围的Lpx和Lnx。
[0073]另夕卜，如果用Lnx的范围表示上述内容，则成为0.1 < Lnx/(Lo - Lnx) ( 0.9、0.1 (Lo - Lnx) < Lnx < 0.9 (Lo - Lnx)、(0.1/1.1) Lo < Lnx < (0.9/1.9) Lo，在 Rsn > Rsp的情况下，成为0.09Lo ^ Lnx ^ 0.47Lo。另一方面，在Rsn < Rsp的情况下，也可以采用0.09Lo Lpx 0.47Lo。
[0074]在后述的图8至图14所示的制造方法中，Rsn的值比Rsp大，而且Rsn的偏差比Rsp大。因此，如果使Lnx/Lpx为上述的范围，则Rpnx的偏差也变小，Vf的偏差变小。
[0075]以上对Rsn的值和偏差比Rsp大的情况进行了说明，反之，在Rsp的值和偏差比Rsn大的情况下使0.1彡Lpx/Lnx彡0.9，由此能够减少Rpnx的值及其偏差。
[0076]如上所述，通过减小Rpnx的值，Rpnx在Vf中所占比例减少。因此，Vf由在pn结的界面23产生的电压Vpn决定，Rpnx影响到Vf的因素减少，因此与现有构造相比，能够容易地提高温度传感器二极管101的温度检测精度。但是，Vpn是与pn结的界面23的内置电位有关的Vf的上升电压，是从Vf中减去由Rpnx产生的压降的值。
[0077]另外，通过减小Rpnx的偏差，能够减少Vf的偏差，并且能够提高温度传感器二极管101的温度检测精度。
[0078]图5是表示用于说明第一实施方式的各电阻值与距离x的关系的图。各电阻值是Rpnx、Rnx、Rpx、Rpnx (Max)、Rpnx (Min)、Rnx (Max)、Rnx (Min)、Rpx (Max)、Rpx (Min)。此处，Max是最大值，Min是最小值，未带()的情况下表示平均值。另外，x表示从第一接触孔端18a至pn结的界面23的距离，如果该x增大，则Rpnx增大。
[0079]图6是表示Lnx、Lpx与距离X的关系的图。
[0080]图5和图6的横轴是X，表示从阴极区域14A的第一接触孔端18a至pn结的界面23的距离，距离X = 1成为Lo。另外，Lnx、Lpx是距离x下的各个电流通路的长度。例如示出了，在 X = 0 时，Lnx(X = 0) =0、Lpx(x = 0) = Lo，在 x = 1 时，Lnx(x = 1) = Lo、Lpx(x = 1) = 0。此外，x = 0.5时是图18所示的现有构造，成为Rpnx(x = 0.5) = Rpn、Rnx (x = 0.5) = Rn、Rpx (x = 0.5) = Rp、Lnx (x = 0.5) = Ln、Lpx (x = 0.5) = Lp。
[0081]根据图5 和图 6，用 Lnx = LoXx、Lpx = Lo - LoXx、Rnx = (2Rn)Xx、Rpx = (1 -x) X (2Rp)、Rpnx = Rnx+Rpx表示。其中，x是0?1范围的数值。
[0082]首先，对现有构造的Rpnx(x = 0.5)的值进行说明。其中，Rpnx(x = 0.5) = Rpn。
[0083]在现有构造中，由于x = 0.5，所以成为 Lnx(x = 0.5) = 0.5Lo、Lpx (χ = 0.5)=0.5Lo。另外，成为 Rpnx (x = 0.5) = Rnx (χ = 0.5) +Rpx (χ = 0.5) = 0.5 X 2Rn+0.5 X 2Rp=0.5X2 (Rn+Rp) = Rn+Rp。如果设 Rn = 2Rp，则成为 Rpnx (x = 0.5) = Rn+Rp = 2Rp+Rp=3Rp。
[0084]另一方面，在第一实施方式的情况下，例如如果设x = 0.1，则成为Lnx (χ =0.1) = 0.lLo、Lpx (χ = 0.1) = Lo - 0.lLo = 0.9Lo。成为 Rpnx (x = 0.1) = Rnx (x =0.1) +Rpx (x = 0.1) = 0.1 X 2Rn+0.9X 2Rp。如果设 Rn = 2Rp，则成为 Rpnx (x = 0.1)=0.1 X 2Rn+0.9 X 2Rp = 0.1 X 2 X 2Rp+0.9 X 2Rp = 0.4Rp+l.8Rp = 2.2Rp。
[0085]S卩，如果设阴极区域14A中的电流路径的长度Lnx为现有构造的20 % (=0.1 + 0.5X100)，则Rpnx从3Rp变成2.2Rp，寄生电阻Rpnx与现有构造相比，能够减少至70% ( = 2.2 + 3X100)左右。
[0086]这种情况对于Rpnx的偏差也成立。这是因为，对于方块电阻Rsn、Rpn，存在电阻值越大偏差也越大的倾向。因此，通过缩短电阻值较大的阴极区域14A的电流路径的长度Lnx,能够减小Rpnx的值及其偏差。其结果是，与现有构造相比，能够减小Vf的偏差，提高温度传感器二极管101的温度检测精度。
[0087]为了获得更具体的印象，列举适当的数值进行具体的说明。
[0088]首先，对作为现有构造的Lnx(x = 0.5)/Lpx(x = 0.5) = Lo/Lo = 1的情况进行说明。以下的数值是为了方便起见而作为例子使用的值。如果使LO = 30μm、LnX(x =
0.5) = 15 μ m、Lpx (χ = 0.5) = 15 μ m、W = 15 μ m、Rsn = 100 Ω / □、偏差=±20%、Rsp=50Ω/□、偏差=0%，贝丨J成为Rnx(x = 0.5)的最大值=120 Ω、Rnx(χ = 0.5)的最小值=80 Ω、Rpx (χ = 0.5)的最小值=50 Ω、Rpx (χ = 0.5)的最小值=50 Ω。
[0089]如果求取Rpnx (χ = 0.5)，则成为 Rpnx (χ = 0.5) = Rnx (χ = 0.5) +Rpx (χ = 0.5)=100Ω+50Ω = 150Ω。
[0090]接下来，求取Rpnx(x = 0.5)的偏差。
[0091]成为Rpnx (χ = 0.5)的最大值(Max) = Rnx (χ = 0.5)的最大值(Max) +Rpx (χ =
0.5)的最大值(Max) = 120+50 Ω = 170Ωο
[0092]成为Rpnx (x = 0.5)的最小值(Min) = Rnx (x = 0.5)的最小值(Min) +Rpx (x =
0.5)的最小值(Min) = 80Ω+50Ω = 130 Ω。
[0093]因此，如果用Rpnx (x = 0.5)的最大值_ Rpnx (x = 0.5)的最小值表示Rpnx (x =0.5)的偏差，则偏差成为170 Ω - 130 Ω = 40 Ω。
[0094]另一方面，作为本发明的一个例子，对Lnx(x = 0.33)/Lpx (x = 0.33) = 0.5的情况进行说明。
[0095]如果设Lo= 30 μ m、Lnx (x = 0.33) = 10 μ m、Lpx (x = 0.33) = Lo - Lnx (x = 0.33)=30 μ m - 10 μ m = 20 μ ι?ν ff = 15μηι、Rsn = 100 Ω / □、偏差=±20%、Rsp = 50 Ω / □、偏差=0，则成为
[0096]Rnx (x = 0.33) = 100 X 10/15 = 67 Ω。
[0097]另外，成为Rnx (χ = 0.33)的最大值=67 X 1.2 = 80 Ω、Rnx (x = 0.33)的最小值=67X0.8 = 54Ω、Rpx(x = 0.33)的最大值=Rpx(x = 0.33)的最小值=50X20/15 =67 Ω 0
[0098]如果求取Rpnx (x = 0.33)，则成为
[0099]Rpnx (χ = 0.33) = 67+67 = 134 Ω。
[0100]接下来，求取Rpnx (χ = 0.33)的偏差。
[0101]Rpnx (χ = 0.33)的最大值=80+67 = 147 Ω、Rpnx (χ = 0.33)的最小值=54+67=121 Ω 0
[0102]如果用[Rpnx(x= 0.33)的最大值 _ Rpnx(x = 0.33)的最小值]表示 Rpnx(x =
0.33)的偏差，则偏差成为147 Ω - 121 Ω = 26 Ω。
[0103]即，Rpnx(χ = 0.33)与 Rpnx (χ = 0.5)相比，150 Ω 减少至 134 Ω，偏差从 40 Ω 减少至26 Ω。
[0104]即使pn结的界面23的位置移动，构成Vf的Vpn (pn结的界面23的上升电压)也不会改变。S卩，即使χ的值改变，Vpn也不会改变。因此，Vf因Rpnx所引起的压降的偏差而改变。
[0105]当使流过的电流I为0.1mA时，Rpnx (χ = 0.5)所引起的压降是40 Ω X0.1mA =4mV，Rpnx(x = 0.33)所引起的压降成为26Ω X0.1mA = 2.6mV。即，Vf的偏差从4m