括金属和/或半导体材料(诸如金属、铜、铝或硅或者它们的组合)，并且可以被并入介电层或被布置为与其相邻。两个导电层可以被布置为基本上彼此并排。例如，两个邻接的层或板可以与DC或AC高电压(例如，±2000V、±5000 V或± 10000 V)相接触。这可以允许布置在卡盘下方(例如，短暂地在上方)的静电场。
[0059]图1 Ia示出了被布置为与卡盘14的接触区78相邻的介电层82的示意性横截面视图。介电层82包括第一导电层84a和第二导电层84b。导电层84a和84b均与电源86接触，电源86被配置为:向导电层84a施加第一电压和/或向导电层84b施加第二电压，从而可以向导电层84a和84b和/或在导电层84a和84b之间施加电位。例如，并且参考地电位，电源86可以被配置为:向导电层84a施加+5000 V的电压并且向导电层84b施加-5000V的电压，从而使得电位包括±5000 V (10000 V)的值。这允许被配置为将晶片12夹持在卡盘处的静电场的接收。
[0060]图1lb示出了与晶片12相邻布置的介电层82的示意性顶视图。接触区域和/或介电层82沿与抬升方向56垂直的方向的尺寸(例如，直径)可以不同于与抬升方向56垂直的晶片12的(相应)尺寸。例如，卡盘可以具有比晶片更小(过小)或更大(过大)的直径。例如，尺寸的差异可以被描绘为区域110。区域110 (晶片12与卡盘14之间分别相对于两个直径的相应空间)可以被配置为(用于)并入抬升装置16的部件(例如，成型区34a的区段 26a)。
[0061]与过小的卡盘相比较，过大的卡盘可以包括:可以被布置为超出晶片的边缘的增加的接触区(例如，增加的接触区78)。这可以在晶片的生产区的边缘处允许改进的晶片冷却、改进的RF耦合、并因此允许改进的蚀刻均匀性和/或工具性能。
[0062]例如，根据现有技术的卡盘(使用三脚架(TRIPOD)来释放晶片的卡盘)的卡盘直径可以包括144 mm的直径。例如，由卡盘夹持的晶片可以包括150 mm的直径。例如，如图1lb中描绘的根据实施例的过大的卡盘可以包括为153 mm的接触区和/或介电层82的直径。这可以导致为1.5 mm的区域110 (所产生的直径区域)的尺寸。过大的卡盘可以允许并入释放装置的部件并且改进处理性能。
[0063]图12示出了屏蔽环54的示意性透视图。屏蔽环54的目标可以是对完整的卡盘系统的组件进行互连并且将组件钉牢在一起。屏蔽环54可以包括对抬升构件的引导。屏蔽环54可以包括一个或多个区88中的引导。图13中描绘了区域88的详细视图。
[0064]图13示出了包括用于抬升构件中的一个抬升构件的引导的区88的示意性透视横截面视图。用于使得能够实现对抬升构件的引导的插入件可以包括两个部件，其中，第一部件可以是引导管92。例如，引导管92可以包括托郎或其它聚合物或塑料材料、金属(诸如钢或铝)和/或它们的组合。第二部件是位置板94。位置板94可以允许对引导管92和/或抬升构件的角位置进行调整。这可以允许对托郎螺栓的调整，并且因此允许对接触区68相对于彼此以及相对于抬升环的案台形式的位置的调整。
[0065]图14示出了示例性卡盘系统140的示意性分解透视图。
[0066]为了清楚起见，参考图14，术语“顶部”用于卡盘系统140的第一侧面/端。另外，术语“底部”用于卡盘系统140的第二端，其中，卡盘系统140的顶部和底部在图14内被引用为卡盘系统140相对于抬升方向56的两个相对端。术语“上方”用于意指“在顶部的方向上”，而术语“下方”用于意指“在底部的方向上”。很清楚的是:术语顶部、底部、上方和下方仅为了清楚起见用于组件相对于彼此的布置，并且不应该执行相对于任何参考组件的取向的任何限制。只要下面对组件的描述包括提及组件的尺寸(诸如厚度、直径等等)的值，该值应该被认为是示例性值。很清楚的是:实施例可以按比例缩放得更大和/或更小(用更大和/或更小的组件实现)。
[0067]在底部，布置凸缘管96。在凸缘管96上方，布置定心环98。在凸缘管96上方和定心环98外部，布置屏蔽环54，屏蔽环54可由O型环102a与凸缘管96间隔开。O型环102a可以包括240.89 mm的直径。例如，O型环102a可以包括3.53 mm的厚度。
[0068]在定心环98上方，布置卡盘14。在卡盘14上方，布置环形结构104。环形结构104可以包括例如托郎的塑料、PEEK、金属、陶瓷材料或它们的组合，即，环形结构104可以是陶瓷环。在环形结构104与卡盘14之间，可以布置具有209.14 mm的直径和3.53 mm的厚度的O型环102b。
[0069]在环形结构104上方，布置屏蔽环54。屏蔽环54可以被配置为:当被安装时，至少部分包围环形结构104、卡盘14和/或定心环98。在屏蔽环54与环形结构104之间，可以布置例如具有228.19 mm的直径和3.53 mm的厚度的O型环102c。屏蔽环54可以使用气缸螺钉(凸圆头螺钉)108附着到凸缘管96。如图13中所描述的，抬升构件46a-c可由引导管92引导。引导管92可由位置板94调整。在屏蔽环54上方，布置释放装置16和边缘保护装置44，它们被配置为由抬升构件46a-c移动。可替换地，卡盘系统140可以在没有或具有不同类型的晶片边缘保护装置44、屏蔽环54、环形结构104、定心环98、包括相应O型环102a-d和/或诸如螺栓和/或螺钉的相应互连的凸缘管96的情况下实现。
[0070]卡盘系统140可以被配置为对晶片的边缘部分进行操作，并且可以适于PETIMori 200 和 Aviza-DSi 处的操作。
[0071]图15示出了晶片12被安装到的卡盘系统140的示意性横截面视图。释放装置16包括抬升构件46a的接触区68 (例如，托郎螺栓)可以钩到其中的案台形式109。卡盘14包括介电层。释放装置16被布置在由边缘保护装置44形成的空腔45内部。
[0072]当抬升构件46a沿抬升方向56移动时，首先，抬升构件46a的第一接触区66与晶片边缘保护装置44的抬升空腔67啮合，从而使得晶片边缘保护装置44从晶片间隔开(抬升)。然后，在接触区68已经钩到案台形式109中之后，释放装置可以从卡盘14释放晶片
12ο
[0073]图16示出了致动单元17的示例性图像。致动单元17可以被实现为包括一个或多个波纹管112a和/或112b的波纹管结构。波纹管112a和/或112b可以被配置为:允许线性移动(例如，沿抬升方向56的放大或收缩)。致动单元17 (例如，波纹管)可以被认为是抬升设备的主要组件，因为其可以是处理室中的真空环境与可以布置为在大气压力下的致动单元之间之间的接口。
[0074]图17示出了波纹管102的示例性横截面视图。波纹管102包括焊接在一起的多个弹簧段。焊接允许对气密的弹簧段的配置，从而使得波纹管102可以被实现为真空密闭的。由此，波纹管102可以包括类弹簧的附加功能。通过此结构，波纹管102可以被配置用于线性移动。
[0075]图18示出了包括卡盘系统10和处理室114的晶片处理装置180的示意性框图。布置处理室114从而使得处理室114包围卡盘系统10。处理室114可以被配置为:对处理室内部诸如环境压力、环境温度和/或环境湿度的一个或多个处理参数进行调整。这一个或多个处理参数可以小于或高于处理室114外部的相应参数。例如，环境压力可以小于处理室外部的大气压力。例如，环境压力可以是大气压力的一半或四分之一。可替换地，环境压力可以是真空压力或接近于真空压力。在包括真空压力或接近于真空的压力水平的处理室114内部对晶片进行操作可以防止晶片被空气压力从卡盘释放。这意味着:例如卡盘可以被机械地释放。卡盘系统10允许晶片从卡盘的机械释放，并防止晶片在生产表面中或生产表面处被损坏。
[0076]替换地或附加地，处理室114可以包括至少第二卡盘系统和/或不同的卡盘系统(例如卡盘系统30)。
[0077]图19示出了晶片处理设备190的示意性框图。晶片处理设备190包括三个处理室114a、114b和114c，其均包括卡盘系统10a_c。处理室114a包括(作为主机运行)卡盘系统10a，处理室114b包括卡盘系统10b，并且处理室114c包括卡盘系统10c。
[0078]晶片处理设备190包括输送设备110 (例如，机器人)。晶片处理设备190还包括输送构件118。输送构件118被配置为:从卡盘系统1a-C中的一个接收晶片，并且向卡盘系统1a-C中的一个移动晶片。输送设备110被配置为:移动输送构件118。
[0079]因此，晶片可以从一个处理室114a_c输送到另一个和/或从处理室114a_c输送到外部，或者从外部输送到处理室114a-c。处理室114b包括:被配置为生成等离子体的等离子体生成器122。等离子体可以被配置为:对由卡盘系统1b的卡盘夹持的晶片进行处理。
[0080]因此，卡盘系统10可以被配置为:释放并抬升晶片，从而使得输送构件118可以接收晶片。
[0081]可替换地，处理装置可以包括不同数量的处理室，例如，一个、两个、四个或更多。
[0082]图20示出了用于操作晶片的方法1000的流程图。在第一步骤1100中，用卡盘夹持晶片。在第二步骤1200中，抬升释放装置。在第三步骤1300中，晶片在晶片的第二主表面的边缘部分处与释放装置机械地啮合。在第四步骤1400中，使用释放装置将晶片从卡盘释放。
[0083]图21示出了用于操作晶片的方法2000的流程图。方法2000的第一步骤是步骤IlOOo方法2000的第二步骤是步骤1200。方法2000的第三步骤是步骤1300。方法2000的第四步骤是步骤1400。在第五步骤2500中，使用致动器来