晶片释放的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及将晶片放到卡盘或者从卡盘释放。
【背景技术】
[0002]晶片在处理期间可由卡盘夹持，并且在处理后可从卡盘释放。
【发明内容】
[0003]实施例提供了用于操作晶片的卡盘系统。所述卡盘系统包括:被配置为夹持晶片的卡盘，以及被配置为从所述卡盘释放所述晶片的整体释放装置。所述释放装置被配置为:在所述晶片的边缘部分处机械地接触所述晶片。
[0004]另外的实施例提供了一种晶片处理设备:其包括用于操作晶片的卡盘系统以及包围所述卡盘系统的处理室。所述卡盘系统包括:被配置为夹持晶片的卡盘，以及被配置为从所述卡盘释放所述晶片的整体释放装置。所述释放装置被配置为:在所述晶片的边缘部分处机械地连接到所述晶片。所述处理室被配置为:对所述处理室内部的环境压力进行调整，其中，所述环境压力小于大气压力。
[0005]另外的实施例提供了用于操作晶片的方法。所述方法包括:在具有释放装置的情况下使用在所述晶片的边缘部分处机械地接触所述晶片的卡盘来夹持所述晶片，以及使用释放装置通过整体致动所述释放装置从所述卡盘释放所述晶片。
【附图说明】
[0006]参考附图在本文中对本发明的实施例进行了描述。
[0007]图1根据实施例示出了用于操作晶片的卡盘系统的示意性框图；
图2根据实施例示出了与晶片接触的释放装置的示例性顶视图；
图3根据实施例示出了具有插入(S卩，附着到)卡盘系统的晶片的卡盘系统的示意性透视图；
图4a根据实施例示出了处于示例性第一状态(操作模式)的图3的卡盘系统的示意性透视图；
图4b示出了处于示例性第二状态(操作模式)的图4a的卡盘系统。在第二状态中，根据实施例，边缘保护装置被抬离晶片；
图4c示出了处于示例性第三状态(操作模式)的图4a中描绘的卡盘系统。在第三状态中，根据实施例，边缘保护装置和释放装置被抬升；
图5根据实施例示出了具有在边缘部分处由边缘保护装置覆盖的晶片的卡盘系统的分段的示意性横截面视图；
图6a根据实施例示出了边缘保护装置的第一侧面的示意性透视图；
图6b根据实施例示出了边缘保护装置的第二侧面的示意性透视图；
图7根据实施例示出了具有成型区的释放装置的示意性透视图； 图8根据实施例示出了抬升构件的示意性透视图；
图9根据实施例示出了抬升环的示意性透视图；
图10根据实施例示出了形成为静电卡盘的卡盘的示意性透视图；
图1la根据实施例示出了与卡盘的接触区相邻布置的介电层的示意性横截面视图；
图1lb根据实施例示出了与晶片相邻布置的介电层的示意性顶视图；
图12根据实施例示出了屏蔽环的示意性透视图；
图13根据实施例示出了包括用于抬升构件中的一个抬升构件的引导的区的示意性透视横截面视图；
图14根据实施例示出了示例性卡盘系统的示意性分解透视图；
图15根据实施例示出了安装晶片的图14中描述的卡盘系统的示意性横截面视图；
图16根据实施例示出了可以是致动单元的一部分的波纹管(bellow)的示例性图像； 图17根据实施例示出了致动单元的波纹管的示例性横截面视图；
图18根据实施例示出了包括卡盘系统和处理室的晶片处理设备的示意性框图；
图19根据实施例示出了具有三个处理室的晶片处理设备的示意性框图；
图20根据实施例示出了用于操作晶片的方法的流程图；
图21根据实施例示出了用于操作晶片的另一种方法的流程图；
图22示出了根据现有技术的抬升系统的示例性图像；
图23示出了根据现有技术的另一种抬升系统的示例性图像；以及图24示出了根据现有技术的使用三脚架的另一种抬升系统的示例性图像。
【具体实施方式】
[0008]在下面的描述中，具有相同或等效功能的相同或等效的元件或一些元件由相同或等效的附图标记表示，即使出现在不同的图中。
[0009]在下面的描述中，阐述了多个细节以便提供对本发明的实施例的更透彻的解释。然而，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下来实践本发明的实施例。在其它实例中，为了避免模糊本发明的实施例，以框图形式而非细节示出了公知的结构和装置。此外，除非特别另外指出，否则下文中描述的不同实施例的特征可以互相组合。
[0010]图1示出了用于操作晶片12的卡盘系统10的示意性框图。卡盘系统10包括??被配置为夹持晶片的卡盘14。例如，卡盘可以是静电卡盘，其被配置为向晶片12施加静电力并且通过该静电力夹持晶片12。卡盘系统10包括释放装置16，其被配置为:从卡盘14释放晶片12。卡盘系统10包括:被配置为致动(S卩，移动)释放装置16的致动单元17。因此，释放装置16可以从卡盘被抬升。释放装置16可以整体地形成和/或致动，S卩，由于释放装置16的致动引起的释放装置16在其任何点处的移动导致完整的释放装置16的移动和/或致动。释放装置16可由一个、两个或更多个部分形成。当释放装置16由两个或更多个部分形成时，这些部分可以彼此连接(例如，通过接头、螺钉夹持、焊缝、粘合剂等等)。释放装置16的一个部分被移动致动或者可以导致释放装置16的其它部分的移动。
[0011]释放装置16被配置为:当致动单元17移动释放装置16时，在晶片12的边缘部分18处机械地与晶片12接触。例如，当晶片包括圆形主表面时，边缘部分可由主表面的外环形成。例如，边缘部分可以包括宽度22。外环的宽度22可包括变化的或恒定的值。例如，宽度从晶片的外边缘或边界到朝晶片相应主表面中心的方向上可以是I _、3 mm、5 mm或更大。宽度还可以是相对于晶片尺寸(例如直径)的相对值。例如，相对值可以是晶片尺寸的10% (即，1/10)、5% (即，1/20)或2% (即，1/50)。例如，当晶片形成为包括300 mm的直径的圆盘，并且相对值为2%时，边缘部分可以包括为直径的2%的宽度，即值为6 mm。
[0012]当释放装置16机械地与边缘部分18接触时，释放装置16在远离面向晶片12的卡盘的参考表面方向(抬升方向)上的的移动24可以导致晶片12相对于卡盘14的移动25。当晶片从卡盘释放时，移动可被定向为沿抬升方向。当释放装置并且通过这样晶片可朝参考表面移动时，该移动可定向为沿抬升方向的反方向。通过将晶片朝参考表面移动，可将晶片分别放置到参考表面、卡盘14。例如，参考表面可以是被配置为当夹持晶片12时与晶片12接触的卡盘14的表面。移动24和25的方向可以是平行的或包括相对于彼此的角度。换句话说，基于释放装置16的移动，晶片12从卡盘14释放。
[0013]晶片12可以包括诸如娃的半导体材料，并且可以是娃晶片。晶片12可以包括一个或多个层，例如，晶片12可以包括硅层和氧化层。可替换地，晶片12还可以包括另外的层，例如，包括金属或类似物和/或电路架构。
[0014]晶片12可由卡盘14夹持(例如，通过静电力)。卡盘14可以被配置为:在晶片12的处理期间夹持晶片12。例如，处理可以是将晶片12的主表面(与面向卡盘14的晶片12的主表面相对)暴露于等离子体。替换地或附加地，可以对晶片12进行处理从而使得材料沉积在晶片12的一个或多个表面上。
[0015]处理可以包括处理过程的一个或多个处理步骤，从而使得随后在处理过程期间晶片可由多个卡盘夹持。晶片可以从一个卡盘输送到另一个卡盘，或者从随后夹持晶片的多个卡盘中的最后一个卡盘释放。即，在处理之后，晶片12可能需要从卡盘14释放。
[0016]在处理步骤期间或在处理步骤之后，尽管静电场已经关闭(卡盘停用)，但由静电卡盘夹持的晶片12可能包括静电场的残余电荷。尤其是当处理在压力水平低于大气压力或者甚至接近于O (真空室)的处理室中执行时，可能必须克服晶片12与卡盘14之间的引力(例如，由于残余电荷而导致的)。这可能导致当从卡盘14释放晶片时，释放装置16必须向晶片12施加的力。例如，当晶片12相对于重力的反方向布置在卡盘14上方时，由释放装置16向晶片12施加的力还可以包括抵抗重力的方向来移动晶片12所需的力。
[0017]替代被配置为使环境压力变化的处理室，例如，卡盘系统10可以是可以旨在保护晶片12的生产(处理)表面的系统的一部分。
[0018]具有被配置为在晶片的边缘部分处机械地接触晶片的释放装置的卡盘系统的优点在于:由释放装置引起或造成的损坏被限制到晶片的边缘部分。这允许防止晶片的内区(其余部分)在释放期间被损坏(例如，被三脚架或销损坏)。另外，释放装置16的所有部件(只要存在释放装置16的至少第二部件)是共同移动或激活的，从而使得可以避免相对于彼此来调整两个或更多个部件或者部件的控制(部件的个别控制)的调整。这允许更高的精度，因为相对于彼此来调整两个或更多个部件或者部件的控制的调整可能导致一个或多个部件的松动。松动可能导致晶片位置相对于主表面上的位置的不精确性。这种不精确性可能导致卡盘中或卡盘处的大凹口或凹槽，这可能导致处理期间的寄生效应。例如，寄生等离子体可通过凹槽行进并引起晶片在不希望的区处的处理。通过避免松动也可以避免这些效应。
[0019]换句话说，通过卡盘系统10的使用，可以取消用于抬升晶片12的三脚架的使用。还可以避免在晶片12的前侧面(面向卡盘14的主表面)处的保护漆的使用。这些附加的层可能涉及增加的成本和增加的设备容量的使用。
[0020]图2示出了与晶片12接触的释放装置16的示例性顶视图。晶片12被描绘为处于下述取向上:其中晶片12的与前侧面相对的第