术的效果和特征以及其相关方法将通过结合附图的对实施例 的以下描述变得明显。然而，所描述的技术不局限于以下所描述的实施例，而是可以以各种 模式实施。
[0049] 现在将参照示出示例性实施例的附图对所描述的技术进行更全面充分的描述。在 附图中，相同或相应的元件由相同的附图标记来表示，因此将不再给出它们的重复解释。
[0050] 将理解的是，尽管可在此使用术语"第一"、"第二"等来描述各种元件，但是这些元 件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。
[0051] 如这里使用的，除非上下文清楚地另有指示，否则单数形式"一个"、"一种"和"该 /所述"也意图包括复数形式。
[0052] 还将理解的是，在此使用的术语"包含"和/或"包括"指明存在陈述的特征或组 件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
[0053] 将理解的是，当层、区域或组件被称为"形成在"另一层、区域或组件"上"时，该层、 区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中 间层、中间区域或中间组件。
[0054] 为了清楚起见，会夸大附图中组件的尺寸。换句话说，由于附图中组件的尺寸和厚 度会被夸大，所以以下实施例不局限于此。
[0055] 如这里使用的，术语"和/或"包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。 诸如"……中的至少一个/种"的表达在一列元素（要件）之后时，修饰整列的元素（要件） 而不修饰所述列中的单个元素（要件）。
[0056] 图1是示出根据示例性实施例的OLED显示器100的剖视图。
[0057] 参照图1，OLED显示器100包括柔性基底FS、TFT层110、OLED层120和薄膜包封 层 130。
[0058] 柔性基底FS包括第一塑料层1PL、第一阻挡层1BL、第一中间层1IL、第二塑料层 2PL、第二中间层2IL和第二阻挡层2BL。
[0059] 第一塑料层IPL和第二塑料层2PL中的每个可以由具有高耐热性和高耐久性的塑 料材料（诸如聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚芳酯、聚碳 酸酯、聚醚酰亚胺（PEI)或聚醚砜）形成。
[0060] 与玻璃基底相比，湿气或氧会更容易地渗透通过均由塑料材料形成的第一塑料层 IPL和第二塑料层2PL。因此，当湿气或氧渗入通过第一塑料层IPL或第二塑料层2PL时， 容易受到湿气或氧的影响的有机发射层会劣化，从而缩短了 OLED的寿命。
[0061] 为了防止氧和湿气的渗透，第一阻挡层IBL形成在第一塑料层IPL上，第二阻挡层 2BL形成在第二塑料层2PL上。
[0062] 第一阻挡层IBL和第二阻挡层2BL中的每个可以由无机材料（诸如金属氧化物、 氮化硅或氧化硅）形成。例如，第一阻挡层IBL和第二阻挡层2BL中的每个可以具有由诸 如A1 203、SiO2S SiNx的无机材料形成的单层结构或多层结构。形成为具有单层结构或多 层结构的第一阻挡层IBL和第二阻挡层2BL中的每个的水蒸汽透过率（WVTR)可小于或等 于约 10 5g/ (m2 ·天）。
[0063] 第一中间层IIL形成在第一阻挡层IBL和第二塑料层2PL之间，以增加第一阻挡 层IBL和第二塑料层2PL之间的粘合力。
[0064] 第二中间层2IL形成在第二塑料层2PL和第二阻挡层2BL之间，以增加第二塑料 层2PL和第二阻挡层2BL之间的粘合力。
[0065] TFT层110和OLED层120形成在柔性基底FS上。
[0066] 图2是图1的部分II的放大图，示出OLED显示器100的TFT层110和OLED层 120〇
[0067] 参照图2, TFT形成在第二阻挡层2BL上，并且包括半导体层111、栅电极113、源 电极115和漏电极116。栅极绝缘膜112形成在半导体层111和栅电极113之间，层间绝 缘膜114形成在栅电极113与源电极115和漏电极116之间。半导体层111可由多晶硅 (poly-硅）、非晶硅（a-硅）、有机材料或导电氧化物形成。尽管在图2的实施例中TFT为 顶栅型TFT，但是所描述的技术不局限于此。即，可使用包括底栅型TFT的任何合适的TFT 变体。
[0068] 尽管在图2的实施例中TFT直接形成在第二阻挡层2BL上，但是所描述的技术不 局限于此。还可将缓冲层（未示出）置于第二阻挡层2BL和TFT之间。
[0069] 缓冲层使柔性基底FS平坦化并防止杂质元素从柔性基底FS渗入到半导体层111 中。缓冲层可具有由氮化硅和/或氧化硅形成的单层结构或多层结构。另外，尽管未在图 2中示出，但是至少一个电容器可连接到TFT。
[0070] 钝化层117形成在TFT上，像素限定层122形成在钝化层117上。钝化层117可 保护TFT并使TFT的顶表面平坦化。
[0071 ] OLED连接到TFT的源电极115和漏电极116中的一个。OLED包括像素电极121、 对电极或共电极124以及至少包括置于像素电极121和对电极124之间的有机发射层的层 123。包括有机发射层的层123可由低分子量或高分子量的有机材料形成。当层123由低 分子量有机材料形成时，层123可形成为具有堆叠有空穴注入层（HIL)、空穴传输层（HTL)、 发射层（EML)、电子传输层（ETL)和电子注入层（EIL)的单一结构或复合结构。当层123 由高分子量有机材料形成时，层123可具有包括HTL和EML的结构。包括有机发射层的层 123可形成包括发射红光、绿光和蓝光的子像素的一个单位像素。另外，包括有机发射层的 层123可通过竖直地堆叠或组合包括发射红光、绿光和蓝光的发光材料的层来形成。可使 用颜色的任何其他组合，只要发射白光即可。另外，OLED显示器100还可包括将白光改变 成预定颜色的光的滤色器或颜色改变层。
[0072] 对电极124可以以各种方式形成，例如，对电极124可跨过多个像素公共地形成。
[0073] 像素电极121可充当阳极，并且对电极124可充当阴极，或者反之亦然。另外，像 素电极121和对电极124中的至少一个可以是使从EML发射的光透射通过的透明电极。
[0074] 为了便于解释，在图1和图2中OLED层120形成在TFT层110上。因此，例如， TFT层110的一部分和OLED层120的一部分可形成在同一层上。例如，TFT的栅电极113 和OLED的像素电极121可形成在同一层上。
[0075] 包封OLED的薄膜包封层130形成在柔性基底FS上。薄膜包封层130可由多个无 机层形成或者可由无机层和有机层的组合形成。
[0076] 有机层由聚合物形成，并且可具有由以下材料中的任意一种材料形成的单层或多 层结构：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯。有 机层可由聚丙烯酸酯形成，具体地，可包括含有二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的 聚合单体组成物。还可以在聚合单体组成物中包括单丙烯酸酯类单体。另外，聚合单体组 成物可以包括但不限于诸如TPO的光引发剂。
[0077] 无机层可具有包括金属氧化物或金属氮化物的单层或多层结构。具体地，无机层 可包括以下材料中的任意材料：SiN x、A1203、SiOjP TiO 2。
[0078] 薄膜包封层130的被暴露于环境的最上层可为无机层，以防止水蒸汽透到OLED 中。
[0079] 薄膜包封层130可包括使至少一个有机层插入到至少两个无机层之间的至少一 个夹层结构。可替换地，薄膜包封层130可包括使至少一个无机层插入到至少两个有机层 之间的至少一个夹层结构。
[0080] 薄膜包封层130可包括顺序地堆叠在OLED的顶部上的第一无机层、第一有机层和 第二无机层。可替换地，薄膜包封层130可包括顺序地堆叠在OLED的顶部上的第一无机层、 第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。另外，薄膜包封层130可包括顺序地 堆叠在OLED的顶部上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、 第三有机层和第四无机层。
[0081] 还可将包括氟化锂（LiF)的卤化金属层置于OLED和第一无机层之间。卤化金属 层可防止当通过使用溅射或等离子体沉积来形成第一无机层时OLED受损。
[0082] 第一有机层的面积可以小于第二无机层的面积，第二有机层的面积可以小于第三 无机层的面积。另外，第一有机层可以被第二无机层完全覆盖，第二有