，并且可以包括诸如Cu、Sn、Ag、Pb等的导电材料。作为另一实例，在一些实施例中，连接件142可以包括连接凸块。在一些实施例中，在封装件上不包括连接件142。
[0062]图10是根据一些实施例的示出模塑材料122形成工艺的模塑工具150的截面图。为了形成模塑材料122，在模塑工具150的底部包封模具152上放置载体110，其中，多个管芯100附接至载体110。在工具150的加载端口上放置凝胶、液体或固体形式的模塑材料122，并且在载体110上方放置具有离型膜夹具的顶部包封模具154。打开工具150的真空装置，并且驱动压料柱塞156以推送模塑材料122并且注入模塑材料122以用模塑材料122填充包封模具152和154。然后固化模塑材料122或允许模塑材料122固化，打开顶部包封模具154，并且从底部包封模具152处去除载体110。
[0063]图11示出了根据一些实施例的包括多个封装在一起的集成电路管芯100的封装的半导体器件140’的截面图。可以使用本文中描述的方法将两个或两个以上的集成电路管芯100封装在一起，然后在划线132’处将其分割以形成封装的半导体器件140’。互连结构130的各部分为集成电路管芯100提供水平电连接。例如，一些导线130M’和通孔130V可以包括在两个或两个以上的管芯100之间的布线。连接件142 (见图9)可以或可以不连接至互连结构130的各部分。
[0064]图12A和图12B是根据一些实施例的示出在集成电路管芯100上形成的坝结构120’的顶视图。管芯100的形状通常为正方形或矩形。在图12A中，管芯100是正方形，并且坝结构120’直接形成在管芯100的边缘上。坝结构120’包括符合管芯100的形状的大致方环形状。在图12B中，管芯100是矩形，因此坝结构120’的形状也大致是矩形。然而，坝结构120’接近管芯100的边缘，但是仍与管芯100的边缘间隔开预定距离。例如，在一些实施例中，坝结构120’可以与管芯100的边缘间隔开若干微米。图12B还示出了坝结构120’的各拐角可以不是正方形的，但是可以包括诸如形成角度的其他形状。可选地，坝结构120’的拐角可以为圆形或其他形状。例如，管芯100和坝结构120’还可以包括其他形状以及相对形状和尺寸。
[0065]本发明的一些实施例包括封装半导体器件的方法。其他实施例包括已经使用本文中描述的新方法来封装的封装后的半导体器件。
[0066]本发明的实施例的一些优点包括提供包括用于模塑材料覆盖的新设计的封装方法。坝结构使得更多的模塑材料被施加到接近管芯处，从而使得管芯的各拐角区由模塑材料保护。使用研磨和/或CMP工艺来降低坝结构的高度从而降低或消除模塑材料顶面中的凹进。模塑材料顶面的平面性的改进使得用于形成互连结构的表面得以改进，这使得器件性能和封装产量改进。在施加模塑材料工艺期间，坝结构还减少或防止模塑材料的溢出在管芯的表面上。此外，本文中描述的新封装方法和结构可在制造和封装工艺流程中容易实现。
[0067]在一些实施例中，一种封装半导体器件的方法包括:在多个管芯上形成接近多个管芯的边缘区的坝结构，在多个管芯周围设置模塑材料，以及去除模塑材料的顶部和坝结构的顶部。
[0068]在一些实施例中，一种封装半导体器件的方法包括:将多个管芯连接至载体，在多个管芯的每个管芯上形成接近多个管芯的边缘区的坝结构，以及在多个管芯周围的载体上方设置模塑材料。该方法包括:去除模塑材料的顶部和坝结构的顶部，以及在多个管芯和模塑材料上方形成互连结构。去除载体，并且分割模塑材料和互连结构以形成多个封装的半导体器件。
[0069]在其他实施例中，一种封装的半导体器件包括集成电路管芯，集成电路管芯包括设置在其上的多个接触焊盘和坝结构，坝结构设置在多个接触焊盘周围并且接近集成电路管芯的边缘区。模塑材料设置在集成电路管芯和坝结构周围。互连结构设置在集成电路管芯和模塑材料上方。
[0070]上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他过程和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。
【主权项】
1.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括: 在多个管芯上形成接近所述多个管芯的边缘区的坝结构； 在所述多个管芯周围设置模塑材料；以及 去除所述模塑材料的顶部和所述坝结构的顶部。2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述模塑材料的顶部和所述坝结构的顶部包括研磨工艺或化学机械抛光(CMP)工艺。3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述模塑材料的顶部包括去除所述模塑材料中接近所述坝结构的一部分。4.根据权利要求1所述的方法，还包括:在所述多个管芯和所述模塑材料上方形成互连结构。5.根据权利要求4所述的方法，还包括:将多个连接件连接至所述互连结构。6.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述互连结构包括形成扇出区域。7.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述互连结构包括形成钝化后互连(PPI)结构或再分布层(RDL)。8.—种封装半导体器件的方法，所述方法包括: 将多个管芯连接至载体； 在所述多个管芯的每个管芯上都形成接近所述多个管芯的边缘区的坝结构； 在所述多个管芯周围的所述载体上方设置模塑材料； 去除所述模塑材料的顶部和所述坝结构的顶部； 在所述多个管芯和所述模塑材料上方形成互连结构； 去除所述载体；以及 切割所述模塑材料和所述互连结构以形成多个封装的半导体器件。9.一种封装的半导体器件，包括: 集成电路管芯，包括设置在所述集成电路管芯上的多个接触焊盘和坝结构，所述坝结构设置在所述多个接触焊盘周围且接近所述集成电路管芯的边缘区； 模塑材料，设置在所述集成电路管芯和所述坝结构周围；以及 互连结构，设置在所述集成电路管芯和所述模塑材料上方。10.根据权利要求9所述的封装的半导体器件，其中，所述多个接触焊盘包括第一高度，而所述坝结构包括第二高度，所述第二高度大于所述第一高度或者与所述第一高度大约相同。
【专利摘要】本发明公开了封装半导体器件的方法和封装的半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在管芯上形成接近管芯的边缘区的坝结构。在管芯周围设置模塑材料，以及去除模塑材料的顶部和坝结构的顶部。
【IPC分类】H01L21/56, H01L21/50
【公开号】CN105244289
【申请号】CN201410490820
【发明人】余振华, 刘重希, 陈孟泽, 黄晖闵, 黄致凡, 郑明达
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2014年9月22日
【公告号】DE102014110666A1, US20160013152