂的供给完成后进行加热，能够抑止上述情况。
[0060]另一方面，在挥发性溶剂的供给量充分，挥发性溶剂向基板的表面整体遍布时，也可以设成在挥发性溶剂的供给中开始基于照射部10的照射的加热。在这种情况下，与在挥发性溶剂的供给完成后开始加热的情况相比，能够缩短基板W的干燥时间，所以能够缩短整体的处理时间。
[0061]另外，在上述的实施方式中，虽使用APM作为第一处理液，但不限于此，例如，还能够使用SPM(硫酸以及过氧化氢水的混合液)。APM与IPA难以反应，但SPM与IPA容易反应。为了避免该SPM与IPA的反应，希望将进行SPM处理的第一旋转处理模块和进行基于照射部10的加热以及IPA干燥的第二旋转处理模块单独设置。在这种情况下，在第一旋转处理模块的SPM处理后，不执行干燥处理而是将基板W搬送到第二旋转处理模块，由该第二旋转处理模块进行干燥处理。
[0062]此外，在上述的实施方式中，在对于基板W的洗净液的供给停止后，开始IPA等挥发性溶剂的供给，但还可以设为在由超纯水等第二处理液进行的洗净的末期，从还对基板W供给该处理液时，使挥发性溶剂的供给开始。
[0063](第二实施方式)
[0064]参照图5对第二实施方式进行说明。
[0065]第二实施方式基本与第一实施方式相同。因此，在第二实施方式中，对与第一实施方式的区别点进行说明，与在第一实施方式中说明了的部分相同的部分以相同符号表不，并省略其说明。
[0066]如图5所示，在第二实施方式涉及的基板处理装置I中，第一处理液供给部6的喷嘴6a、第二处理液供给部7的喷嘴7a、溶剂供给部8的喷嘴8a以及气体供给部9的喷嘴9a设置于照射部10内。这些喷嘴6a、7a、8a以及9a形成为能够向工作台4上的基板W的表面供给各自的流体(第一处理液、第二处理液、挥发性溶剂或者气体)。另外，作为各喷嘴6a、7a,8a以及9a的材料，使用遇热不变形的材料，例如，能够使用通过照射部10的各灯1a而不被加热的石英等材料。
[0067]在该第二实施方式涉及的基板处理装置I中，各喷嘴6a、7a、8a以及9a位于工作台4上的基板W的正上方，因此，即使供给液体、气体时的流速缓慢，也能够向基板中心容易地供给液体、气体。此外，即使减少供给的液体的流量，也能够由液体覆盖基板W的表面，所以能够削减液体的使用量。相同地，即使减少供给的气体的流量，也能够将基板W的表面上的空间设成供给的气体气氛，因此能够削减气体的使用量。
[0068]如以上说明所示，根据第二实施方式，能够得到与第一实施方式相同的效果。进一步地，通过在照射部10内设置各喷嘴6a、7a、8a以及9a，即使在供给液体、气体时的流速缓慢的情况下，也能够向基板中心容易地供给液体、气体。除此之外，还能够减少液体、气体的流量，能够削减这些液体、气体的使用量。
[0069](第三实施方式)
[0070]参照图6对第三实施方式进行说明。
[0071]第三实施方式基本与第二实施方式相同。因此，在第三实施方式中，对与第二实施方式的区别点进行说明，与在第二实施方式中说明了的部分相同的部分以相同符号表示，并省略其说明。
[0072]如图6所示，在第三实施方式涉及的基板处理装置I中设置成，照射部10在基板W的下方，即，在各支撑构件4a上的基板W与工作台4之间，并对该基板W的工作台4侧的面照射光。该照射部10与第二实施方式相同地，通过移动机构11在升降方向(上下方向)上能够移动。
[0073]在该第三实施方式涉及的基板处理装置I中，由于照射部10位于各支撑构件4a上的基板W与工作台4之间，因此，能够空出各支撑构件4a上的基板W的上方的空间，能够不设成复杂的构造而容易地在该空间设置其他构件、装置等(例如，喷嘴6a、7a、8a、9a等)。
[0074]如以上说明所示，根据第三实施方式，能够得到与第二实施方式相同的效果。进一步地，通过在各支撑构件4a上的基板W的下方，例如在各支撑构件4a上的基板W与工作台4之间设置照射部10，能够空出各支撑构件4a上的基板W的上方的空间，因此能够容易地在该空间设置其他构件或装置等。
[0075](第四实施方式)
[0076]参照图7?图9对第四实施方式进行说明。
[0077]第四实施方式基本与第一实施方式相同。因此，在第四实施方式中，对与第一实施方式的区别点进行说明，与在第一实施方式中说明了的部分相同的部分以相同符号表不，并省略其说明。
[0078]如图7以及图8所示，在第四实施方式涉及的基板处理装置I中照射部1A是照射线激光的线激光仪(line laser)。该照射部1A的长度方向的长度形成得比基板W的直径长，该照射部1A构成为通过移动机构IlA沿着工作台4上的基板W的表面能够移动。照射部1A与第一实施方式相同地，以使在供给有挥发性溶剂的该基板W的表面产生气体的层(气层)的方式对基板W进行加热。
[0079]移动机构IlA由保持照射部1A并使该照射部1A移动的一对移动机构21以及22 (参照图8)、支撑移动机构21的支柱23、以及支撑移动机构22的支柱24 (参照图8)构成。一对移动机构21以及22保持照射部10A，以使该照射部1A位于工作台4上的基板W的上方，并且使该照射部沿着工作台4上的基板W的表面平行地移动。作为这些移动机构21以及22，例如，能够使用将伺服电动机作为驱动源的进给丝杠式的移动机构或将直线电动机作为驱动源的直线电动机式的移动机构等。
[0080]在该第四实施方式涉及的基板处理装置I中，照射部1A在进行加热干燥的情况下，通过一对移动机构21以及22沿着旋转的工作台4上的基板W的表面平行地移动并照射激光，从而来进行对于基板W的表面整体的激光的照射。此时，照射部1A例如从基板W的中心向外周移动。通过这样的加热干燥，在供给有挥发性溶剂的基板W的表面，与第一实施方式相同地，产生气体的层(气层)，因此基板W的表面瞬间地干燥。
[0081]在此，对通过线激光型的照射部1A对基板W的表面整体照射激光的情况下的其他结构的一个例子进行说明。
[0082]如图9所示，照射部1A设置于作为支柱发挥作用的移动机构IlB的上部，该照射部1A构成为将作为该支柱的移动机构IlB的轴心作为旋转轴并通过移动机构IIB沿着基板W的表面能够摇动(能够转动)。该照射部1A通过移动机构IlB将旋转轴作为中心进行转动，沿着旋转的工作台4上的基板W的表面平行地移动(摇动)并照射激光，从而进行对基板W的表面整体的激光的照射。
[0083]如以上说明所示，根据第四实施方式，能够得到与第一实施方式相同的效果。进一步地，通过使用线激光型的照射部10A，与覆盖工作台4上的基板W的表面整体那样的照射部相比，能够防止照射装置的大型化。
[0084](第五实施方式)
[0085]参照图10对第五实施方式进行说明。
[0086]第五实施方式基本与第一实施方式相同。因此，在第五实施方式中，对与第一实施方式的区别点进行说明，与在第一实施方式中说明了的部分相同的部分以相同符号表不，并省略其说明。
[0087]如图10所示，在第五实施方式涉及的基板处理装置I中，设有对处理箱2内减压的减压部31。该减压部31具备与处理箱2内连接的配管31a、以及在该配管31a的中途设置的减压栗31b。减压栗31b与控制部12电连接，其驱动由控制部12控制。这样的减压部31通过减压栗31b的驱动从配管31a对处理箱2内的气体进行排气来对该处理箱2内减压，使该处理箱2内成为真空状态。
[0088]在该第五实施方式涉及的基板处理装置I中，在由照射部10进行的加热干燥前，例如，在挥发性溶剂即IPA的供给后(即，在第一实施方式中的图2中步骤S5与步骤S6之间)，处理箱2内通过减压部31被减压至规定的真空压为止。在处理箱2内成为真空状态时，执行由照射部10进行的加热干燥(第一实施方式中的图2中步骤S6)。此时，通过处理箱2内的减压，IPA的沸点下降，与IPA的沸点下降的量相应地能够以比在大气下低的加热温度产生上述的液体珠化现象。因此，即使在处理的基板W不适于高温加热的情况等，也能够进行加热干燥。
[0089]如以上说明所示，根据第五实施方式，能够得到与第一实施方式相同的效果。进一步地，通过将处理箱2内设为减压状态而执行由照射部10进行的加热干燥，从而能够使在处理箱2内的基板W的表面存在的液体的沸点下降，与IPA的沸点下降的量相应地能够以比在大气下低的加热温度产生上述的液体珠化现象。因此，与不将处理箱2内设为减压状态而执行由照射部1