1.一种高频高速基板结构,其特征在于,所述高频高速基板结构包括:
一低吸湿的介电基板层,包括一经改质的液晶高分子层或一经改质的聚酰亚胺层;以及
一金属层,形成于所述低吸湿的介电基板层上。
2.根据权利要求1所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述低吸湿的介电基板层还包括一黏着剂层,所述黏着剂层形成于所述经改质的液晶高分子层的一面上,且所述金属层形成于所述经改质的液晶高分子层的相对另一面上。
3.根据权利要求1所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述低吸湿的介电基板层还包括一黏着剂层,所述黏着剂层形成于所述经改质的聚酰亚胺层的一面上,且所述金属层形成于所述经改质的聚酰亚胺层的相对另一面上。
4.根据权利要求1所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述低吸湿的介电基板层的厚度介于12微米至250微米之间。
5.一种高频高速基板结构,其特征在于,所述高频高速基板结构包括:
一低吸湿的介电基板层,其具有相对的一第一表面以及一第二表面,其中所述低吸湿的介电基板层包括一经改质的液晶高分子层或一经改质的聚酰亚胺层;
一第一金属层,其形成于所述第一表面上;以及
一第二金属层,其形成于所述第二表面上。
6.根据权利要求5所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述低吸湿的介电基板层还包括一第一黏着剂层以及一第二黏着剂层,所述第一金属层通过所述第一黏着剂层结合于所述经改质的液晶高分子层的一面上,且所述第二金属层通过所述第二黏着剂层结合于所述经改质的液晶高分子层的相对另一面上。
7.根据权利要求5所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述低吸湿的介电基板层还包括一第一黏着剂层以及一第二黏着剂层,所述第一金属层通过所述第一黏着剂层结合于所述经改质的聚酰亚胺层的一面上,且所述第二金属层通过所述第二黏着剂层结合于所述聚酰亚胺层的相对另一面上。
8.根据权利要求5所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述低吸湿的介电基板层的厚度介于12微米至250微米之间。
9.根据权利要求1或5所述的高频高速基板结构,其特征在于,所述经改质的液晶高分子层或所述经改质的聚酰亚胺层的结构组成中具有芳香族单体。
10.一种多层布线板,其特征在于,所述多层布线板是使用至少一个根据权利要求1所述的高频高速基板结构与至少一个根据权利要求5所述的高频高速基板结构堆栈而成。