艺、红外(IR)能量曝光工艺、它们的组合或者加热工艺与它们的组合。可选地，可以使用其他方法来固化模塑材料122。在一些实施例中，不包括固化工艺。
[0049]如图4所示，在固化工艺期间，模塑材料122可以收缩。由于新月效应(meniscuseffect)，模塑材料122在接近坝结构120处比在远离坝结构120的区域处可收缩得更少，从而形成凹进区域124。例如，在一些实施例中，凹进区域124中的凹进的量可以包括尺寸d4，其中，尺寸d4为约5μπι至约15μπι。可选地，尺寸d4可以包括其他值。凹进区域124也可以由于模塑材料122的施加工艺而形成，例如，在模塑材料122施加时为液体或凝胶的实施例中。
[0050]图5中示出了管芯100的拐角区126的更详细的截面图。有利地，由于在封装件中包括坝结构120，管芯100的衬底102的拐角被模塑材料122覆盖。甚至在凹进区域124中，大量的模塑材料122有利地位于或设置在集成电路芯片100的第一表面129a之上(例如，设置在管芯100的衬底102的表面之上)。例如，在一些实施例中，设置在集成电路芯片100的第一表面129a之上的模塑材料122的量包括尺寸d5，其中，尺寸d5为约2 μ m至约5μηι。可选地，尺寸d5可以包括其他值。设置在芯片100的第一表面129a之上的模塑材料122在封装工艺期间以及在随后形成互连结构的期间为管芯100提供保护。模塑材料122还设置在拐角区域126中并且为管芯100的拐角提供保护。模塑材料122与管芯100的第二表面129b基本共平面，其中，第二表面129b与管芯100的第一表面129a相对。
[0051]如图6所示，然后去除模塑材料122的顶部和坝结构120的顶部。在坝结构120的顶部的去除之后，坝结构120在图中标记为120’。例如，在一些实施例中，使用研磨工艺去除模塑材料122的顶部和坝结构120的顶部。例如，研磨工艺可以包括与砂磨工艺类似的工艺，其中，砂磨工艺使用旋转砂磨机用于木材。例如，研磨工艺可以包括旋转衬有适当的一种或多种材料的圆盘以将模塑材料122的材料和坝结构120的材料研磨至预定高度。例如，圆盘可以衬有金刚石。在一些实施例中，例如，可以使用化学机械抛光(CMP)工艺去除模塑材料122的顶部和坝结构120的顶部。还可以使用研磨工艺和CMP工艺的组合。可选地，可以使用其他方法去除模塑材料122的顶部和坝结构120的顶部。
[0052]在一些实施例中，在研磨和/或CMP工艺之后的坝结构120’包括尺寸为d6的高度或厚度，其中，尺寸d6为约Ιμ??至约2μπι。例如，尺寸d6小于尺寸d2。在一些实施例中，尺寸d6大于尺寸为山的接触焊盘104的第一高度或者与尺寸山大约相同。可选地，尺寸d6可以包括其他值和其他相对值。
[0053]尺寸(16在本文中(例如，在一些权利要求中)也称为第二高度或第三高度。例如，当尺寸d2 (在研磨和/或CMP工艺之前的坝结构120的高度)称为第二高度时，尺寸d6 (在研磨和/或CMP工艺之后的坝结构120’的高度)称为第三高度并且包括第三高度。作为另一实例，在尺寸为山的接触焊盘104的第一高度与在研磨和/或CMP工艺之后的坝结构120’的高度比较时，尺寸d6称为第二高度并且包括第二高度。
[0054]去除模塑材料122的顶部和坝结构120的顶部(从而形成高度减小的坝结构120’)还有利地使得凹进区域124中的凹进的量相对于高度减小的坝结构120’的顶面而减小。在研磨和/或CMP工艺之后的凹进区域124中的凹进包括尺寸d7，其中，作为实例，尺寸山为约Ομπι至约ΙΟμπι。例如，尺寸d7小于尺寸d4。在尺寸d7包括0的实施例中，有利地将凹进区域124中的凹进完全去除，形成用于互连结构的形成的基本上平坦的表面。可选地，尺寸d7可以包括其他值和其他相对值。
[0055]图7中示出了图6的拐角区126的更详细的截面图。在一些实施例中，去除模塑材料122的顶部包括去除模塑材料122中接近坝结构120’的部分。在一些实施例中，去除模塑材料122的顶部使得在研磨和/或CMP工艺之后接近坝结构120’的区域128中的模塑材料122与坝结构120’的顶面基本共面。在研磨和/或CMP工艺之后，模塑材料122包括大体尺寸d6。因此，例如，在用于去除模塑材料122的顶部和坝结构120的顶部的研磨和/或CMP工艺之后，接近坝结构120’的模塑材料122基本上包括尺寸d6，尺寸d6包括坝结构120’的第二高度。
[0056]接下来参照图8，然后在载体110上方形成互连结构130，例如，在模塑材料122和管芯100上方形成互连结构130。例如，在一些实施例中，互连结构130包括钝化后互连(PPI)结构或再分布层(RDL)。例如，在一些实施例中，互连结构130包括将管芯100上的接触焊盘104的封装区扩展至更大的封装区的扇出区域以适于封装。
[0057]互连结构130包括多个介电层130D以及在介电层130D内部形成的金属线130M和/或金属通孔130V以提供至衬底102上的接触焊盘104的电连接。例如，介电层130D可以通过任何合适的方法(诸如，旋压、CVD和/或等离子体增强CVD(PECVD))由低介电常数(低K)介电材料(诸如，磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氟化硅酸盐玻璃(FSG)、S1xCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、硅碳材料、它们的化合物、它们的复合物、它们的组合等)形成。作为实例，导线130M和导电通孔130V可以包括铜、铜合金、其他金属或合金、或它们的组合或多层。作为实例，可以使用消减(subtractive)和/或镶嵌技术来形成导电线130M和通孔130V。
[0058]用各介电层130D中的一层的绝缘材料填充凹进区域124。同样地，用各介电130D中的一层的绝缘材料填充位于衬底102上方且在坝结构120’、接触焊盘104和绝缘材料106之间的各区域。
[0059]如图9所示，去除载体110和薄膜112，并且在划线区132上分割或切割封装的半导体器件140以形成多个封装的半导体器件140。例如，在一些实施例中，沿着划线132切割模塑材料122和互连结构130以形成多个封装的半导体器件140。
[0060]例如，在图9中示出的实施例中，封装了一个管芯100。可选地，如图11所示，可以将两个或两个以上的管芯100封装在一个封装的半导体器件140’中，这在本文中将进一步描述。
[0061]图9还示出了在一些实施例中可以将多个连接件142连接至互连结构130的各部分。例如，互连结构130的最顶层可以包括在其上形成的接触焊盘(未示出)，并且连接件142连接至接触焊盘。例如，连接件142可以包括诸如焊料的共熔材料。在一些实施例中，共熔材料可以包括布置为球栅阵列(BGA)或其他布置的焊球或焊膏。通过将共熔材料加热至共熔材料的熔解温度来回流共熔材料，然后允许共熔材料冷却并重新凝固，从而形成连接件142。连接件142可以包括诸如微凸块、可控塌陷芯片连接(C4)凸块或柱状物的其他类型的电连接件