与其(在结构化之后)连接的导体层6之间获得了较小的距离，这在布置用于接触的激光孔时是有利的。此外，在一个步骤中进行构件1与复合层4(还有11)的连接。总体上，通过所描述的方法能够获得相对特别薄的印刷电路板结构。
[0055]这些措施和优点也适用于下面描述的根据图2至图8的实施例。
[0056]在图2中的子图、即图2a至图2d中，如也在随后的图中所示的那样，用对应的附图标记表示与图1中的元件对应的元件，当存在变型时，在必要时设置撇号。
[0057]在图2中示出的方法又涉及将电子构件1相对于导体层6固定在固定位置，其中，同样要在施加介电材料的位置避免气泡。
[0058]在根据图2的方法中，电子构件1也“面朝上”、也就是说以连接侧向上地(与根据图1相同)施加在位于其下方的用作临时载体2的塑料膜2、尤其是粘接膜上，参见图2a以及根据图2b的随后的方法步骤，在图2a中示出了构件1还在该粘接膜2上方一定距离处。与在根据图1的方法中不同地，随后接着在构件1的连接侧不施加三层的复合层4，而是施加两层的复合层4’。之所以这样设置是因为参见图2a，先前在构件1上在触点3上施加了绝缘层或介电层5’，其中，其在此例如是无气泡的B阶段介电质(即部分硬化的热固性塑料的绝缘材料)。
[0059]根据图2c，在根据图2b将构件1固定在粘接膜2上之后，设置先前提到的具有导体层6和载体层7的两层的复合层4’。
[0060]构件1上的局部介电层5’可以特别薄，因此可以在构件1和复合层4’的导体层6之间实现尤其小的距离，这如所提到的那样在在稍后在钻出激光孔或导孔时接触连接部3的情况下特别有利。
[0061]复合层4’在构件1上、更准确地说在其薄介电层5’上的层压本身也可以利用构件1的指向下的连接侧、即“面朝下”地进行，也就是说通过在塑料膜2上施加具有介电层5’的构件1来进行。
[0062]此外，在根据图2的方法中，可以如前面根据图1d至图lg所进行的那样，也就是说在旋转该结构(参见图2d)并且去除临时载体2(参见图2d中的箭头X)之后，将构件1嵌入绝缘材料、即预浸料9中，可以设置另一复合层11，同样也可以没有绝缘材料5，然后去除载体7或14。优选又在真空下进行层压或硬化，其中，应用提高的温度，以使介电质5’最终硬化。以这种方式，在构件1、介电层5’和导体层6或13之间实现无气泡的连接。之后，又将导体层6或13结构化，并且产生到构件1的连接部的触点。
[0063]在图3中示出的方法中，同样使用涂覆有介电质5’的电子构件1，然而与图2相比，该介电质5’现在分别位于与构件1的连接侧、即设置有触点3的一侧对置的一侧上。然后，将构件1“面朝下”、即以其触点3面对又用作临时载体2的塑料膜或粘接膜2地固定在该临时载体2上，参见图3a和3b。之后，根据如在图3c中示出的步骤，将两层的复合层4’、即没有根据图1的绝缘层5，施加并且层压在构件1背离粘接膜2的一侧上。然后，又可以将所获得的结构旋转180°，但是这在图3中未进一步示出；剥下或移除粘接膜2，并且随即可以在将构件1嵌入绝缘材料、如根据图1的预浸料9中之后，施加在此具有绝缘层12的附加的复合层11。
[0064]在图4的子图4a至4g中示出了用于制造印刷电路板或印刷电路板元件的本方法的另一变型，其中，使用构件1，在其与触点3对置的一侧涂覆有导电材料20，所述导电材料20同样可以无气泡地施加，并且形成部分硬化的(“B阶段”)层或者预干燥层(金属颗粒材料)。该构件1在此又“面朝下”地施加在作为临时载体2设置的粘接膜2、通常为塑料膜2上，参见相比于图4a的图4b。之后，与在根据图3的实施例中类似，在构件1的对置的一侧在构件1的导电材料层20上施加具有导体6和载体7的两层的复合层4’，参见图4c。然后，将该结构旋转180°，参见图4d，并且将用作临时载体2的粘接膜2从构件1或其触点3上移除，参见图4d中的箭头X。之后，与在图1f和lg中已经示出并且根据这些图所描述的类似，又将构件1封装或嵌入绝缘材料例如预浸料9中，在绝缘材料中设置有凹槽或空腔，并且在其上施加具有绝缘材料12、导体13和载体14的附加的复合层11，参见图4f。随后，去除载体7或14，并且将绝缘材料9最终硬化，从而获得根据图4g的具有硬化的绝缘材料体9’的状态。之后还进行描述过的、在此未更详细地示出的导体结构化和接触。
[0065]在根据图4的方法中，也可以在真空下在提高的温度下进行层压，其中，在构件1、导电材料6或12和导体层20之间实现无气泡的连接。
[0066]构件1上的导电材料20可以由包含部分硬化(即处于B阶段)的树脂形式的粘合剂和金属粉末、例如银的带状材料获得。这种材料是无气泡的，并且被施加在构件1的“后侧”。该层20的材料在室温下不进行粘接，并且需要提高的温度以使其与金属层、即导体6连接。导电材料20可以在制造完成的印刷电路板中用于散热和/或用作触点，例如用于IGBT晶体管的漏电极。
[0067]根据图5的方法变型相对于根据图4的方法变型在如下方面进行了变型:现在，在将构件1以其触点3所在的一侧(S卩“面朝下”)施加在临时载体粘接膜2上(图5a)之后，将构件1连接到包含载体7和导体6的复合层4’，其中，该复合层4’还在与电子构件1 (在粘接膜2上)的位置对应的位置上设有导电材料20’或由该材料制成的相应子层20’。由导电材料制成的这些层20’在其构造或其结构以及其功能方面对应于如前面根据图4说明的层20，其中，在那里’将层20预先施加在构件1上，而不是复合层4’上。在将具有导电子层20’的复合层4’层压在构件1上(参见图5c)之后，又将所获得的结构旋转180°，参见图5d，并且将粘接膜2形式的临时载体2移除，参见图5d中的箭头X。随后根据图5e、5f和5g的步骤对应于先前说明的步骤4e、4f和4g，因此可以省略重复的描述。
[0068]层或子层20或20’的导电材料例如也可以由包含金属粉末、例如银和粘合剂的膏构成，而不由带状材料构成。该膏可以通过热烧结。其可以预先通过印刷、例如丝网印刷、刻板印刷和类似的涂覆技术施加在导体层6上(或者构件1上)。该膏在提高的温度下被干燥，以去除粘合剂和溶剂。在该材料干燥之后，获得多孔结构。在真空中进行连接又防止在构件1和导电层20或20’之间的连接表面处注入气泡。在层压处理期间，通过应用压力和温度压缩该多孔结构，从而通过该低温烧结处理相应地形成固定的金属层。
[0069]在根据图6的方法变型中，在图6a至6d中示出的方法步骤实际上对应于根据图la至Id的方法步骤，然而其中，在图6的子图中去除了冲头8(参见图lc)。在该方面，在此可以省略重复的说明。
[0070]在根据图6d的步骤之后，根据图6e，在构件1上，也就是说在构件1的与连接侧对置的一侧，施加由导电金属膏构成的层20”。如先前结合图5所描述的，干燥用于层20”的导电膏。
[0071]在首先将构件1连同层20”如所描述的嵌入预浸料绝缘材料9中之后，进行具有导体13和载体14(参见图6f)、即没有绝缘层12的附加的两层的复合层11’的层压。最后，在去除载体7和14之后，获得具有“印刷电路板体9’ ”的根据图6g的复合结构。
[0072]这种方法的优点是，配准处理步骤时的耗费减少。在根据图5的方法中，需要将具有固定在其上的构件1的临时载体2与复合层4’上的导电膏20’对齐；与此相反，在图6的示例中，金属导电膏存在于构件1上，而省略了与导体层6的配准。
[0073]在对复合层11’进行加热和层压时，膏或层20’或20”的厚度有时收缩50%。
[0074]为了对要嵌入的构件1进行定位或配准，通常可以在临时载体2上设置配准元件或标记。还特别有利的是，为了进行随后的处理步骤而设置如在图la至le中示意性地示出的配准元件17。即使在移除粘接膜2之后，这些配准元件17也保留在单元中。
[0075]除了这些配准元件17之外，也可以使用已经存在于塑料膜2上的构件1作为配置元件。
[0076]为了对构件1进行临时固定，如所说明的，载体塑料膜2优选设计为尤其是具有压敏胶的粘接带或粘接膜，这使得能够在例如在图lc中示出的方法步骤之后，以简单的方式可靠地定位并且临时固定构件1，以及随后简单地移除临时载体2。另一方面，在构件1的可靠定位方面，为临时载体2使用尽可能尺寸稳定的载体材料是有利的。
[0077]为了补偿要容纳的构件1的不同高度和必要时要容纳的构件1的尺寸的制造公差，还可能适宜的是，为临时载体2配备使得能够压入较厚的构件1的可压缩材料。通过高度不同的构件1之间的这种补偿，在例如根据图lb和lc的随后的制造步骤中，能够准确地将构件1连接到共同的复合层4。
[0078]如先前所示出的临时