离子体刻蚀。在采用等离子体工艺刻蚀氧化物 掩膜层20和介质层10时，一种可选的方案中，刻蚀步骤的工艺条件为：刻蚀气体为CF4和 CHF3，溅射功率为400~1000瓦，刻蚀温度为25~60°C，刻蚀时间为30~360秒。
[0048] 完成刻蚀掩膜组件中的保护层60、金属硬掩膜层40、粘附层50、非晶碳层30以及 氧化物掩膜层20,形成预开口 70'的步骤之后，去除预开口 70'侧壁上的部分非晶碳层30 和部分氧化物掩膜层20,进而形成如图6所示的基体结构。实施该步骤后，得到的非晶碳层 30的横截面（平行于介质层10的表面）面积小于氧化物掩膜层20的（平行于介质层10 的表面的）面积。优选地，去除上述非晶碳层30的工艺为氧等离子体处理。在本申请的一 种可选实施方式中，可以在采用氧等离子体去除前一步骤中图案化的光刻胶层时，同时去 除预开口 70'侧壁上的部分非晶碳层30。
[0049] 完成去除预开口 70'侧壁上的部分非晶碳层30和部分氧化物掩膜层20的步骤之 后，回蚀保护层60、金属硬掩膜层40、粘附层50和非晶碳层30形成开口 70,进而形成如图 7所示的基体结构。上述回蚀金属硬掩膜层40和非晶碳层30的步骤优选采用湿法刻蚀的 方式，其中湿法刻蚀的试剂优选为H2O2溶液或者SCl溶液，回蚀的方式可以采用浸泡法或旋 转喷淋法。在本申请提供的一种可选实施方式中，通过旋转喷淋回蚀金属硬掩膜层40和非 晶碳层30的具体步骤包括：将H2O2与H2O的体积比1 :4~10的H2O2溶液喷涂到金属硬掩 膜层40和非晶碳层30上，并通过低速旋转（300~500rpm)使H2O2溶液均匀分布在金属硬 掩膜层40和非晶碳层30表面上，在温度为25~50°C件下，对金属硬掩膜层40和非晶碳层 30进行刻蚀，刻蚀的时间为60~300秒。
[0050] 完成回蚀保护层60、金属硬掩膜层40、粘附层50和非晶碳层30形成开口 70的步 骤之后，刻蚀开口 70暴露出的介质层10,在介质层10中形成通孔80,进而形成如图8所示 的基体结构。上述刻蚀工艺优选包括但不限于采用干法刻蚀，优选采用等离子体刻蚀。在 采用等离子体工艺刻蚀氧化物掩膜层20和介质层10时，一种可选的方案中，刻蚀步骤的工 艺条件为：刻蚀气体为CF4和CHF3，溅射功率为400~1000瓦，刻蚀温度为25~60°C，刻 蚀时间为30~360秒。需要注意的是，可以通过不同的刻蚀工艺步骤形成不同形状的通孔 80 (比如T型），以满足器件的性能需求。
[0051] 完成在介质层10中形成通孔80的步骤之后，在通孔80中填充金属材料形成金属 层90进而形成如图9所示的基体结构。在本申请的一种可选实施方式中，形成金属层90 的步骤包括：形成连续覆盖金属硬掩膜层40的表面以及填充在通孔80的预备金属层；去 除位于介质层10上方的预备金属层、金属硬掩膜层40、非晶碳层30和氧化物掩膜层20,形 成填充在通孔80中的金属层90。上述金属层90可以为现有技术中常用的金属材料，比如 Cu、Au或Sn,优选为Cu,形成上述金属层90的工艺包括但不限于采用电镀或化学气相沉积。 当采用电镀工艺在通孔80中形成Cu时，一种可选实施方式为：以Cu2P2O7为电镀液中的Cu 源，电镀过程中的电流密度为1~5A/dm2,电镀液的温度为5~80°C。
[0052] 在形成上述金属层90之前，还可以清洗通孔80。上述清洗步骤所采用的清洗液可 以为本领域中常见的清洗液，优选为HF溶液。同时，清洗步骤的工艺条件可以根据实际工 艺需求进行设定。在本申请的一种可选实施方式中，清洗步骤的工艺条件为：HF溶液中HF 和H2O的体积比为1:200~500,清洗的温度为20~45°C，清洗的时间为30~360s。在上 述步骤中，由于非晶碳层30的横截面（平行于介质层10的表面）面积小于氧化物掩膜层 20的（平行于介质层10的表面）面积，因此清洗步骤不会在氧化物掩膜层20的侧壁上产 生凹口，从而提高了金属层90与介质层10的结合强度，进而提高了互连层的稳定性。
[0053] 本申请还提供了一种互连层，该互连层由本申请所提供的互连层的制作方法制作 而成。该互连层中金属层与介质层的结合强度得以提高，进而使得互连层的稳定性得到提 商。
[0054] 下面将结合实施例进一步说明本申请提供互连层的制作方法。
[0055] 实施例1
[0056] 本实施例提供了一种互连层的制作方法，包括以下步骤：
[0057] 在SiCOH介质层上依次形成SiOC掩膜层、非晶碳层、SiO2粘附层、TiN掩膜层和 SiO2保护层。其中，
[0058] 采用等离子增强化学气相沉积工艺形成非晶碳层，其工艺条件为：以C2H2为反应 气体，反应气体的流量为lOOOsccm，腔室内压力为0. 5torr，溅射功率为100w，反应时间为 100s ；
[0059] 采用等离子体工艺刻蚀金属硬掩膜、非晶碳层以及部分氧化物掩膜层，形成预开 口，其工艺条件为：刻蚀气体为CF4和CHF3，溅射功率为1000瓦，刻蚀温度为60°C，刻蚀时间 为60秒；
[0060] 采用氧等离子体工艺刻蚀去除预开口侧壁上的部分非晶碳层，其工艺条件为：采 用O3的等离子体，溅射功率为800瓦，刻蚀温度为50°C，刻蚀时间为30s ;
[0061] 采用H2O2溶液回蚀金属硬掩膜层形成开口，其中H2O2与H 2O的体积比1 :10,回蚀 的温度为50°C条件下，时间为60秒；
[0062] 采用等离子体工艺刻蚀开口下方的氧化物掩膜层和介质层，在介质层中形成通 孔，其中刻蚀的工艺条件为：刻蚀气体为CF4和CHF3，溅射功率为1000瓦，刻蚀温度为60°C， 刻蚀时间为70秒；
[0063] 采用HF溶液清洗通孔，并采用电镀工艺在通孔中填充形成Cu层，其中HF溶液中 HF和H2O的体积比为1:300,清洗的温度为45°C，清洗的时间为80s ;其中以Cu2P2O7为电镀 液中的Cu源，电镀过程中的电流密度为3A/dnr,电镀液的温度为65°C。
[0064] 实施例2
[0065] 本实施例提供了一种互连层的制作方法，包括以下步骤：
[0066] 在SiCOH介质层上依次形成SiOC掩膜层、非晶碳层、TiN掩膜层和SiO2保护层。 其中，
[0067] 采用等离子工艺对介质层上表面进行碳掺杂处理，其工艺条件为：以C2H4为反应 气体，反应气体的流量为3000sccm，腔室内压力为lOtorr，溅射功率为2000w，反应时间为 Is ；
[0068] 采用等离子增强化学气相沉积工艺形成非晶碳层，其工艺条件为：以C2H4为反应 气体，反应气体的流量为3000sccm，腔室内压力为lOtorr，溅射功率为3000w，反应时间为 5s ；
[0069] 后续形成通孔以及Cu层步骤与实施例1相同。
[0070] 实施例3
[0071] 本实施例提供了一种互连层的制作方法，包括以下步骤：
[0072] 在SiCOH介质层表面上依次形成SiOC掩膜层、非晶碳层、3102粘附层、TiN掩膜层。 其中，
[0073] 采用等离子工艺对介质层进行碳掺杂处理，其工艺条件为：以C2H2为反应气体，反 应气体的流量为lOOOsccm，腔室内压力为0. 5torr，溅射功率为100w，反应时间为IOs ;
[0074] 采用等离子增强化学气相沉积工艺形成非晶碳层，其工艺条件为：以C2H2为反应 气体