半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。
【背景技术】
[0002]在将半导体元件密封于陶瓷等材料中而成为中空构造的电子封装部件的制造方法中，公知有如下方法:制成具有多个凹部的基板，在凹部容纳半导体元件，并遍及基板整个面由板状的密封部件密封，之后在凹部的中间部进行切断，由此制造各个半导体装置(例如参照专利文献I)。
[0003]并且，也公知有如下方法:将半导体元件载置于平板状的基板，由形成有凹部的盖部件进行密封，由此制造具有中空构造的半导体装置(例如参照专利文献2)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开平11-307664
[0007]专利文献2:日本特开平4-148553
【发明内容】
[0008]发明所要解决的课题
[0009]如以往技术那样，若在半导体装置的基板、盖部件形成凹部，则与平板状的基板相比成本变高。并且，需要用于粘贴密封用的盖部件的堤部，从而半导体装置变得大型。
[0010]用于解决课题的方案
[0011]根据本发明的第一方案，是一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有基板、载置于基板上且具有功能元件的半导体芯片、对半导体芯片的周围进行密封的树脂、以及粘接于树脂的上表面的平板状的保护罩，上述半导体装置的制造方法具备:在成为各个基板的一片原基板的上表面将多个半导体芯片载置且固定于规定的位置的固定工序；通过线缆连接多个半导体芯片的电极和原基板的电极的连接工序；在原基板的上表面且在多个半导体芯片之间浇注树脂而对各半导体芯片的侧方整周进行树脂密封的密封工序；以横跨多个半导体芯片的方式将成为各个保护罩的一片原保护罩粘接于树脂的表面的粘接工序；以及将经由树脂而在原基板粘接有原保护罩的半导体装置集合体切断为各个半导体装置的切断工序，粘接工序中，以在各半导体芯片的上表面与原保护罩的内表面之间形成线缆局部露出的空间的方式，在对各半导体芯片的侧方整周进行密封的树脂的上表面粘接原保护罩。
[0012]根据本发明的第二方案，在第一方案的半导体装置的制造方法中，优选为，密封工序中，将树脂浇注成在各半导体芯片的周围比线缆的最高高度位置高，粘接工序包括在未固化状态或者半固化状态的树脂的上表面按压原保护罩的按压工序，原保护罩的厚度和树脂固化后的树脂的厚度的和比从原基板的上表面至线缆的最高高度位置的尺寸大。
[0013]根据本发明的第三方案，在第一方案的半导体装置的制造方法中，优选为，密封工序中，将树脂浇注成在各半导体芯片的周围比线缆的最高高度位置高，制造方法还包括:对树脂进行固化的固化工序；以及在固化了的树脂的表面涂覆粘接剂的涂敷工序，粘接工序中，通过粘接剂在固化了的树脂的表面粘接原保护罩。
[0014]根据本发明的第四方案，在第一方案的半导体装置的制造方法中，优选为，密封工序中，将树脂浇注成在各半导体芯片的周围比线缆的最高高度位置高，制造方法的粘接工序包括:在支承薄板涂覆成为各个保护罩的树脂层的涂敷工序；在未固化状态或者半固化状态的树脂的上表面以夹着树脂层的方式按压支承薄板的按压工序；在树脂层和树脂固化后，剥离支承薄板且在树脂的上表面粘接成为各个保护罩的树脂层的剥离/形成工序，剥离/形成工序后的树脂层的厚度和树脂的厚度的和比从原基板的上表面至线缆的最高高度位置的尺寸大。
[0015]根据本发明的第五方案，在第一方案的半导体装置的制造方法中，优选为，密封工序中，在各半导体芯片的周围将树脂浇注至半导体芯片的实际的上表面的高度位置，原保护罩具有围绕与原基板的电极连接的线缆的大小的开口部，原保护罩的厚度和树脂的厚度的和形成为比从原基板的上表面至线缆的最高高度位置的尺寸大，在树脂未固化或者半固化了的状态下，将原保护罩按压并粘接于树脂。
[0016]根据本发明的第六方案，在第一方案的半导体装置的制造方法中，优选为，密封工序中，在半导体芯片的周围将树脂浇注至半导体芯片的实际的上表面的高度位置，原保护罩具有围绕与原基板的电极连接的线缆的大小的开口部，原保护罩的厚度和树脂的厚度的和形成为比从原基板的上表面至线缆的最高高度位置的尺寸大，在固化了的树脂通过粘接材料粘接原保护罩。
[0017]根据本发明的第七方案，半导体装置具备:基板；半导体芯片，其具有功能元件，且载置于基板上并通过线缆连接有功能元件的电极和基板的电极；树脂，其在半导体芯片的周围设置到比线缆的最高高度位置高的位置并进行密封；以及平板状的保护罩，其粘接于树脂的表面，保护罩以在半导体芯片的上表面与保护罩的内表面之间形成线缆局部露出的空间的方式，粘接于对半导体芯片的侧方整周进行密封的树脂的上表面。
[0018]发明的效果如下。
[0019]根据本发明，能够不使用在半导体装置设有凹部的基板、盖部件，而制成具有中空构造的半导体装置。并且，也不需要用于粘贴盖部件的堤部，从而能够实现半导体装置的小型化。
【附图说明】
[0020]图1是表示本发明的半导体装置的实施方式I的分解立体图。
[0021]图2是图1的I1-1I线剖视图。
[0022]图3(a)?图3(d)是说明图1的半导体装置的制造方法的实施方式I的图。
[0023]图4是表示本发明的半导体装置的实施方式2的相当于图1的I1-1I线剖面的剖视图。
[0024]图5(a)?图5(b)是说明图4的半导体装置的制造方法的实施方式2的图。
[0025]图6(a)?图6(c)是说明图1的半导体装置的制造方法的实施方式3的图。
[0026]图7是表示本发明的半导体装置的实施方式4的分解立体图。
[0027]图8是图7的VII1-VIII线剖视图。
[0028]图9(a)?图9(c)是说明图7的半导体装置的制造方法的实施方式4的图。
[0029]图10是表示本发明的半导体装置的实施方式5的相当于图7的VII1-VIII线剖面的剖视图。
[0030]图11是表示本发明的半导体装置的实施方式6的相当于图7的VII1-VIII线剖面的剖视图。
[0031]图12是说明图11的半导体装置的制造方法的实施方式6的图。
[0032]图13是表示本发明的半导体装置的实施方式7的相当于图7的VII1-VIII线剖面的剖视图。
[0033]图14是说明其它的半导体装置的制造方法的实施方式8的图。
[0034]图15(a)是表示本发明的半导体装置的实施方式9的相当于图7的VII1-VIII线剖面的剖视图，图15(b)是表示本发明的半导体装置的实施方式10的相当于图7的VII1-VIII线剖面的剖视图。
[0035]图16表示本发明的半导体装置的实施方式11的相当于图7的VII1-VIII线剖面的剖视图。
【具体实施方式】
[0036]参照图1?16，对本发明的半导体装置以及其制造方法的实施方式进行说明。
[0037](实施方式I)
[0038]图1是表示本发明的半导体装置的实施方式I的分解立体图，图2是图1的I1-1I线剖视图。
[0039]实施方式I的半导体装置10具备安装于基板2的上表面的半导体芯片1、对基板2上的半导体芯片I的周围进行密封的树脂4、以及对密封了的树脂4的表面进行覆盖的保护罩5，密封树脂4具有开口 4A。此外，从图2?图3可知，开口 4A的边缘部实际上是平缓的边缘部。
[0040]半导体芯片I例如使用加速度传感器、陀螺仪传感器等需要封闭的部件。并且，罩5是由树脂制成的较薄的板状的平板。另外，以在半导体芯片I的上表面与保护罩5的内表面之间形成线缆3局部露出的空间SP的方式，在密封半导体芯片I的侧方整周的树脂4的上表面粘接有保护罩5。
[0041]图3(a)?图3(d)是说明图1所示的实施方式I的半导体装置10的制造方法的图。
[0042](准备工序)
[0043]准备多个半导体芯片1、一片较大的原基板2A、以及不透明的树脂制的一片较大的保护罩(原保护罩)5A。原基板2A是绝缘基板，在上表面形成有电极图案、布线图案。原基板2A使用玻璃环氧树脂、陶瓷、引线框等而制成，通