一种圆片级封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种圆片级封装结构，属于半导体封装技术领域。
【背景技术】
[0002]现有的圆片级封装，先对圆片进行划片，将完成划片后分离的芯片正面粘贴在载板上，再对载板粘贴芯片的一侧进行塑封，去除载板，露出芯片正面，对芯片正面电极进行Fanout重布线制作金属线路与产品电性的输出。圆片划片后单颗芯片排列粘贴在载板上进行包封、制作Fanout金属线路，一方面芯片排列对位的效率低，而且分离芯片排列对位容易产生位移偏差，这将造成后续芯片正面Fanout金属线路的偏移；由于圆片Fanout封装在封装厂进行，但是对于封装厂进行Fanout工艺涉及的密间距线路制作，难度比较高，容易出现线路短路、线路剥离的问题，良率偏低。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种圆片级封装结构，圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应，实现整片圆片倒装于引线框，再进行圆片的切割分离以及封装，实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。
[0004]本实用新型的目的是这样实现的:一种圆片级封装结构，它包括引线框，所述引线框上倒装有芯片，所述芯片正面设置有金属凸点，所述金属凸点与引线框之间通过锡球相连接，所述引线框、金属凸点和锡球周围包封有塑封料，所述引线框背面电镀有金属层。
[0005]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0006]1、芯片重布线制作与封装分别由各自擅长的晶圆FAB厂与封装厂完成，产品良率比较高；
[0007]2、引线框单颗Unit尺寸等同于单独的芯片尺寸，不仅最大化地利用了金属引线框，而且可以缩小产品尺寸，提高引线框的利用率，降低材料成本；
[0008]3、整片圆片一次倒装完成、大大提高了生产效率，降低了生产成本。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型一种圆片级封装结构的结构示意图。
[0010]图2~图11为本实用新型一种圆片级封装结构工艺方法的各工序示意图。
[0011]其中:
[0012]引线框I
[0013]芯片2
[0014]金属凸点3
[0015]锡球4
[0016]塑封料5
[0017]金属层6。
【具体实施方式】
[0018]参见图1，本实用新型一种圆片级封装结构，它包括引线框1，所述引线框I上倒装有芯片2，所述芯片2正面设置有金属凸点3，所述金属凸点3与引线框I之间通过锡球4相连接，所述引线框1、金属凸点3和锡球4周围包封有塑封料5，所述引线框I背面电镀有金属层6。
[0019]其工艺方法如下:
[0020]步骤一、参见图2，取一圆片，圆片正面线路设计完全对应于引线框图面，单颗芯片尺寸等同于封装尺寸；
[0021]步骤二、参见图3，在圆片正面电极上制作金属凸点；
[0022]步骤三、参见图4，在金属凸点上制作锡球；
[0023]步骤四、参见图5，将圆片通过金属凸点上的锡球倒装于引线框，引线框单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸；
[0024]步骤五、参见图6，将完成倒装的圆片与引线框放入回流焊设备进行回流焊；
[0025]步骤六、参见图7，对完成回流焊的产品进行包封；
[0026]步骤七、参见图8，对完成包封的产品进行引线框背面电镀；
[0027]步骤八、参见图9，对完成电镀产品的芯片背面被覆UV膜；
[0028]步骤九、参见图10，对完成电镀的产品进行切割，分离单个产品；
[0029]步骤十、参见图11，去除芯片背面被覆的UV膜。
[0030]所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计；所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。
【主权项】
1.一种圆片级封装结构，其特征在于:它包括引线框(1)，所述引线框(I)上倒装有芯片(2)，所述芯片(2)正面设置有金属凸点(3)，所述金属凸点(3)与引线框(I)之间通过锡球(4)相连接，所述引线框(1)、金属凸点(3)和锡球(4)周围包封有塑封料(5)，所述引线框(I)背面电镀有金属层(6)。
【专利摘要】本实用新型涉及一种圆片级封装结构，它包括引线框（1），所述引线框（1）上倒装有芯片（2），所述芯片（2）正面设置有金属凸点（3），所述金属凸点（3）与引线框（1）之间通过锡球（4）相连接，所述引线框（1）、金属凸点（3）和锡球（4）周围包封有塑封料（5），所述引线框（1）背面电镀有金属层（6）。本实用新型一种圆片级封装结构，圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应，实现整片圆片倒装于引线框，再进行圆片的切割分离以及封装，实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。
【IPC分类】H01L23-488, H01L23-495
【公开号】CN204375730
【申请号】CN201420845142
【发明人】王亚琴, 梁志忠
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年12月26日