层上的第一氧化物层，所述第一材料层位于所述第一氧化物层上，并且其中在所述第二部分处蚀刻第一开口包括蚀刻第一开口穿过所述第一材料层和所述第一氧化物层到达所述第二材料层。7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基板包括第三材料层以及在所述第三材料层上的第一氧化物层，所述第一材料层位于所述第一氧化物层上，并且其中在所述第二部分处蚀刻第一开口包括蚀刻第一开口穿过所述第一材料层和所述第一氧化物层到达所述第三材料层。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三材料是硅并且所述第二材料是硅错Ο9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括第三材料层，在所述第三材料层上的第一氧化物层、在所述第一氧化物层上的第二材料层，以及在所述第二材料层上的第二氧化物层，并且其中所述第一材料层位于所述第二氧化物层上，并且其中在所述第二部分处蚀刻第一开口包括蚀刻第一开口穿过所述第一材料层和所述第二氧化物层到达所述第二材料层。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，包括在所述基板的第三部分处蚀刻第二开口穿过所述第一材料层、所述第二氧化物层、所述第二材料层和所述第一氧化物层到达所述第三材料层，以及在所述第二开口中形成第三材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平，以及在所述第三部分处形成第三材料的鳍。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，掩模所述基板的第一部分包括保持所述基板的第三部分暴露并且包括在所述基板的所述第三部分处蚀刻第二开口，所述第二开口穿过所述第一材料层、所述第二氧化物层、所述第二材料层以及所述第一氧化物层到达所述第三材料层，以及在所述第二开口中形成第三材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平，以及在所述第三部分处形成所述第三材料的鳍。12.—种具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件，包括 具有带顶面的第一层的基板； 在第一层顶面上的第一氧化物层，所述第一氧化物层具有顶面，所述第一氧化物层覆盖了所述第一层的第一部分，并且不覆盖所述第一层的第二部分； 在所述第一层的所述第二部分处的材料第一基体，所述材料第一基体具有与所述第一氧化物层的所述顶面齐平的顶面； 在所述第一氧化物层上的由第一材料形成的第一组鳍；以及 在所述材料第一基体上的由第二材料形成的第二组鳍。13.如权利要求12所述的FinFET器件，其特征在于，所述第一层包括所述第二材料。14.如权利要求12所述的finFET器件，其特征在于，所述基板包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。15.如权利要求14所述的finFET器件，其特征在于，所述第二材料包括锗。16.如权利要求14所述的finFET器件，其特征在于，所述基板包括第二层以及在所述第二层上的第二氧化物层，其中所述第一层位于所述第二氧化物层上，以及包括从所述第二层延伸通过所述第二氧化物层、所述第一层和所述第一氧化物层的材料第二基体，所述材料第二基体具有与所述第一氧化物层的所述顶面齐平的顶面，所述材料第二基体和所述第二层由第三材料形成，并且由所述第三材料在所述材料第二基体上形成第三组鳍。17.如权利要求16所述的finFET器件，其特征在于，所述第二材料包括锗，并且所述第三材料包括硅。18.如权利要求12所述的finFET器件，其特征在于，其被集成到至少一个半导体管芯中。19.一种其中集成有如权利要求12所述的finFET器件的设备，所述设备选自包括机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机的组。20.一种形成不同材料的鳍的方法，包括: 提供包括第一材料层、在所述第一材料层上的第一氧化物层、在所述第一氧化物层上的第二材料层、在所述第二材料层上的第二氧化物层以及在所述第二氧化物层上的第三材料层的基板，所述第三材料层具有形成所述基板的顶面的顶面； 在所述基板上的第一位置处蚀刻第一开口，所述第一开口穿过所述第三材料层并且穿过所述第二氧化物层到达所述第二材料层； 在所述第一开口中形成第二材料基体达到所述基板的所述顶面的水平； 在所述基板上的第二位置处蚀刻第二开口，所述第二开口穿过所述第三材料层、所述第二氧化物层、所述第二材料层以及所述第一氧化物层到达所述第一材料层； 在所述第二开口中形成第一材料基体达到所述基板的所述顶面的水平；以及在所述第一位置处形成包括所述第二材料的第一鳍，在所述第二位置处形成包括所述第一材料的第二鳍以及在第三位置处形成包括所述第三材料的第三鳍。21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍从所述第二氧化物层的顶面的平面延伸。22.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一鳍的高度基本等于所述第二鳍的高度，并且所述第二鳍的所述高度基本等于所述第三鳍的高度。23.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括硅，所述第二材料包括锗，并且所述第三材料包括II Ι-v族材料。24.一种形成不同材料的鳍的方法，包括: 提供包括带顶面的第一材料层的基板的步骤； 掩模所述基板的第一部分以形成掩模，而保持所述基板的第二部分暴露的步骤； 在所述第二部分处蚀刻第一开口的步骤； 在所述第一开口中形成第二材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平的步骤； 移除所述掩模的步骤；以及 在所述第一部分处形成所述第一材料的鳍以及在所述第二部分处形成所述第二材料的鳍的步骤。25.如权利要求24所述的方法，其特征在于，掩模所述基板的第一部分的步骤包括保持所述基板的第三部分暴露的步骤并且包括在所述基板的所述第三部分处蚀刻第二开口的步骤，所述第二开口穿过所述第一材料层、所述第二氧化物层、所述第二材料层以及所述第一氧化物层到达所述第三材料层，以及在所述第二开口中形成第三材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平的步骤，以及在所述第三部分处形成所述第三材料的鳍的步骤。26.—种具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件，包括 具有带顶面的第一层的基板； 在第一层顶面上的第一氧化物层，所述第一氧化物层具有顶面，所述第一氧化物层覆盖了所述第一层的第一部分，并且不覆盖所述第一层的第二部分； 在所述第一层的所述第二部分处的材料第一基体，所述材料第一基体具有与所述第一氧化物层的所述顶面齐平的顶面。 用于形成半导体器件的第一部分的第一鳍装置；以及 用于形成半导体器件的第二部分的第二鳍装置。27.一种形成不同材料的鳍的方法，包括: 提供包括第一材料层、在所述第一材料层上的第一氧化物层、在所述第一氧化物层上的第二材料层、在所述第二材料层上的第二氧化物层以及在所述第二氧化物层上的第三材料层的基板的步骤，所述第三材料层具有形成所述基板的顶面的顶面； 在所述基板上的第一位置处蚀刻第一开口的步骤，所述第一开口穿过所述第三材料层并且穿过所述第二氧化物层到达所述第二材料层； 在所述第一开口中形成第二材料基体达到所述基板的所述顶面的水平的步骤； 在所述基板上的第二位置处蚀刻第二开口的步骤，所述第二开口穿过所述第三材料层、所述第二氧化物层、所述第二材料层以及所述第一氧化物层到达所述第一材料层； 在所述第二开口中形成第一材料基体达到所述基板的所述顶面的水平的步骤； 在所述第一位置处形成包括所述第二材料的第一鳍的步骤，在所述第二位置处形成包括所述第一材料的第二鳍的步骤以及在第三位置处形成包括所述第三材料的鳍的步骤。
【专利摘要】形成不同材料的鳍的方法包括提供具有带顶面的第一材料层的基板，掩模该基板的第一部分而保持该基板的第二部分暴露，在该第二部分处蚀刻第一开口，在该开口中形成第二材料的基体达到与该第一材料层的顶面的水平，移除该掩模，并且在该第一部分处形成第一材料的鳍并且在该第二部分处形成第二材料的鳍。还公开了具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件。
【IPC分类】H01L21/8258, H01L27/12, H01L21/84, H01L21/8234
【公开号】CN105453251
【申请号】CN201480043551
【发明人】S·S·宋, Z·王, C·F·耶普
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年7月25日
【公告号】EP3028301A1, US9396931, US20150035019, WO2015017283A1