[0112] [光电变换元件3的制造方法]
[0113] W下，参照图IlA~图11C，说明光电转换元件3的制造方法的一个例子。但是，光 电转换元件3的制造方法不限定于此处例示的方法。
[0114] 制作仅在单面形成有凹凸构造TX的娃基板301 (图11A)。首先，在单晶娃基板的 一个面通过瓣锻等来形成Si化等的膜90。接着，将膜90作为掩模，用碱溶液等来蚀刻该娃 基板，仅在与形成了膜90的面相反一侧的面形成凹凸构造TX。形成凹凸构造TX后，去除膜 90O
[0115] 接下来，在娃基板301的受光面侧形成半导体层102,在背面侧形成半导体层 103 (图11B)。半导体层102W及103的形成方法与第1实施方式相同。
[0116] 接下来，在半导体层102上形成透明导电膜104,在半导体层103上形成透明导电 膜105(图11C)。透明导电膜104W及105的形成方法与第1实施方式相同。
[0117] 接下来，在透明导电膜104上形成电极106,在透明导电膜105上形成导电膜307。 电极106的形成方法与第1实施方式相同。电极307例如能够通过瓣锻来形成。 阳11引[第3实施方式的效果] 阳119] 通过本实施方式，也能够缓和在形成于受光面侧的凹凸构造TX的凹部T甜中对半 导体层102W及透明导电膜104施加的应力。由此，能够提高转换效率。
[0120] 在本实施方式中，覆盖透明导电膜105的大致整个面地形成电极307。从光电转换 元件3的受光面侧到达背面的光被电极307反射。由此，光电转换元件3能够获取更多的 光。 阳121][第4实施方式]
[0122] 图12是示出本发明的第4实施方式的光电转换元件4的概略结构的剖视图。在光 电转换元件4中，包括P型非晶质膜10化的半导体层103形成于娃基板301的受光面侧， 包括n型非晶质膜10化的半导体层102形成于娃基板301的背面侧。在运之外的结构与 光电转换元件3相同。在光电转换元件4中，也在娃基板301的受光面侧形成有凹凸构造 TX，底部宽度化为20nmW上。
[0123] 通过本实施方式，也能够得到与第3实施方式同样的效果。
[0124] [第5实施方式]
[0125] 图13是示出本发明的第5实施方式的光电转换元件5的概略结构的剖视图。光 电转换元件5具备娃基板501、纯化膜502、透明导电膜105、W及电极106和307。
[01%] 娃基板501的导电类型为n型，在受光面侧形成有P型扩散区域501p，在背面侧形 成有n型扩散区域501n。电极106W与P型扩散区域501p相接的方式形成。在光电转换 元件5中，也在娃基板501的受光面侧形成有凹凸构造TX，底部宽度化为20皿W上。
[0127] 纯化膜502既可W是例如通过等离子体CVD而堆积的i型非晶娃的膜，也可W是 对娃基板501的表面进行热处理而形成的氧化膜。在纯化膜502的一部分，形成了用于使 P型扩散区域501p与电极106接触的接触孔。
[0128] [光电变换元件5的制造方法] 阳129]W下，说明光电转换元件5的制造方法的一个例子。但是，光电转换元件5的制造 方法不限定于此处例示的方法。
[0130] 首先，与第3实施方式同样地制造在单面形成有凹凸构造TX的娃基板。在单面形 成有凹凸构造TX的娃基板上，形成P型扩散区域501P与n型扩散区域501n。
[0131] 例如在娃基板 501 的受光面通过APCVD(AtomosphericQiemicalVapour Deposition,大气化学气相沉积）来沉积BSG(B-dopedSiligateGlass)膜，对沉积了的 BSG膜进行热处理，从而能够形成P型扩散区域501p。P型扩散区域501p的渗杂物浓度为 例如 IX10"~IX1018畑13。
[0132] 例如通过利用化化、成、W及〇2的混合气体气氛化来对娃基板501的背面进行热 处理，从而能够形成n型扩散区域501n。n型扩散区域501n的渗杂物浓度为例如1 X 10"~IX IQiScm 3。 阳133] 接下来，形成纯化膜502。纯化膜502如上所述，既可W是通过等离子体CVD而堆 积的i型非晶娃的膜，也可W是对娃基板501的表面进行热处理而形成的氧化膜。用于使P型扩散区域501p与电极106接触的接触孔能够通过例如光刻法来形成。
[0134] 接下来，形成透明导电膜105、W及电极106和307。透明导电膜1105例如能够通 过瓣锻来形成。电极106例如能够通过印刷法来形成。电极307例如能够通过瓣锻来形成。
[0135] [第5实施方式的效果] 阳136] 通过本实施方式，也能够缓和在形成于受光面侧的凹凸构造TX的凹部T甜中对纯 化膜502施加的应力。由此，能够提高转换效率。
[0137] 在本实施方式中，通过在导电类型为n型的娃基板501上形成P型扩散区域501p， 来形成pn结，但当在P型的娃基板上形成n型扩散区域的情况下，也能够得到同样的效果。
[0138] [第6实施方式]
[0139] 图14是示出本发明的第6实施方式的光电转换元件6的概略结构的剖视图。光电 转换元件6具备娃基板301、半导体层102、602和603、绝缘膜604、透明导电膜605和606、 W及电极607和608。
[0140] 绝缘膜604覆盖半导体层102地形成。绝缘膜604具有作为反射防止膜的功能与 作为保护膜的功能。绝缘膜604例如是氧化娃、氮化娃、或者氧氮化娃。如果考虑半导体层 102的纯化性，则优选氮化娃或者氧氮化娃。绝缘膜604的厚度根据想要赋予的反射防止特 性来适当设定，例如为80~300nm。 阳141] 半导体层602W及603与娃基板301的背面相接，并在娃基板301的面内方向上配 置。半导体层602包括i型非晶质膜602i、化及n型非晶质膜602n。半导体膜603包括i 型非晶质膜603i、W及P型非晶质膜60化。i型非晶质膜602iW及603i能够采用与i型 非晶质膜l〇2iW及103i同样的物质。n型非晶质膜60化能够采用与n型非晶质膜10化 同样的物质。P型非晶质膜60化能够采用与P型非晶质膜10化同样的物质。
[0142] 在半导体层602上，依次形成了透明导电膜605W及电极607。在半导体层603 上，依次形成了透明导电膜606W及电极608。
[0143] 图15是从背面侧观察光电转换元件6的俯视图。如图15所示，透明导电膜605 和电极607、与透明导电膜606和电极608形成为相互不导通。 阳144] 透明导电膜605W及606是例如IT0、Sn〇2、或者化0。电极607W及608是银等 反射率高的金属。根据该结构，从光电转换元件6的受光面侧到达背面的光被反射率高的 电极607W及608反射，所W能够获取更多的光。
[0145] 在光电转换元件6中，也在娃基板301的受光面侧形成有凹凸构造TX，底部宽度 化为20nmW上。
[0146] [光电变换元件6的制造方法] 阳147]W下，参照图16A~图16F，说明光电转换元件6的制造方法的一个例子。但是，光 电转换元件6的制造方法不限定于此处例示的方法。
[0148] 首先，制作在单面形成有凹凸构造TX的娃基板301。娃基板301能够与第3实施 方式同样地制作。
[0149] 接下来，在娃基板301的受光面侧，形成半导体层102。半导体层102能够与第1 实施方式同样地制作。
[0150] 接下来，在娃基板301的背面侧，形成半导体层602W及603。 阳151] 首先，通过等离子体CVD，覆盖娃基板301的背面的大致整个面地，依次形成i型非 晶质膜603iA与P型非晶质膜60化A(图16A)。其后，通过光刻法，在形成半导体层603的 部分形成抗蚀剂91，通过蚀刻来去除剩余部分（图16B)。由此，形成半导体层603。在形成 半导体层603后，去除抗蚀剂91。
[0152] 接着，通过等离子体CVD，覆盖娃基板301的背面W及半导体层603的大致整个面 地，依次形成i型非晶质膜602iA与n型非晶质膜602nA(图16C)。其后，通过光刻法，在形 成半导体层602的部分形成抗蚀剂92,通过蚀刻来去除剩余部分（图16D)。由此，形成半 导体层602。在形成半导体层602后，去除抗蚀剂92。
[0153] 接下来，在半导体层102上，形成绝缘膜604。绝缘膜604例如能够通过APCVD来 形成。
[0154] 接下来，覆盖半导体层602W及603地依次形成透明导电膜605A与导电膜 607A(图16巧。透明导电膜605AW及导电膜607A例如能够通过瓣锻来形成。其后，通过 光刻法，在形成透明导电膜605和电极607、W及透明导电膜606和电极608的部分形成抗 蚀剂93,通过蚀刻来去除剩余部分（图16巧。由此，形成透明导电膜605和电极607、W及 透明导电膜606W及电极608。在形成透明导电膜605W及电极607、W及透明导电膜606 W及电极608后，去除抗蚀剂93。
[0K5][光电变换元件6的效果]
[0156] 光电转换元件6是在受光面侧不存在电极的、所谓的背面接合型的光电转换元 件。根据该结构，由于在受光面侧不存在电极，所W能够获取更多的光。 阳157] 通过本实施方式，也能够缓和在形成于受光面侧的凹凸构造TX的凹部T甜中对半 导体层102W及绝缘膜604施加的应力。由此，能够提高转换效率。
[0158][第7实施方式] 阳159]图17是示出本发明的第7实施方式的光电转换元件7的概略结构的剖视图。光 电转换元件7与光电转换元件6相比，在W下方面不同。
[0160] 光电转换元件7具备娃基板701，来代替娃基板301。娃基板701的导电类型为n 型，在受光面侧形成有n型扩散区域701nl，在背面侧形成有n型扩散区域701n2W及P型 扩散区域701P。光电转换元件7具备纯化膜502,来代替半导体层102。未形成半导体层 602W及603。在运之外的结构与光电转换元件6相同。在光电转换元件7中，也在娃基板 701的受光面侧形成有凹凸构造TX，底部宽度化为20皿W上。 阳161] 通过在单面形成有凹凸构造TX的娃基板上，形成n型扩散区域701nl、n型扩散区 域701n2、化及P型扩散区域701p，来得到娃基板701。 阳162] 例如通过利用化CI3、成、W及〇2的混合气体气氛化来对娃基板701的受光面进行 热处理，能够形成n型扩散区域701nl。n型扩散区域701nl的渗杂物浓度为例如lX10"~ 1X1〇18細3。
[0163] 例如能够W如下方式形成n型扩散区域701n2W及P型扩散区域701p。
[0164] 首先，在娃基板701的背面的大致整个面，通过APCVD来沉积BSG膜。在沉积BSG 膜后，通过光刻法，在形成P型扩散区域701p的部分形成抗蚀剂，去除剩余部分。其后，通 过进行热处理而从BSG中使棚扩散，形成P型扩散区域701p。P型扩散区域701p的渗杂物 浓度为例如1X10"~1X10 18畑13。
[01化]接下来，在娃基板701的背面的大致整个面，通过APCVD来沉积PSG卿IOS地orus SiligateGlass)膜。在沉积PSG膜后，通过光刻法，在形成n型扩散区域