考虑到以上说明，因为根据该实施例的发光器件封装100A和100B的第一绝缘层 152、154和156每一个具有包括至少两个层的多层结构，所以第一绝缘层152、154和156每 一个可以具有比根据对照实施例具有单层结构的绝缘层高的热膨胀系数，由此在倒装芯片 结合过程之后并不由于残余应力而受到破坏。在多层第一绝缘层152、154和156中包括的 层的数目增加越多，第一绝缘层152、154和156的热膨胀系数的第一平均值可以增加越多。 相应地，发光器件封装100A和100B可以实现增强的可靠性。
[0096] 另外，如上所述，当第一绝缘层152、154和156包括DBR时，不存在第二接触层164 的区域中的反射率可以被DBR增强，因为DBR能够反射光。
[0097] 另外，在其中在图3中示出的上述第二接触层164包括由ΙΤ0形成的透明电极 164-1和由银（Ag)形成的反射层164-2的情形中，银（Ag)具有良好的反射率，但是具有不 良的附着性。在此情形中，当发光器件K被结合到封装主体110时，由于热膨胀系数的差， 导致金属（例如，银（Ag))的剥离可以在图3中示出的ΙΤ0 164-1和反射层164-2之间的 界面处发生。因此，根据该实施例，第一绝缘层150 ;152、154和156可以使用例如等离子体 增强化学汽相沉积（PECVD)制造以便使得能够覆盖第二接触层164,由此改进银的不良的 附着性以便可以防止金属剥离。
[0098] 另外，在其中第一绝缘层150 ; 152、154和156使用离子束辅助沉积（IAD)制造的 情形中，IAD薄层的高密度特性可以防止银（Ag)从反射层164-2的迀移并且改进在发光结 构170和第一绝缘层152、154和156之间的界面处的附着。
[0099] 另外，在其中第一绝缘层150 ;152、154和156具有多层结构的情形中，如在图3 中示例性示出地，即便在第二接触层164的台阶式角部部分处产生裂纹，第一绝缘层150 ; 152、154和156仍然具有多层结构，由此有效地防止由于裂纹引起的不利效果。
[0100] 同时，再次参考图2和4,发光器件封装100A和100B的模制部件190可以包封并 且保护发光器件K。模制部件190可以由例如硅（Si)形成并且包含荧光体，因此能够改变 从发光器件K发射的光的波长。虽然焚光体可以包括选自可以将从发光器件K产生的光改 变为白光的YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基，和氮化物基波长改变材料中的荧光体，但 是实施例不限于荧光体的种类。
[0101] YGA 基和 TAG 基荧光体可以选自（Y、Tb、Lu、Sc、La、Gd、Sm)3(Al、Ga、In、Si、Fe)5(0、 S)12 :Ce，并且硅酸盐基荧光体可以选自（Sr、Ba、Ca、Mg)2Si04 :(Eu、F、Cl)。
[0102] 另外，硫化物基荧光体可以选自（Ca、Sr)S:Eu、（3^0&、8&)仏1、6 &)234疋11，并且 氮化物基荧光体可以选自 者Ca-αSiA10N:Eu基（Cax、My)(Si、Al)12(0、N)16(这里，M是Eu、Tb、Yb，或者Er中的至 少一种，0· 05〈（x+y)〈0· 3、0· 02〈χ〈0· 27,并且 0· 03〈y〈0. 3)。
[0103] 红色荧光体可以是包括N的氮化物基荧光体（例如，CaAlSiN3 :Eu)。与硫化物基 荧光体相比，氮化物基红色荧光体在外部环境诸如、例如热和潮湿的耐受性方面具有较高 的可靠性和较低的变色风险。
[0104] 虽然根据在图1到6中示出的上述实施例的发光器件封装100A和100B具有倒装 芯片结合结构，但是实施例不限于此。即，在另一实施例中，本发明还可以应用于具有竖直 结合结构的发光器件封装。
[0105] 在根据该实施例的发光器件封装中，多个发光器件封装的阵列可以布置在板上， 并且光学部件诸如、例如导光板、棱镜片和扩散片可以布置在发光器件封装的光路中。发光 器件封装、板和光学部件可以用作背光单元。
[0106] 另外，可以在一种发光设备诸如、例如显示设备、指示器设备，和照明设备中包括 根据该实施例的发光器件封装。
[0107] 这里，该显示设备可以包括底盖、布置在底盖上的反射板、配置为发光的发光模 块、布置在反射板前面以向前引导从发光模块发射的光的导光板、包括布置在导光板前面 的棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示板、连接到显示板以向显示板供应图像信号 的图像信号输出电路，和布置在显示板前面的滤色片。这里，底盖、反射板、发光模块、导光 板，和光学片可以构成背光单元。
[0108] 另外，该照明设备可以包括包括板和根据该实施例的发光器件封装的光源模块、 配置为辐射光源模块的热的散热器，和配置为处理或者转换来自外部来源的电信号以便将 其供应到光源模块的电源单元。例如，该照明设备可以包括灯、头灯，或者街灯。
[0109] 头灯可以包括包含布置在板上的发光器件封装的发光模块、配置为沿着给定方向 例如向前反射从光源模块发射的光的反射器、配置为向前折射由反射器反射的光的透镜， 和配置为通过阻挡或者反射由反射器反射并且引导到透镜的一些光而实现由设计者选择 的光分布图案的遮光物。
[0110] 如根据以上说明清楚地，根据该实施例，发光器件封装能够通过减小在衬底和第 一绝缘层之间的热膨胀系数差而防止第一绝缘层在倒装芯片结合之后由于残余应力而受 到破坏。另外，该发光器件能够防止在在反射层和在第二接触层中包括的透明电极之间的 界面处金属的剥离并且防止在反射层中包括的金属的迀移。另外，该发光器件能够增加在 发光结构和第一绝缘层之间的附着并且由于在第二接触层中包括的反射层增加在其中光 的反射否则将是不可能的区域中的反射率。另外，即便在第二接触层的台阶式角部部分处 产生裂纹，该发光器件仍然能够有效地防止不利的效果。
[0111] 虽然已经参考其多个示出性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域技术人 员能够设计将落入本公开原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更加具体地，在 本公开、附图和所附权利要求的范围内，在主题组合设置的构件和/或布置方面，各种更改 和修改都是可能的。除了在构件和/或设置方面的更改和修改，对于本领域技术人员而言， 可替代物使用也将是明显的。
【主权项】
1. 一种发光器件封装，包括： 衬底； 发光结构，所述发光结构布置在所述衬底下面，所述发光结构包括第一导电半导体层、 有源层，和第二导电半导体层； 第一电极，所述第一电极被配置为穿过所述第二导电半导体层和所述有源层，以便与 所述第一导电半导体层接触； 接触层，所述接触层被配置为与所述第二导电半导体层接触； 第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述第二导电半导体层和所述第一电极之间以及 在所述有源层和所述第一电极之间，所述第一绝缘层设置用于覆盖所述接触层的侧部和上 部；以及 第二电极，所述第二电极被配置为穿过所述第一绝缘层，以便与所述接触层接触。2. 根据权利要求1所述的封装，其中，所述接触层包括： 反射层；和 布置在所述反射层和所述第二导电半导体层之间的透明电极。3. 根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一电极包括： 金属层，所述金属层被配置为穿过所述第二导电半导体层和所述有源层，以便与所述 第一导电半导体层接触；和 结合焊盘，所述结合焊盘被配置为与所述金属层接触。4. 根据权利要求3所述的封装，进一步包括：布置成包封所述第一绝缘层和所述金属 层的第二绝缘层， 其中，所述第二电极穿过所述第一和第二绝缘层以及所述金属层，以便与所述接触层 接触。5. 根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一绝缘层包括至少两个层。6. 根据权利要求5所述的封装，其中，所述第一绝缘层具有包括重复地布置的所述至 少两个层的多层结构。7. 根据权利要求5所述的封装，其中，所述至少两个层由具有不同的热膨胀系数的材 料形成。8. 根据权利要求7所述的封装，其中，在所述衬底的第一热膨胀系数和所述至少两个 层的体积热膨胀系数的平均值之间的差是±3x10 6K到±4x10 6K或者更低。9. 根据权利要求7所述的封装，其中，所述衬底包括蓝宝石，并且在所述衬底的第一 热膨胀系数和所述至少两个层的体积热膨胀系数的平均值之间的差在从±2. 5x10 6Κ到 ±12. 5x10 6Κ的范围内。10. -种发光设备，包括根据权利要求1到9中任何一项所述的发光器件封装。
【专利摘要】本发明涉及一种发光器件封装和包括该封装的发光设备。实施例提供一种发光器件，包括：衬底；布置在衬底下面的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层，和第二导电半导体层；配置为穿过第二导电半导体层和有源层以便与第一导电半导体层接触的第一电极；配置为与第二导电半导体层接触的接触层；布置在第二导电半导体层和第一电极之间以及在有源层和第一电极之间的第一绝缘层，第一绝缘层设置用于覆盖接触层的侧部和上部；和配置为穿过第一绝缘层以便与接触层接触的第二电极。
【IPC分类】H01L33/38, H01L33/60, H01L33/62
【公开号】CN105552189
【申请号】CN201510706196
【发明人】林祐湜, 徐在元, 任范镇
【申请人】Lg伊诺特有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月27日
【公告号】EP3016152A1, US20160118543