[0039]换句话说，状态1、2和3使用卡盘系统30的开口的不同程度描绘了卡盘和卡盘系统30的组件的不同状态。替换地或附加地，卡盘系统30可以包括其它状态，从而使得卡盘系统不局限于图4a_c中描绘的状态。
[0040]图5示出了卡盘系统(例如，卡盘系统30)的分段的示意性横截面视图。晶片12由边缘保护装置44在晶片12的第一主表面的边缘部分58处覆盖。例如，图5可以是图4a中所示的卡盘系统30的第一状态。边缘保护装置44被布置为在晶片12的边缘部分58处靠近晶片12或形成与晶片12的机械接触。晶片12由卡盘14夹持，释放装置16被布置为与卡盘14相邻，并且被配置为:当释放装置16沿抬升方向56移动时，在边缘部分18处机械地接触晶片12。释放装置16沿抬升方向56的移动可以允许从卡盘14释放晶片12。
[0041]图6a示出了边缘保护装置44的第一主表面(第一侧面，例如，顶侧面或前侧面)的示意性透视图。边缘保护装置的第一主表面在晶片的(例如，等离子体)处理期间可以面向等离子体或另一种处理介质。例如，边缘保护装置44可以是晶片边缘保护(WEP)环。例如，边缘保护装置44可以包括陶瓷和/或石英玻璃材料。边缘保护装置44可以被配置为:在一个或多个处理步骤期间，屏蔽晶片的边缘部分和/或侧壁例如免受蚀刻等离子体或者免受与其它组件或部件的机械接触。例如，当晶片的边缘部分和晶片的侧壁没有用硬掩模覆盖或由漆保护时，这可能是需要的或期望的。
[0042]图6b示出了边缘保护装置44的第二主表面(第二侧面，例如，底侧面或后侧面)的示意性透视图。第二主表面可以被布置为朝向(即，面向)卡盘系统(例如卡盘系统30)中的卡盘。边缘保护装置44被配置为:在晶片12的边缘部分处覆盖晶片12。边缘保护装置44可以被配置为:将卡盘系统的释放装置(例如，释放装置16)部分或完全地容纳在壳体空腔45中。壳体空腔45可以是释放装置的相反形状。边缘保护装置44可以包括抬升空腔67a-Co抬升空腔可以是小的，即，它们可以包括多边形、椭圆形或圆形，例如，具有小于10_、小于7 mm或小于5 mm的直径。边缘保护装置44可以被配置为:可与抬升空腔67a_c处的抬升销连接，即，抬升销可以在抬升空腔67a-c处啮合边缘保护装置44。通过这种方式，边缘保护装置44可以被配置为:使用小型抬升空腔67a、b、c保持其在抬升销上的精确位置。可替换地，释放装置可以包括不同数量的抬升空腔，例如，没有、一个、两个或者三个以上。
[0043]图7示出了具有成型区26c的释放装置16的示意性透视图。参考图2，图7还描绘了成型区26c的示意性横截面视图。成型区26c包括:被配置为允许在晶片的接触部分处与晶片的接触的接触区62。接触部分还可以被认为是由接触区62描述的接触部分的子集。例如，接触部分可以包括:小于或等于晶片的第二主表面的表面积的10 %的、小于或等于晶片的第二主表面的表面积的5 %、或者小于或等于晶片的第二主表面的表面积的I %的表面。
[0044]释放装置16和/或成型区26的厚度可以被认为是释放装置16和/或成型区26沿抬升方向56的长度。可替换地，厚度还可以被认为是相应组件沿任何其它方向的长度，但为了清楚起见，术语“厚度”应该表示组件沿抬升方向56的尺寸，晶片可沿抬升方向56从卡盘释放。成型区26可以包括在成型区26和框架区被配置为彼此附着的区域处与释放装置16的框架区相同的厚度。可替换地，成型区26可以包括与释放装置16的框架区不同(例如，较小)的厚度。
[0045]成型区26包括与释放装置16的框架区相邻的侧面处的第一厚度V例如，第一厚度T1可以是I mm至100 mm之间、2 mm至50 mm之间、或者3 mm至10 mm之间的值，例如4.65 mm。接触区62被布置为避开框架区，成型区26c包括小于第一厚度T1的第二厚度T2O例如，第二厚度T2可以是0.1 mm至50 mm之间、0.5 mm至10 mm之间、或者2 mm至3mm之间的值，例如2.45 mm。
[0046]接触区62处的较小厚度T2允许晶片处降低的温度应力，其中，使得接触区62、释放装置16分别与晶片相接触。例如，当释放装置16和晶片包括不同的温度时，释放装置16与晶片之间的机械接触可以引起对晶片的温度应力。当与第一厚度T1相比较时，降低的厚度T2，因此而减少的材料的量以及因此而减少的热容量可以导致热应力的降低。
[0047]被配置为对晶片的边缘部分进行操作的释放装置16可以包括:例如陶瓷和/或石英玻璃材料，并且可以被表示为卡盘系统的最大更新中的一个更新。成型区26可以包括延深64，其被配置为限制晶片12沿与抬升方向56垂直的方向的可能移动。即，当晶片12由接触区62内的释放装置16机械地接触时，晶片12沿与抬升方向56垂直的方向的移动可由延深64限制。例如，延深64可以包括0.01 mm至10 mm之间、0.1 mm至I mm之间、或者
0.2 mm至0.5 mm之间的值，例如0.3 mm。换句话说，延深64允许晶片12的定中心。娃盘被布置在释放装置16 (S卩，成型区)的延深中，从而防止硅盘滑动。
[0048]图8不出了抬升构件46的不意性透视图。抬升构件46包括第一接触区66和第二接触区68。第一接触区66和第二接触区68由距离72沿抬升方向56间隔开。例如，距离72可以处于I mm至1000 mm之间、5 mm至100 mm之间或者10 mm至30 mm之间的范围，具体而言，距离72可以是20 mm的距离。第一接触区66可以包括具有如抬升空腔(例如，抬升空腔67a-c)的相反形状的形状。
[0049]当卡盘系统包括边缘保护装置时，第一接触区66可以被配置为:机械地接触边缘保护装置(例如，边缘保护装置44)。第二接触区68可以被配置为:提供(例如，向释放装置)另一种机械接触。参考图4a、4b和4c，从图4a中描绘的第一状态开始，当抬升构件46沿抬升方向56移动时，第一接触区66可以机械地接触边缘保护装置44(例如，在空腔67处)，从而使得边缘保护装置44被抬升。如果晶片被插入卡盘系统30，那么边缘保护装置44可以从晶片抬离，其中，晶片可以保持在其位置处。这可以被称为第一时间点(time instance)。
[0050]同时随着时间推移，抬升构件46进一步沿抬升方向56移动。在抬升构件46沿抬升方向56移动了距离72之后，抬升构件46被配置为在第二接触区68处与释放装置16机械地接触。该瞬间可以被表示为第二时刻。当抬升构件46沿抬升方向56进一步移动时，抬升构件46与释放装置16之间的机械接触可以导致释放装置16的抬升。这可以导致图4c中描绘的第三状态。当晶片插入卡盘系统30中时，这也可以导致晶片从卡盘的释放。
[0051]卡盘系统可以包括一个或多个(例如，三个)抬升构件46。抬升构件46还可以被表示为抬升销。第二接触区68可以被形成为螺栓，并且包括塑料或诸如托朗(Torlon)或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物材料。螺栓可以附着到抬升构件46的主体。托郎可以允许低温膨胀系数，并且因此允许温度改变期间的形状的低改变。可替换地，第二接触区68可由诸如铝、钢等等的金属形成。第二接触区68可以被表示为锁闩(catch)。在致动单元(例如，致动单元17a和17b)移动期间，抬升构件46被配置为:在行进距离(例如，距离72)之后拾取释放装置，从而使得释放装置通过其接触区从卡盘释放晶片。可替换地，卡盘系统可以包括其它数量的抬升构件，例如，I个、2个、4个或更多。抬升构件可以共同移动(例如，当它们由被致动单元致动的抬升环互连时)。这可以允许一致的移动。可替换地，例如，第二接触区68可以被形成为梁、板或包括另一种形状。
[0052]换句话说，抬升销(例如三个)可由例如抬升环移动。通过这种方式，例如，立即抬升边缘保护装置(WEP-环)，并且在20 mm的行进距离之后晶片抬升环(即，释放装置)也可以被抬升。对于晶片抬升环的夹带来说，抬升销(抬升构件46)可以包括被压入抬升销的PEEK螺栓。PEEK螺栓可以钩到晶片抬升环(S卩，释放装置)处的相应案台形式中。由于三个抬升销，晶片抬升环可以一直处于独特的位置，即，防止晶片抬升环在抬升期间扭转或倾斜。对抬升销的引导由屏蔽环中的三个插入物执行。屏蔽环被配置为:将卡盘系统钉牢(stick)在一起并且密封卡盘系统。
[0053]图9示出了抬升环47的示意性透视图。抬升环47包括两个接触区74a和74b。接触区74a和74b允许与致动单元17a和17b的接触。在抬升构件47的框架区76处，抬升构件可以机械地接触，从而使得当致动单元移动抬升环47时，抬升构件(例如抬升构件46)共同移动。
[0054]换句话说，抬升环47可以互连两个致动单元和/或抬升构件。在由致动单元引起的沿移动方向(例如，抬升方向)的其移动期间，抬升环47被配置为承载抬升构件。
[0055]图10示出了形成为静电卡盘的卡盘14的示意性透视图。卡盘14包括接触区78。介电层可以被布置为与接触区78相邻。晶片可在介电层处由卡盘14夹持，分别附着到卡盘14、接触区78或被布置为与卡盘14、接触区78相邻。可替换地，介电层可以是卡盘14的一部分，从而介电层可以包括接触区78。
[0056]换句话说，卡盘14在处理期间可以基本上是晶片的支架。具体而言，卡盘14可以是所谓的“静电卡盘”(ESC)。
[0057]可替换地，不同类型的卡盘也可以被布置在卡盘系统内，例如，具有机械夹紧系统的卡盘、真空卡盘(晶片借助于比周围处理室中更低的压力被夹紧)或Gel-Pak卡盘。
[0058]ESC卡盘被配置为:提供静电场，晶片通过静电场被固定。在卡盘处或卡盘上布置了介电层，其可以包括陶瓷材料。介电层可以包括一个或多个(例如，两个)导电层。导电层可以包