0077]另外，根据本实施方式，由于将静电卡盘23设为由下部圆板部23a与上部圆板部23b构成的两阶结构(帽型构造)，所以与现有技术相比，可使静电卡盘23内传递的热的边界部移动到基座12的外侧。因此，导热效率提高，容易确保静电卡盘23和晶片W中的热的均匀性。
[0078]在本实施方式的方式中，由于构成为将静电卡盘23的下部圆板部23a嵌合于金属基底41的凹部41a中的埋入结构，所以虽然静电卡盘23的下部圆板部23a的热膨胀被金属基底41的凹部41a约束，但由于金属基底41的热膨胀系数比静电卡盘23大，所以两者之间不会产生热应力。因此，可避免热应力引起的静电卡盘23的变形或损伤，保持基板载置面的精度。
[0079]在本实施方式中，为了使粘接剂层42的厚度均匀，可使隔板插入静电卡盘23的下部圆板部23a的下部平面与金属基底41的凹部41a的底部平面之间。作为隔板，例如，可适用由陶瓷构成的串珠(beads)。
[0080]以下，说明本实施方式的变形例。
[0081]图3是表示根据本实施方式变形例的基板载置台的部分截面图。
[0082]在图3中，该基板载置台52与图2的基板载置台12的不同之处在于，使静电卡盘23的下部圆板部23a的直径比上部圆板部23b的直径更大，即，延长下部圆板部23a的外周面相对于上部圆板部23b的外周面的突出长度，将聚焦环25载置在下部圆板部23a上。
[0083]根据本实施方式的变形例，由于将聚焦环25载置在静电卡盘23的下部圆板部23a上，所以当晶片W相对聚焦环25定位时，两部件之间仅插入静电卡盘23，可更正确地定位，两部件间形成的间隙(B)的尺寸稳定。另外，可避免各构成部件的制作公差积累引起的定位不好。
[0084]在本实施方式的变形例中，聚焦环25与静电卡盘23的下部圆板部23a沿半径方向的一重合部分的重合宽度(G)例如为I?30mm。由此，聚焦环25被静电卡盘23稳定地支撑。
[0085]在本实施方式的变形例中，聚焦环25的下部平面与金属基底41的上部平面41b之间形成的间隙(E)与图2中的聚焦环25的下部平面与下部圆板部23a的上部平面之间形成的间隙⑶一样，例如为0.4mm以下。由此，可阻止等离子体进入到该间隙(E)中。
[0086]以下，说明本实施方式的另一变形例。
[0087]图4是表示根据本实施方式另一变形例的基板载置台的部分截面图。
[0088]在图4中，该基板载置台62与图2的基板载置台12的不同之处在于，作为金属基底61，没有使静电卡盘23嵌合的凹部，而具有平坦的上部平面，在聚焦环55上，设置有使静电卡盘23的下部圆板部23a的外周部和粘接剂层42的外周部嵌合的切口部55a，在该切口部55a中，游离嵌合静电卡盘23的下部圆板部23a的外周部和粘接剂层42的外周部。
[0089]根据本实施方式的另一变形例，静电卡盘23的下部圆板部23a的外周部与粘接剂层42的外周部、同聚焦环55的切口部55a的内壁面的间隙被聚焦环55自身覆盖，所以阻止等离子体进入到该间隙。因此，可防止因等离子体照射引起的粘接剂层42的消耗或金属基底61表面中的电弧放电的产生。
[0090]在上述实施方式中，实施等离子体处理的基板不限于半导体器件用的晶片，也可以是包含 LCD (Liquid Crystal Display)的 FPD (Flat Panel Display)等中使用的各种基板或光掩膜、CD基板、印刷基板等。
【主权项】
1.一种基板处理装置的基板载置台，其特征在于，包括: 基部； 通过粘接剂层粘接于该基部的上部平面，并通过圆形的吸附面支撑基板的圆板状的静电卡盘；和 配置在该静电卡盘的周围，包围所述基板，并且覆盖所述基部的所述上部平面的外周部的圆环状的聚焦环， 所述静电卡盘为具有上部圆板部和直径比该上部圆板部大的下部圆板部的两层结构，所述下部圆板部的外周部和将该下部圆板部与所述基部粘接的所述粘接剂层的外周部由所述聚焦环覆盖， 所述基部具有使所述静电卡盘的所述下部圆板部嵌合的凹部，所述下部圆板部与所述凹部的嵌合部由所述聚焦环覆盖， 所述聚焦环载置于所述静电卡盘的所述下部圆板部上， 所述聚焦环的下部平面与包围所述基部的所述凹部的上部平面不抵接。2.如权利要求1所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述聚焦环的下部平面与包围所述基部的所述凹部的上部平面的间隙(E)为0.4mm以下。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述基板是圆形的板状体，该基板与所述聚焦环在垂直方向上部分重合，所述重合部分的所述基板的下部平面与所述聚焦环的上部平面的间隙(B)为0.4mm以下。4.如权利要求1或2所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述静电卡盘的所述上部圆板部的外周面与所述聚焦环的内周面的间隙(C)为0.05 ?0.4mm。5.如权利要求3所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述静电卡盘的所述上部圆板部的外周面与所述聚焦环的内周面的间隙(C)为0.05 ?0.4mm。6.如权利要求1或2所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述聚焦环与所述静电卡盘的下部圆板部沿半径方向的一重合部分的重合宽度(G)为1?30mm。7.如权利要求3所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述聚焦环与所述静电卡盘的下部圆板部沿半径方向的一重合部分的重合宽度(G)为1?30mm。8.如权利要求4所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述聚焦环与所述静电卡盘的下部圆板部沿半径方向的一重合部分的重合宽度(G)为1?30mm。9.如权利要求5所述的基板处理装置的基板载置台，其特征在于: 所述聚焦环与所述静电卡盘的下部圆板部沿半径方向的一重合部分的重合宽度(G)为1?30mm。
【专利摘要】提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。
【IPC分类】H01L21/683
【公开号】CN105355585
【申请号】CN201510896410
【发明人】佐藤彻治, 北泽贵, 吉村章弘
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2010年11月17日
【公告号】CN102110632A, EP2325877A2, EP2325877A3, US8687343, US20110116207