芳族聚酰胺膜、环氧树脂基板、聚醚酰亚胺树脂基板、聚醚酮树脂基板、聚砜 系树脂基板、玻璃基板、硅晶片、氧化铝基板、氮化铝基板、碳化硅基板、修饰层形成基板或 绝缘层形成基板。
[0050] 作为将本发明的导电糊料涂布于基板的方法，可举出例如：使用旋转器的旋涂、 喷涂、$昆涂、丝网印刷或使用刮刀涂布机、模涂布机、压光涂布机、弯月面涂布机（meniscus coater)或棒涂布机的涂布。所得涂布膜的膜厚可以根据涂布方法或导电糊料的总固体成 分浓度或粘度等而适宜确定，干燥后的膜厚优选为〇. 1~50 μ m。应予说明，膜厚可以使用 例如SURFCOM (注册商标）1400 ((株）东京精密制）的的触针式段差计（St印profiler)进 行测定。更具体地，可以用触针式段差计(测定长度：1_、扫描速度：〇. 3mm/sec)分别对随 机的3个位置的膜厚进行测定，将其平均值作为膜厚。
[0051] 作为对所得涂布膜进行干燥而将溶剂挥发除去的方法，可举出例如：利用烘箱、热 板或红外线等的加热干燥或真空干燥。加热温度优选为50~180°C、加热时间优选为1分 钟~数小时。
[0052] 干燥后的涂布膜通过光刻法进行曝光。作为曝光的光源，优选为汞灯的i射线 (365nm)、h 射线（405nm)或 g 射线（436nm)。
[0053] 将曝光后的涂布膜用显影液显影，将未曝光部溶解除去，由此可得到所期望的图 案。作为进行碱显影时的显影液，可举出例如：氢氧化四甲基铵、二乙醇胺、二乙基氨基乙 醇、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、三乙基胺、二乙基胺、甲基胺、二甲基胺、乙酸二甲 基氨基乙酯、二甲基氨基乙醇、二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、环己基胺、乙二胺或六亚甲 基二胺的水溶液，在这些水溶液中还可以添加 N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、 N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜或γ-丁内酯等极性溶剂、甲醇、乙醇或异丙醇等醇类、乳 酸乙酯或丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类、环戊酮、环己酮、异丁基酮或甲基异丁基酮等酮类 或表面活性剂。
[0054] 作为进行有机显影时的显影液，可举出例如：Ν-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙酰 基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或六甲基磷酰三胺 等极性溶剂或这些极性溶剂与甲醇、乙醇、异丙基醇、二甲苯、水、甲基卡必醇或乙基卡必醇 的混合溶液。
[0055] 作为显影的方法，可举出例如：使基板静置或旋转，同时将显影液喷涂于涂布膜面 的方法；将基板浸渍于显影液中的方法；或将基板浸渍于显影液中的同时施加超声波的方 法。
[0056] 通过显影得到的图案可以利用漂洗液实施漂洗处理。这里，作为漂洗液，可举出例 如：水或在水中加入乙醇或异丙醇等醇类或乳酸乙酯或丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类而成 的水溶液。
[0057] 作为将所得图案固化的方法，可举出例如：利用烘箱、惰性烘箱（inert oven)、热 板或红外线等的加热干燥或真空干燥。
[0058] 使用本发明的导电糊料制造的导电图案适宜用作触摸面板用周围配线。作为触摸 面板的方式，可举出例如：电阻膜式、光学式、电磁感应式或静电电容式，由于静电电容式触 摸面板特别要求微细配线，因而可更适宜地使用本发明的导电糊料。具备本发明的导电图 案作为其周围配线并且该周围配线为50 μπι间距(配线宽度十配线间宽度)以下的触摸面板 中，可以缩窄边缘宽度，增大显示区域（view area)。 实施例
[0059] 以下，列举实施例和比较例，进一步详细说明本发明，但本发明并不受它们所限 定。
[0060] 各实施例和比较例中使用的评价方法如下所述。
[0061 ] <图案化性能的评价方法> 在PET膜上涂布导电糊料以使干燥膜的膜厚为7 μ m，将所得涂布膜在KKTC的干燥烘 箱内进行5分钟干燥。将以固定的线与间隙（line and space)(以下称为"L/S")排列的直 线组即透光图案作为1个单元，隔着分别具有L/S值不同的9种单元的光掩膜对干燥后的 涂布膜进行曝光、显影，分别得到L/S值不同的9种图案。然后，将所得的9种图案在140°C 的干燥烘箱内均固化30分钟，分别得到L/S值不同的9种导电图案。应予说明，光掩膜所具 有的各单元的 L/S 值设为：500/500、250/250、100/100、50/50、40/40、30/30、25/25、20/20、 15/15 (分别表示线宽（μπι)/间隔（μπι))。将所得导电图案用光学显微镜观察，确认图案 间没有残渣、并且没有图案剥离的L/S值最小的导电图案，将其L/S值作为能够显影的L/S 值。应予说明，曝光是使用曝光装置（ΡΕΜ-6Μ;工二才 >光学株式会社制）以曝光量150mJ/ cm2 (波长365nm换算）进行全光线曝光，显影是在0. 2重量％的Na2OV^液中浸渍基板30 秒后，利用超纯水实施漂洗处理来进行。
[0062] <比电阻的评价方法> 根据是否含有光聚合引发剂（D)而进行以下的操作。
[0063] 不含光聚合引发剂（D)的情形： 将图1所示的图案用丝网印刷法涂布于PET膜上，在KKTC的干燥烘箱内进行5分钟干 燥后，进一步在140Γ的干燥烘箱内固化30分钟，得到比电阻测定用的导电性图案。所得导 电性图案的线宽度为0. 400mm，线长度为80mm。
[0064] 含有光聚合引发剂（D)的情形： 在PET膜上涂布导电糊料以使干燥膜的膜厚为7 μ m，将所得涂布膜在KKTC的干燥烘 箱内进行5分钟干燥。隔着具有图1所示图案的透光部A的光掩膜对干燥后的涂布膜进行 曝光、显影，得到图案。然后，将所得图案在140°C的干燥烘箱内固化30分钟，得到比电阻测 定用的导电性图案。所得导电性图案的线宽度为〇. 400_，线长度为80_。
[0065] 应予说明，曝光和显影的条件与上述图案化性能的评价方法相同。以电阻计连接 于所得比电阻测定用的导电图案的各自的端部，测定电阻值，基于下式（1)算出比电阻。
[0066] 比电阻=电阻值X膜厚X线宽度/线长度··· （1)。
[0067] 应予说明，线宽度是用光学显微镜观察随机的3个位置的线宽度，并分析图像数 据而得的平均值。
[0068] <与ITO的密合性评价方法> 在带ITO的PET膜ELECRYSTA (注册商标）V270L-TFS (日東電工(株）制）上涂布导电 糊料以使干燥膜的膜厚为7 μ m，将所得涂布膜在IOOtC的干燥烘箱内进行5分钟干燥，然后 对其整面进行曝光。应予说明，曝光和显影的条件与上述图案化性能的评价方法相同。然 后，将所得图案在140°C的干燥烘箱内固化30分钟，然后用切刀以Imm宽度以10X10的棋 盘格状切出切痕，投入85°C、85%RH的恒温恒湿槽SH-661 (工只' y夕（株）制）中240小 时。对取出的样品的棋盘格状的切痕部位整体粘贴透明胶带（二爹A > (株)制)并剥离，对 残留格子数进行计数。
[0069] 各实施例和比较例中使用的材料如下所述。
[0070] [化合物（A)] 1- (2-氨基乙基）哌嗪 6_氨基-1-甲基尿嘧啶 EPOMIN (注册商标）SP-012 ((株）日本触媒社制聚乙烯亚胺） EPOMIN (注册商标）SP-003 ((株）日本触媒社制聚乙烯亚胺） EPOMIN (注册商标）SP-200 ((株）日本触媒社制聚乙烯亚胺)。
[0071] [化合物（B)] (合成例1) 共聚比率(重量基准）：丙烯酸乙酯（以下，称为"EA"）/甲基丙烯酸2-乙基己酯（以下， 称为"2-EHMA"）/苯乙烯（以下，称为"St"）/甲基丙烯酸缩水甘油酯（以下，称为"GMA"）/ 丙烯酸（以下，称为"AA"）= 20/40/20/5/15 在氮气氛的反应容器中加入150g的